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1. 发明申请

WO2009131212A1 太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：WO2009131212A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/JP2009/058163
申请日：2009-04-24
申请人：株式会社アルバック , 渡井美和 , 斎藤一也 , 小松孝 , 井出由夫 , 浅利伸 , 水野雄介 , 清水美穂
发明人：渡井　美和 , 斎藤　一也 , 小松　孝 , 井出　由夫 , 浅利　伸 , 水野　雄介 , 清水　美穂
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/056 , Y02E10/52
摘要：　この太陽電池（１０）は、光透過性を有する基板（１１）と、光透過性を有する表面電極（１３）と、光電変換層（１４）と、光反射性を有する裏面電極（１５）とを含み、前記基板（１１）上に設けられた光電変換体（１２）と、前記光電変換層（１４）に隣接し、前記基板（１１）とは反対の前記光電変換層（１４）の面に配置され、前記基板（１１）に対向する前記光電変換層（１４）の面とは反対の面に隣接し、光透過性を有する導電材料からなり、屈折率が２．０以下である低屈折導電層（１６）とを含む。
摘要翻译：太阳能电池（10）包括透光性基板（11），透光性前侧电极（13），光电转换层（14）和反射背面侧电极（15）。太阳能电池还包括布置在基板（11）上的光电转换体（12），并且与光电转换层（14）相邻的低折射导电层（16）布置在与基板（11）相对的光电转换层（14）与面向基板（11）的与光电转换层（14）的表面相反的表面相邻，由透光性导电材料构成，具有折射率为2.0以下。

2. 发明申请

WO2010074283A1 パッシベーション膜形成用成膜装置及び成膜方法、並びに太陽電池素子の製造方法审中-公开
标题翻译：用于形成钝化膜的成膜装置和成膜方法作为太阳能电池元件的制造方法
公开(公告)号：WO2010074283A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/JP2009/071767
申请日：2009-12-28
申请人：株式会社アルバック , 久保昌司 , 菊地誠 , 斎藤一也 , 渡井美和 , 清水美穂
发明人：久保　昌司 , 菊地　誠 , 斎藤　一也 , 渡井　美和 , 清水　美穂
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/18 , C23C16/5096 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　キャリアの再結合による損失を十分に抑制できるパッシベーション膜を形成する成膜方法及び成膜装置、これを用いた太陽電池素子の製造方法を提供することを課題とする。成膜対象を載置する載置部２２と、高周波電源２５と、載置部２２に載置された成膜対象Ｓに対向するように設けられ、成膜ガスを導入すると共に高周波電源が接続され高周波数の電圧が印加されるシャワープレート２３とを備え、シャワープレート又は基板載置部に、低周波数の電圧を印加する低周波電源２６が接続されている。この成膜装置を用いて成膜方法を実施し、パッシベーション膜を形成するにあたり、この成膜方法を実施する。
摘要翻译：提供一种成膜方法和用于形成能够充分抑制载流子重新结合引起的损失的钝化膜的成膜装置及使用该膜的太阳能电池元件的制造方法。该装置设置有用于安装成膜靶的安装部件（22），设置成面向成膜靶材（S）的高频电源（25）和喷淋板（23）安装在安装部分（22）上的是引入成膜气体，并连接到高频电源并施加高频电压。低频电源（26）连接到喷淋板或基板安装部分并施加较低的频率电压。使用所述成膜装置实现成膜方法，并且在形成钝化膜时实现所述成膜方法。

3. 发明申请

WO2009131115A1 太陽電池の製造方法，太陽電池の製造装置，及び太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池制造方法，太阳能电池制造装置和太阳能电池
公开(公告)号：WO2009131115A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/JP2009/057911
申请日：2009-04-21
申请人：株式会社アルバック , 渡井美和 , 斎藤一也 , 小松孝 , 太田淳 , 黒岩俊二 , 清水美穂
发明人：渡井美和 , 斎藤一也 , 小松孝 , 太田淳 , 黒岩俊二 , 清水美穂
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　この太陽電池の製造方法は、導電型がｐ型またはｎ型であるシリコン基板（１）上に、前記シリコン基板（１）と異なる導電型のドーパントを含む反射防止膜（２２）を形成し、前記反射防止膜（２２）を熱処理して、前記反射防止膜（２２）に含まれるドーパントを前記シリコン基板（１）内に拡散させる。
摘要翻译：公开了一种太阳能电池的制造方法，其中在硅衬底（1）上形成含有与p型或n型导电性的硅衬底（1）不同的导电掺杂剂的抗反射膜（22），防反射膜（22）被热处理，并且防反射膜（22）中所含的掺杂剂扩散到硅衬底（1）中。

4. 发明申请

WO2010002005A1 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル审中-公开
标题翻译：太阳能电池制造方法和太阳能电池
公开(公告)号：WO2010002005A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/062225
申请日：2009-07-03
申请人：株式会社アルバック , 渡井美和 , 斎藤一也 , 小松孝 , 崎尾進 , 若井雅文 , 黒岩俊二
发明人：渡井　美和 , 斎藤　一也 , 小松　孝 , 崎尾　進 , 若井　雅文 , 黒岩　俊二
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/03762 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , Y02E10/548
摘要：　この太陽電池セルの製造方法は、基板（１１）上に、第１電極層（１３），光電変換層（１４），及び第２電極層（１５）を順に積層することによって光電変換体（１２）を形成した後、光電変換体（１２）を複数の区画部に電気的に分離する溝を形成するスクライブ工程を含み、前記スクライブ工程では、第１溝（１８），第２溝（１９），第３溝（２４），及び第４溝（５０）を形成し、前記スクライブ工程後に、絶縁層（３１，５１）を形成する絶縁層形成工程と、配線層（３０）を形成する配線層形成工程とを有し、前記配線層（３０）は、前記第２溝（１９）の底面に露出した前記第１電極層（１３）から、前記第２溝（１９）の内部及び前記絶縁層（３１，５１）の表面を通じ、前記第２溝（１９）とは反対の前記第４溝（５０）の側方に配置された前記第２電極層（１５）の表面に至り、前記複数の区画部を電気的に接続している。
摘要翻译：本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：通过在基板（11）上顺次层叠第一电极层（13），光电转换层（14）和第二电极层（15）来形成光电转换器），然后形成用于将光电转换器（12）电分离成多个部分的凹槽。划片台阶形成第一槽（18），第二槽（19），第三槽（24）和第四槽（50）。该方法还包括在划线步骤之后，形成用于形成绝缘层（31,51）的绝缘层形成步骤和用于形成布线层（30）的布线层形成步骤。该布线层（30）从第二沟槽（19）的底部露出的第一电极层（13）延伸穿过第二槽（19）的内部并在绝缘层（31,51）的表面上方延伸，到与第二凹槽（19）相对的布置在第四凹槽（50）的该侧上的第二电极层（15）的表面，从而电连接这些部分。

5. 发明申请

WO2011161789A1 結晶太陽電池及び結晶太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：晶体太阳能电池和晶体太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：WO2011161789A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/JP2010/060712
申请日：2010-06-24
申请人：株式会社アルバック , 渡井美和 , 斎藤一也 , 小松孝 , 黒岩俊二
发明人：渡井　美和 , 斎藤　一也 , 小松　孝 , 黒岩　俊二
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/056 , H01L31/0682 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要：　結晶太陽電池（１０）は、光を受光する受光面（１１ｉ）と該受光面と対向する裏面（１１ｒ）との間で光電変換機能を発現する結晶性基板（１１）と、結晶性基板（１１）の裏面（１１ｒ）を透過して出射する光を該結晶性基板（１１）の中へ反射して戻す白色塗膜（１４）とを備えている。
摘要翻译：晶体太阳能电池（10）具有：在接收光的光接收表面（11i）和面向光接收表面的后表面之间实现光能转换的晶体衬底（11）; 以及将已经穿过并离开结晶基板（11）的背面（11r）的光反射回结晶基板（11）的白色涂膜（14）。

6. 发明申请

WO2009131111A1 太陽電池の製造方法，太陽電池の製造装置，及び太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池制造方法，太阳能电池制造设备和太阳能电池
公开(公告)号：WO2009131111A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/JP2009/057905
申请日：2009-04-21
申请人：株式会社アルバック , 渡井美和 , 斎藤一也 , 小松孝 , 太田淳 , 黒岩俊二 , 清水美穂
发明人：渡井美和 , 斎藤一也 , 小松孝 , 太田淳 , 黒岩俊二 , 清水美穂
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/028 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　この太陽電池の製造方法は、導電型がｐ型またはｎ型であるシリコン基板（１，２１）上に、前記シリコン基板（１，２１）と異なる導電型のドーパントを含むシリコン層（２２，３１）を形成し、前記シリコン層（２２，３１）を熱処理して前記シリコン層（２２，３１）に含まれるドーパントを前記シリコン基板（１，２１）内に拡散させる。
摘要翻译：提供一种太阳能电池的制造方法，其中形成在具有p型或n型导电性的硅衬底（1,21）上的硅层（22,31）包括不同于硅衬底（1）的导电掺杂物，21），并且硅层（22,31）被热处理，并且包含在硅层（22,31）中的掺杂剂扩散到硅衬底（1,21）中。

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