专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012101939A1 色素増感太陽電池およびその製造方法审中-公开
标题翻译：透明的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2012101939A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/JP2011/079573
申请日：2011-12-14
申请人：ソニー株式会社 , 室山雅和 , 福島和明 , 羽生和隆 , 梶公智
发明人：室山　雅和 , 福島　和明 , 羽生　和隆 , 梶　公智
IPC分类号： H01M14/00 , H01L31/04
CPC分类号： H01M14/005 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要：　色素増感太陽電池は、透明導電層と、透明導電層上に設けられ、増感色素が担持された多孔質半導体層と、多孔質半導体層と対向して設けられた対極と、多孔質半導体層と対極との間に設けられた電解質層とを備える。多孔質半導体層は、面内方向に異なる緻密性を有する。多孔質半導体層は、緻密性の選択により、所定の色を呈し、かつ所定の模様を構成するように形成されている。
摘要翻译：该染料敏化太阳能电池具备：透明导电层; 多孔半导体层，其设置在所述透明导电层上，并且具有负载在其上的敏化染料; 设置为面对多孔半导体层的对电极; 以及设置在多孔半导体层和对电极之间的电解质层。多孔半导体层在面内方向具有不同的密度。多孔半导体层形成为使得该层呈现预定的颜色，并且通过密度选择来配置预定图案。

2. 发明申请

WO2011148878A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2011148878A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/JP2011/061705
申请日：2011-05-17
申请人：ソニー株式会社 , 室山雅和 , 福島和明
发明人：室山　雅和 , 福島　和明
IPC分类号： H01M14/00 , H01L31/04
CPC分类号： H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要：高い変換効率を有する光電変換装置及びその製造方法を提供すること。光電変換装置は、透明電極（２）とこの面に形成され色素が担持される多孔質金属酸化物半導体層（３）とを有する作用電極と、対向電極（５）と、電解質層（４）とを有し、酸化物半導体層の表面の水酸基濃度が０．０１個／（ｎｍ）２以上、４．０個／（ｎｍ）２以下であり、同表面の吸着水濃度が０．０３個／（ｎｍ）２以上、４．０個／（ｎｍ）２以下である。光電変換装置の製造方法は、透明電極（２）の面に多孔質金属酸化物半導体層（３）を形成する第１工程と、酸化性雰囲気における低温プラズマ処理によって、酸化物半導体層の表面の水酸基濃度を０．０１個／（ｎｍ）２以上、４．０個／（ｎｍ）２以下、同表面の吸着水濃度を０．０３個／ｎｍ２以上、４．０個／（ｎｍ）２以下となるように制御する第２工程と、酸化物半導体層に色素を担持させる第３工程とを有する。
摘要翻译：公开了一种具有高转换效率的光电转换装置; 以及制造光电转换装置的方法。具体公开了一种光电转换装置，其特征在于，具备：工作电极，具有透明电极和多孔金属氧化物半导体层，所述多孔金属氧化物半导体层形成在所述透明电极的表面并负载着染料; 对电极（5）; 和电解质层（4）。氧化物半导体层表面的羟基浓度为0.01-4.0组/（nm）2（含），表面的吸附水浓度为0.03〜4.0个/（nm）2以下。还具体公开了一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，包括：在透明电极（2）的表面上形成有多孔金属氧化物半导体层（3）的第一工序。第二步，将氧化物半导体层表面的羟基浓度控制在0.01〜4.0组/（nm）2（以下），将表面的吸附水浓度控制在0.03〜4.0个/（nm） 2（含），在氧化气氛中通过低温等离子体处理; 以及第三步骤，其中使氧化物半导体层支持染料。

3. 发明申请

WO2002091417A1 電子放出装置及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电子发射器及其制造方法，冷阴极场发射体及其制作方法及冷阴极电子发射显示及其制作方法
公开(公告)号：WO2002091417A1
公开(公告)日：2002-11-14
申请号：PCT/JP2002/003528
申请日：2002-04-09
申请人：ソニー株式会社 , 室山雅和 , 八木貴郎 , 井上浩司 , 齋藤一郎
发明人：室山雅和 , 八木貴郎 , 井上浩司 , 齋藤一郎
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： Degradation of the characteristics of an electron emitting section due to adhesion or adsorption of a gas or a gaseous substance to the electron emitting section is prevented. A cold−cathode field electron emitting device comprises a cathode electrode (11) disposed on a support (10), a gate electrode (13) disposed above the cathode electrode (11) and having an opening (14A), and an electron emitting section disposed on the surface of the cathode electrode (11) on the bottom of the opening (14A). The electron emitting section is composed of a carbon−based material layer (23) formed from a hydrogen carbon gas and a fluorine−containing hydrogen carbide gas. The electron emitting section is fabricated by forming a fluorine carbide thin film on the carbon−based material layer or by terminating the surface of the carbon−based material with fluorine atoms.
摘要翻译：防止了由于气体或气态物质附着或吸附到电子发射部分而导致的电子发射部分的特性的劣化。冷阴极场电子发射器件包括设置在支撑体（10）上的阴极电极（11），设置在阴极电极（11）上方并具有开口（14A）的栅电极（13）和电子发射部分设置在开口（14A）的底部上的阴极电极（11）的表面上。电子发射部分由碳氢气体和含氟碳氢化合物气体形成的碳基材料层（23）构成。电子发射部分是通过在碳基材料层上形成碳化硅薄膜或用氟原子终止碳基材料的表面来制造的。

4. 发明申请

WO2012111781A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2012111781A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/JP2012/053732
申请日：2012-02-10
申请人：ソニー株式会社 , 高木裕登 , 福島和明 , 羽生和隆 , 室山雅和
发明人：高木　裕登 , 福島　和明 , 羽生　和隆 , 室山　雅和
IPC分类号： H01M14/00 , H01L31/04 , H01M2/26 , H01M2/30
CPC分类号： H01M14/005
摘要：　光電変換装置１０Ａは、第１基材２１及び第２基材２２、並びに、第１基材２１と第２基材２２との間に、第１基材側から、順次、設けられた、半導体層３１、第１集電体５１、電解質層４１、触媒層３２、及び、第２集電体６１を備え、第１基材２１と第２基材２２とは外縁部において封止されており、第１集電体５１は多数の貫通孔が設けられた導電材料から成り、リード部材本体部５２及びリード部材延在部から構成され、導電材料片から成り、生成した電力を出力するためのリード部材を更に備えており、第１集電体５１の外縁部にリード部材本体部６２が取り付けられており、リード部材延在部は光電変換装置１０Ａの外側に突出している。
摘要翻译：光电转换装置（10A）具有：第一基材（21）; 第二基材（22）; 以及形成在第一基材（21）和第二集电体（61）之间的半导体层（31），第一集电体（51），电解质层（41），催化剂层（32）和第二集电体（61）第二基材（22），从第一基材（21）侧开始。第一基材（21）和第二基材（22）在其外缘部密封。光电转换装置（10A）还具有用于输出发电的引线部件，所述引线部件由导电材料片构成，并且包括引线部件本体部（52）和引线部件延伸部。引线部件主体部分安装在第一集电器（51）的外边缘部分上，并且引线部件延伸部分突出到光电转换装置（10A）的外部。

5. 发明申请

WO2003085688A1 電界電子放出膜、電界電子放出電極および電界電子放出表示装置审中-公开
标题翻译：场电子发射膜，场电子发射电极和场电子发射显示
公开(公告)号：WO2003085688A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004196
申请日：2003-04-02
申请人：ソニー株式会社 , 伊藤啓之 , 八木貴郎 , 室山雅和 , 井上誠
发明人：伊藤啓之 , 八木貴郎 , 室山雅和 , 井上誠
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30469
摘要：　残存気体の少なく、放出電子量が安定した電界電子放出膜を形成することができる電界電子放出膜である。また薄膜化されているために、膜の面内での抵抗値が均一となり、かつ平滑性が高く、電子放出特性の高い電界電子放出膜である。カーボンナノチューブ構造体を０．００１～４０重量％と、熱分解性の金属化合物を熱分解して得られる熱分解生成物を０．０１重量％以上とを含ませる。熱分解性の金属化合物としては、有機金属化合物、金属塩、有機金属塩化合物、金属錯体が挙げられる。
摘要翻译：场致电子发射膜，其包含0.001〜40重量％的碳纳米管结构和0.01重量％以上的热分解产物，其通过热分解能够分解的金属化合物而得到。能够被热分解的金属化合物包括有机金属化合物，金属盐和金属络合物。残留气体中的场电子发射膜减少，导致发射电子量的稳定性，由于其厚度减小而在其表面内具有均匀的电阻值，具有高平滑度，并且表现出高电子发射特性。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式