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1. 发明申请

WO2009104740A1 ピンホールの占有割合を調整したスパッタリングターゲットおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：具有调整比例的针刺的喷射目标及其制造方法
公开(公告)号：WO2009104740A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/053041
申请日：2009-02-20
申请人：三井金属鉱業株式会社 , 松前和男
发明人：松前和男
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/457 , C04B35/64 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B35/6263 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/6585 , C04B2235/775 , C23C14/086
摘要：　本発明は、高い投入電力を導入してもスパッタリング時に発生するアーキングを低減しつつ、かつスパッタリングターゲット自体の割れが発生するのを有効に防止するスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製されてなる板状のスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に存在するピンホールによって占有される割合が、該スパッタリングターゲット内の上面側近傍よりも下面側近傍の方が高いことを特徴とする。
摘要翻译：提供了即使在引入高输入功率的同时也有效地防止溅射靶自身的破裂的溅射靶，同时减少溅射期间产生的电弧。本发明的溅射靶是通过粉末冶金方法制造的板状溅射靶，其特征在于，在下表面附近由针孔占据的所述溅射靶的比例高于靠近上表面的比例说溅射目标。

2. 发明申请

WO2009020091A1 ＩＴＯ焼結体およびＩＴＯスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译： ITO烧结体和ITO溅射靶
公开(公告)号：WO2009020091A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/063954
申请日：2008-08-04
申请人：三井金属鉱業株式会社 , 松前和男 , 高橋誠一郎 , 林博光
发明人：松前和男 , 高橋誠一郎 , 林博光
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/661 , C04B2235/78 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C23C14/3414
摘要：　本発明は、物性の優れたＩＴＯ膜をより一層向上した歩留りで成膜できるＩＴＯ焼結体、ＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、とくにバルク抵抗値の低いＩＴＯ焼結体を用いることで、低抵抗かつ非晶質安定性に優れた膜が得られるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供することを目的とする。本発明のＩＴＯ焼結体は、主結晶粒であるＩｎ 2 Ｏ 3 母相内にＩｎ 4 Ｓｎ 3 Ｏ 12 からなる微細粒子が存在するＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）焼結体であって、該微細粒子が粒子の仮想中心から放射線状に針状突起が形成された立体星状形状を有することを特徴とする。
摘要翻译：提供一种用于形成具有优异性能并且提高产量的ITO溅射靶材料和ITO溅射靶的ITO烧结体，特别是ITO溅射靶材料和ITO溅射靶，用于获得具有低电阻的膜和通过使用具有低体积电阻值的ITO烧结体，具有优异的非晶稳定性。还提供了一种制造适合于这种ITO溅射靶材料的ITO烧结体和ITO溅射靶的方法。 ITO烧结体是由铟锡氧化物烧结体构成，其中由In 4 Sn 3 O 12构成的微粒子存在于In2O3母相即主晶粒中。细颗粒具有从颗粒的虚拟中心径向地具有针状突出部的三维星形。

3. 发明申请

WO2007091351A1 スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット材およびこれらの製造方法审中-公开
标题翻译：喷射目标，喷射目标材料及其生产工艺
公开(公告)号：WO2007091351A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2006/320716
申请日：2006-10-18
申请人：三井金属鉱業株式会社 , 小島豊 , 松前和男 , 葛城成吾
发明人：小島豊 , 松前和男 , 葛城成吾
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407
摘要： [課題]アーキングの発生をより一層効果的に低減し得るスパッタリングターゲット、これに好適なスパッタリングターゲット材およびこれらの製造方法を提供することを課題としている。 [解決手段]油分の存在下で切削加工が行なわれたスパッタリングターゲット材であって、スパッタリング前の該ターゲット材表面に付着している油膜の厚みが１．５ｎｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材、上記スパッタリングターゲット材とバッキングプレートとを備えてなることを特徴とするスパッタリングターゲット、ターゲット材の表面にスチームを接触させて、該ターゲット材表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする、スパッタリングターゲット材の製造方法ならびにスパッタリングターゲットの製造方法。
摘要翻译： [问题]提供能够以更高效率降低电弧的溅射靶; 适合的溅射靶材料; 以及这些的制造方法。 [解决问题的手段]提供了在含油量存在的情况下切削加工的溅射靶材料，其特征在于，在溅射前附着在靶材表面的油膜的厚度为1.5nm以下。此外，提供了一种溅射靶，其特征在于包括上述溅射靶材料和背板。另外，提供了溅射靶材的制造方法以及溅射靶的制造方法，其特征在于，具有使蒸汽与靶材表面接触的清洗工序，从而清理了靶材的表面。

4. 发明申请

WO2009069658A1 スパッタリングターゲット材およびこれから得られるスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：使用溅射目标材料获得的溅射目标材料和溅射目标
公开(公告)号：WO2009069658A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/JP2008/071448
申请日：2008-11-26
申请人：三井金属鉱業株式会社 , 松前和男
发明人：松前和男
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/086 , H01J37/3491
摘要：本発明は、アーキングの発生を確実に低減し、かつ割れおよびクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。本発明のスパッタリングターゲット材は、矩形状のスパッタリング面、矩形状の側面および矩形状のボンディング面を有する略板状のスパッタリングターゲット材において、該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部に、面取り処理が施されていることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种能够可靠地减少电弧放电产生并抑制裂纹产生和溅射靶材的溅射靶材料。基本上板状溅射靶材料具有矩形溅射表面，矩形侧表面和矩形接合表面。通过在构成溅射靶材的多个表面中具有至少三个彼此邻接的表面形成的角部被倒角。

5. 发明申请

WO2009020084A1 ＩＴＯ焼結体およびＩＴＯスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译： ITO烧结体和ITO溅射靶
公开(公告)号：WO2009020084A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/063943
申请日：2008-08-04
申请人：三井金属鉱業株式会社 , 松前和男 , 高橋誠一郎 , 林博光
发明人：松前和男 , 高橋誠一郎 , 林博光
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3286 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/78 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C23C14/086
摘要：　本願発明は、物性の優れたＩＴＯ膜をより一層向上した歩留りで成膜できるＩＴＯ焼結体、ＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、とくにバルク抵抗値の低いＩＴＯ焼結体を用いることで、低抵抗かつ非晶質安定性に優れた膜が得られるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供することを目的とする。本発明のＩＴＯ焼結体は、主結晶粒であるＩｎ 2 Ｏ 3 母相内にＩｎ 4 Ｓｎ 3 Ｏ 12 からなる微細粒子が存在するＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）焼結体であって、該微細粒子が面取りされた略立方体形状を有することを特徴とする。
摘要翻译：提供一种用于形成具有优异性能并且提高产量的ITO溅射靶材料和ITO溅射靶的ITO烧结体，特别是ITO溅射靶材料和ITO溅射靶，用于获得具有低电阻的膜和通过使用具有低体积电阻值的ITO烧结体，具有优异的非晶稳定性。还提供了一种制造适合于这种ITO溅射靶材料的ITO烧结体和ITO溅射靶的方法。 ITO烧结体是由铟锡氧化物烧结体构成，其中由In 4 Sn 3 O 12构成的微粒子存在于In2O3母相即主晶粒中。细颗粒具有基本上倒角的立方体形状。

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