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1. 发明申请

WO2013108499A1 半導体集積回路审中-公开
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：WO2013108499A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：PCT/JP2012/081456
申请日：2012-12-05
申请人：三菱電機株式会社 , 冨澤淳 , 西川和康 , 諸熊健一
发明人：冨澤　淳 , 西川　和康 , 諸熊　健一
IPC分类号： H03F1/34 , G01D5/24 , G01R27/26 , H03F3/70
CPC分类号： G01R27/2605 , H03F3/45192 , H03F3/45475 , H03F3/45932 , H03F2203/45422 , H03F2203/45424 , H03F2203/45512 , H03F2203/45536 , H03F2203/45544 , H03F2203/45561 , H03F2203/45674 , H03F2203/45676
摘要：　連続時間型ＣＶ変換器を構成する半導体集積回路において、ＭＯＳ抵抗の高抵抗状態を維持可能な技術を提供することを目的とする。半導体集積回路は、一対の容量型センサＣＳＮ，ＣＳＰと、差動増幅器Ａ１と、直列接続された導電型が互いに異なる第１ＭＯＳトランジスタ対ＭＮ１，ＭＰ１を有する第１ＭＯＳ抵抗Ｒ１と、直列接続された導電型が互いに異なる第２ＭＯＳトランジスタ対ＭＮ２，ＭＰ２を有する第２ＭＯＳ抵抗Ｒ２と、第１負荷容量ＣＬＰと、第２負荷容量ＣＬＮと、バイアス回路Ｂとを備える。バイアス回路Ｂは、差動増幅器Ａ１の差動出力端子の電圧に基づいて、第１及び第２ＭＯＳ抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗を制御する。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种在构成连续C-V转换器的半导体集成电路中可以保持MOS电阻的高电阻状态的技术。该半导体集成电路具备：一对电容式传感器（CSN，CSP）; 差分放大器（A1）; 第一MOS电阻器（R1），其包括串联连接的导电类型不同的一对第一MOS晶体管（MN1，MP1）; 第二MOS电阻器（R2），其包括串联连接的导电类型不同的一对第二MOS晶体管（MN2，MP2）; 第一负载电容（CLP）; 第二负载电容（CLN）; 和偏置电路（B）。偏置电路（B）基于差分放大器（A1）的差分输出端子处的电压来控制第一和第二MOS电阻器（R1，R2）的电阻。

2. 发明申请

WO2014087481A1 信号伝達回路审中-公开
标题翻译：信号发送电路
公开(公告)号：WO2014087481A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：PCT/JP2012/081378
申请日：2012-12-04
申请人：三菱電機株式会社 , 諸熊健一 , 冨澤淳 , 西川和康
发明人：諸熊　健一 , 冨澤　淳 , 西川　和康
IPC分类号： H03K17/725
CPC分类号： H01F38/14 , H01F2038/143 , H03K3/0377 , H03K5/1534 , H03K5/26 , H04B5/0031 , H04B5/0093 , H04L25/0268
摘要：　送信データの論理値が変化する毎にその論理値変化に応じて正負の極性が交互に反転するパルス形状の電流信号を送信コイルに流す送信回路（１）と、送信コイル（１）に流す電流信号によって受信コイル（３）に誘導される正負の双極性のダブルパルスの誘導電圧信号を入力して送信データを復調する受信回路（４）とを備え、受信回路（４）は、受信コイル（３）に誘導されるダブルパルスの誘導電圧信号を増幅する増幅器（８）と、増幅器（８）で増幅されたダブルパルスの誘導電圧信号の内、前半のシングルパルスを検出すると、これに応じて後半のシングルパルスに対する不感期間を設定して前半のシングルパルスのみに基づいて送信データに対応した出力信号を生成する信号生成部（９、１１、２１）とを備える。
摘要翻译：该信号发送电路配备有发送电路（1），其每当发送数据的逻辑值根据逻辑的变化而变化时，产生电流信号，脉冲形状在正极性和负极性之间交替反转值，在发射线圈中流动; 以及接收电路（4），其在接收到通过在所述发送线圈（2）中流动的电流信号在接收线圈（3）中感应的具有正极性和负极性的双极性双脉冲感应电压信号的输入时，解调发送数据。接收电路（4）配备有：放大器（8），用于放大在接收线圈（3）中感应的双脉冲感应电压信号; 以及信号生成部（9,11,21），在检测到由放大器（8）放大的双脉冲感应电压信号的前半部分中的单脉冲时，设定单个脉冲的死区在第二半部分响应于所述检测，并且仅在上半部分中基于单个脉冲产生对应于发送数据的输出信号。

3. 发明申请

WO2013084517A1 信号伝達回路审中-公开
标题翻译：信号传输电路
公开(公告)号：WO2013084517A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/JP2012/060414
申请日：2012-04-18
申请人：三菱電機株式会社 , 諸熊健一 , 冨澤淳
发明人：諸熊　健一 , 冨澤　淳
IPC分类号： H04L25/02
CPC分类号： G05F3/08 , H04L25/0266
摘要：絶縁素子を介して信号を伝達する信号伝達回路において、入力信号を受け、入力信号をパルス信号に変換するパルス変換手段と、絶縁素子を含み、パルス変換手段からの出力を受け、対応する相補な第１および第２の出力信号を出力する薄膜トランスと、第１の出力信号を増幅するゲート接地回路と、第２の出力信号を増幅するゲート接地回路と、ドレイン端子がゲート接地回路の第１の出力信号を受けるノードに接続され、第１の出力信号を調整するためのＰＭＯＳトランジスタと、ドレイン端子がゲート接地回路の第２の出力信号を受けるノードに接続され、第２の出力信号を調整するＰＭＯＳトランジスタと、一端に電源ノードが接続され、他端にＰＭＯＳトランジスタのソース端子とＰＭＯＳトランジスタのソース端子とが接続された定電流源と、ゲート接地回路の出力とゲート接地回路の出力とを比較するコンパレータとを備える。
摘要翻译：经由绝缘元件发送信号的信号传输电路设置有：接收输入信号并将输入信号转换为脉冲信号的脉冲转换装置; 包括绝缘元件的薄膜变压器接收来自脉冲转换装置的输出，并输出相应的互补的第一和第二输出信号; 门接地电路，其放大第一输出信号; 门接地电路，其放大第二输出信号; PMOS晶体管，其具有连接到接收所述栅极接地电路的第一输出信号的节点的漏极端子，并且调节所述第一输出信号; PMOS晶体管，其漏极端子连接到接收所述栅极接地电路的第二输出信号的节点，并且调节所述第二输出信号; 恒定电流源，其具有连接到一端的电源节点，以及PMOS晶体管的源极端子和连接到另一端的PMOS晶体管的源极端子; 以及比较器，其将栅极接地电路的输出和栅极接地电路的输出相互比较。

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