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1. 发明申请

WO2009133650A1 磁化制御方法、情報記憶方法、情報記憶素子及び磁気機能素子审中-公开
标题翻译：磁化控制方法，信息存储方法，信息存储元件和磁功能元件
公开(公告)号：WO2009133650A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/JP2009/000899
申请日：2009-02-27
申请人：国立大学法人大阪大学 , 鈴木義茂 , 野崎隆行 , 丸山拓人 , 塩田陽一
发明人：鈴木義茂 , 野崎隆行 , 丸山拓人 , 塩田陽一
IPC分类号： H01L29/82 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01F10/3286 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F41/302 , H01F41/307 , H01L43/08
摘要：　本発明は、電流磁場やスピントランスファートルクを用いることなく低消費電力で磁化方向を制御する磁化制御方法、情報記憶方法、情報記憶素子及び磁気機能素子を提供することを目的とするものであって、磁化制御方法は、磁性層（１０）の磁化方向を制御する磁化制御方法であって、１原子層以上で、かつ、２ｎｍ以下の膜厚の超薄膜強磁性層としての磁性層（１０）と、磁性層（１０）に直接接して積層されたポテンシャル障壁となる絶縁層（１１）とからなる構造体を形成し、この構造体を挟む対向電極である電極（１２）及び下地層（１４）に電圧を印加する、又は、構造体に対して電界を印加することによって磁性層（１０）の磁気異方性を変調し、当該変調によって磁性層（１０）の磁化方向を制御する。さらに、印加する電圧または電界の波形を制御することにより磁化方向のスイッチングをする。
摘要翻译：提供一种用于在不使用电流磁场和自旋转移扭矩，信息存储方法，信息存储元件和磁性功能元件的情况下控制低功耗下的磁化方向的磁化控制方法。用于控制磁性层（10）的磁化方向的磁化方法包括以下步骤：形成由作为由一个或多个原子层构成的厚度为2的超薄膜铁磁层的磁性层（10）构成的结构， nm以下的绝缘层和直接堆叠在磁性层（10）上并作为势垒的绝缘层（11），通过向电极（12）施加电压来调制磁性层（10）的磁各向异性，是对置电极和基础层（14），其将结构夹在其间或向结构施加电场，并且通过调制来控制磁性层（10）的磁化方向。通过控制施加的电压或电场的波形来切换磁化方向。

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