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1. 发明申请

WO2012173122A1 プラズマエッチング方法审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：WO2012173122A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/JP2012/065034
申请日：2012-06-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 宇田秀一郎 , 根津崇明 , 渕上慎司 , 丸山幸児
发明人：宇田　秀一郎 , 根津　崇明 , 渕上　慎司 , 丸山　幸児
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J2237/334 , H01L21/30655 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/32132 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/76898
摘要：　シリコン層と、前記シリコン層の上方に、所定のパターンにパターニングされたレジスト層が形成された被処理基板が設置される処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給した前記エッチングガスから生成されたプラズマにより、前記レジスト層をマスクとして前記シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法であって、フッ化硫黄ガスに対する酸素ガス量の流量比を第１の流量比とした状態で、前記シリコン層をエッチングする第１のステップと、前記流量比が前記第１の流量比から前記第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながら前記シリコン層をエッチングする第２のステップと、前記流量比を前記第２の流量比とした状態で、前記シリコン層をエッチングする第３のステップとを有する、プラズマエッチング方法を提供する。
摘要翻译：提供了一种等离子体蚀刻方法，其特征在于包括：将包含氧气和氟化硫气体的蚀刻气体以规定的流量供给到其中放置有待处理的基板的处理容器中，所述基板由硅层以及形成在所述硅层上的抗蚀剂层，所述抗蚀剂层具有规定的图案; 并且通过所述供给的蚀刻气体产生的等离子体，通过所述抗蚀剂层蚀刻所述硅层作为掩模。等离子体蚀刻方法包括在将氧气与氟化硫气体的流量比定义为第一流量比的状态下蚀刻所述硅层的第一步骤，在降低流量的同时蚀刻所述硅层的第二步骤使得所述流量比从所述第一流量比改变为小于所述第一流量比的第二流量比，以及在所述流量比是所述第二流量比的状态下蚀刻所述硅层的第三步骤。

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