专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007135753A1 ウエハのシリコン層の探傷装置及び探傷方法审中-公开
标题翻译： WATERER SILICON LAYER SCRATCH CHECK DEVICE AND SCRATCH CHECK METHOD
公开(公告)号：WO2007135753A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/JP2006/317462
申请日：2006-09-04
申请人：榊哲夫 , 白坂智久 , 小林恒雄
发明人：榊哲夫 , 白坂智久 , 小林恒雄
IPC分类号： G01N27/90
CPC分类号： G01N27/902 , G01N27/9026
摘要：　本発明は、ウエハのシリコン層に存在するクラックや傷を簡便に、短時間で検出することを目的としてなされた。シリコン層の表面から所定の距離に配置されるコイルセンサと、コイルセンサに高周波を印加する高周波印加部と、前記シリコン層の表面とコイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対的に移動させるスキャン機構部と、コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する高周波の変化を検出してシリコン層に存在するクラック又は傷を検知するクラック検知部と、を含んで成る探傷装置とし、高周波印加部によって印加する高周波の周波数を5MHz～200MHzとする。これにより、従来は不可能とされてきたシリコン層の探傷を行うことが可能となる。探傷対象のシリコンが低抵抗シリコンの場合には、印加する周波数を0.5MHz～200MHzとする。
摘要翻译：可以容易地并且在短时间内检测晶片硅层中存在的裂纹或划痕。刮擦检查装置包括：布置在与硅表面预定距离的线圈传感器; 用于向线圈传感器施加高频的高频施加单元; 用于相对移动硅层和线圈传感器同时保持硅层的表面与线圈传感器之间的距离的扫描机构单元; 以及裂纹检测单元，用于通过检测从线圈传感器输出的信号的变化或从高频施加单元施加的高频的变化来检测存在于硅层中的裂纹或划痕。施加到高频应用单元的高频被设置为5MHz至200MHz。这使得能够在硅层中进行划痕检查，这在传统上是不可能的。当要执行划痕检查的硅具有低电阻时，施加的频率被设置为0.5MHz至200MHz。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式