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1. 发明申请

WO2017121728A1 CIRCUIT DE DETECTION DE RAYONS X POUR CAPTEUR RADIOLOGIQUE DENTAIRE 审中-公开
标题翻译：牙科放射学传感器的X射线检测电路
公开(公告)号：WO2017121728A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/EP2017/050411
申请日：2017-01-10
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： CHARRAT, Christine , PAPAIX, Caroline , GESSET, Stéphane
IPC分类号： H04N5/32
CPC分类号： H04N5/32
摘要： Circuit de détection (300) de l'apparition de rayons X en vue de déclencher une prise d'image radiologique comprenant un ensemble (301) de photodiodes relié à une masse (G D ), un circuit d'amplification (302) et une capacité (C2), le circuit d'amplification (302) comprenant un amplificateur (AMP) et une source de tension (GEN) et étant connecté, sur une première entrée, à la sortie de l'ensemble (301) de photodiodes, la capacité (C2) étant connectée entre la masse (G D ) et une seconde entrée de l'amplificateur (AMP), le circuit de détection (300) étant caractérisé en ce que le circuit d'amplification (302) est configuré pour réaliser successivement les étapes de : • Charger la capacité (C2) avec une tension de référence (V ref ) générée par la source de tension (GEN); • Isoler la seconde entrée de l'amplificateur (AMP) de la source de tension (GEN); • Intégrer le courant généré par l'ensemble (301) de photodiodes.
摘要翻译：用于检测（300）X射线的出现以便触发放射学图像采集的电路，该电路包括连接到光电二极管的一组光电二极管（301）。＆Agrave; 质量（G D），放大电路（302）和电容; （C2），所述放大电路（302）包括放大器（AMP）和电压源（GEN），并且在第一输入端连接到所述放大器光电二极管组（301）的输出，电容和电容; （C2）连接在地（G D）与放大器（AMP）的第二输入端之间，感测电路（300）的特征在于 ; RIS＆eacute; 其中放大电路（302）被配置先后执行以下步骤：•负载能力。（C2）与由电压源（GEN）产生的参考电压（V ref）进行比较; •将放大器（AMP）的第二个输入与电压源（GEN）隔离; •整合主流权力。由光电二极管组（301）。

2. 发明申请

WO2016150654A1 SYSTEME D'AIDE AU POSITIONNEMENT D'UN CAPTEUR RADIOLOGIQUE DENTAIRE INTRA-ORAL 审中-公开
标题翻译：用于辅助内窥镜放射学传感器定位的系统
公开(公告)号：WO2016150654A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/EP2016/054142
申请日：2016-02-26
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： PASCAL, Nathalie , JULIEN, Florian
IPC分类号： A61B6/14 , A61B6/00
CPC分类号： A61B6/145 , A61B6/4208 , A61B6/4452 , A61B6/46 , A61B6/588 , A61B6/589 , A61B34/20
摘要： L'invention concerne l'imagerie médicale et plus particulièrement la radiologie dentaire intra-orale. Elle propose un ensemble de prise d'image radiologique comprenant un capteur d'image intra oral 10, où le capteur présente une face active A correspondant à la surface photosensible, et un miroir M1 qui est placé devant la face active du capteur, la face de miroir réfléchissant la lumière visible étant tournée dans le même sens que la face active du capteur, vers une source de rayons X. Le miroir peut être disposé sur le capteur lui-même, sur le capot 23 de face avant du boitier d'encapsulation 20 du capteur et/ou sur la face externe d'un accessoire contenant ou supportant le capteur, la face externe étant tournée dans le même sens que la face active du capteur.
摘要翻译：本发明涉及医学成像，更具体地，涉及口腔内放射学。本发明提出了一种放射成像组件，其包括口内图像传感器10，其中传感器具有对应于感光表面的有效面A和位于传感器的主动面前方的反射镜M1，反射可见光沿与传感器的主动面相同的方向朝向X射线源转动。反射镜可以布置在传感器本身上，在传感器的封装壳体20的前面盖23上和/或在包含或支撑传感器的附件的外表面上，外表面沿与传感器的主动面。

3. 发明申请

WO2016120091A1 CAPTEUR RADIOLOGIQUE AVEC DETECTION DE RAYONS X 审中-公开
标题翻译：具有X射线检测的辐射传感器
公开(公告)号：WO2016120091A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/EP2016/050730
申请日：2016-01-15
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： PAPAIX, Caroline , JULIEN, Florian , PASCAL, Nathalie , CRESPIN, Stéphane
IPC分类号： A61B6/14 , H04N5/32 , H04N5/335 , H04N5/374
CPC分类号： A61B6/145 , A61B5/0088 , A61B6/4233 , A61B6/5205 , A61B6/545 , G01T1/2018 , H04N3/155 , H04N5/32 , H04N5/3696
摘要： L'invention concerne l'imagerie médicale et plus particulièrement la radiologie dentaire intra-orale. Le capteur selon l'invention comporte une série (SPHx) de photodiodes de détection d'arrivée d'un flash de rayons X. La série de photodiodes occupe l'emplacement d'une colonne centrale de la matrice de pixels. Le signal du pixel manquant dans chaque ligne peut être reconstitué par interpolation des signaux fournis par les pixels voisins de la ligne. Les photodiodes de détection sont identiques aux photodiodes des pixels actifs CMOS. Elles sont toutes reliées électriquement d'un côté à un potentiel de référence et de l'autre côté à un conducteur de détection (CD) s'étendant le long de la série de photodiodes. Ce conducteur de détection est relié à un circuit de détection (DX) fournissant un signal de déclenchement de prise d'image lorsque le courant détecté ou la variation de ce courant dépasse un seuil montrant qu'un flash de rayons X a commencé.
摘要翻译：本发明涉及医学成像，更具体地，涉及口腔内放射学。根据本发明的传感器包括用于检测X射线闪光灯的到达的一系列检测光电二极管（SPHx）。该系列光电二极管占据像素阵列的中心列的位置。可以通过内插由行的相邻像素提供的信号来重构每行中的丢失像素的信号。检测光电二极管与有源CMOS像素的光电二极管相同。所述检测光电二极管的一侧全部电连接到参考电位，另一侧电连接到沿着该系列光电二极管延伸的检测导体（CD）。当检测到的电流或该电流的变化超过表示X射线闪光已经开始的阈值时，检测导体连接到提供触发拍摄图像的信号的检测电路（DX）。

4. 发明申请

WO2016102267A1 CAPTEUR D'IMAGE EN COULEURS AVEC PIXELS BLANCS ET PIXELS COLORES 审中-公开
标题翻译：具有白色像素和彩色像素的彩色图像传感器
公开(公告)号：WO2016102267A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/EP2015/080004
申请日：2015-12-16
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： FEREYRE, Pierre , MAYER, Frédéric , DOUINE, Pascal , LIGOZAT, Thierry , PREVOST, Vincent , DIASPARRA, Bruno
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/3227
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image en couleurs. Pour bénéficier à la fois d'une bonne résolution en luminance et d'une colorimétrie qui ne soit pas trop dégradée par la sensibilité du silicium aux rayonnements en proche infrarouge, l'invention propose de réaliser une mosaïque de pixels comprenant des pixels colorés (R), (G), (B), revêtus de filtres de couleur, répartis dans la matrice, avec des pixels blancs (T) non revêtus de filtres colorés et répartis dans la matrice. Les pixels colorés comportent des photodiodes constituées différemment des photodiodes des pixels blancs, la constitution différente étant telle que les photodiodes des pixels colorés aient une sensibilité plus faible aux rayonnements infrarouge que les photodiodes des pixels blancs.
摘要翻译：本发明涉及彩色图像传感器。为了从良好的亮度分辨率和不会被硅对近红外辐射的敏感性而过度劣化的比色测量，本发明提出了生成包括彩色像素（R），（G），（B），涂覆的与彩色滤光片分布在矩阵中，白色像素（T）未涂覆滤色片并分布在矩阵中。彩色像素包括与白色像素的光电二极管不同的光电二极管，不同的结构使得彩色像素的光电二极管比白色像素的光电二极管具有较低的红外辐射敏感性。

5. 发明申请

WO2018141418A1 DENTAL INTRAORAL RADIOLOGICAL IMAGE SENSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018141418A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：PCT/EP2017/053047
申请日：2017-02-10
申请人： TELEDYNE E2V SEMICONDUCTORS SAS
发明人： PASCAL, Nathalie , PERENNEZ, David
IPC分类号： A61B6/14 , A61B6/00
摘要： An intra-oral dental radiological image sensor is mechanically reinforced by two front R A and rear R B mechanical reinforcing plates each inserted between a respective face of an image capture module and a respective front 20A and rear 20B shell bottom of a casing. The front reinforcing plate is a solid plate, made of material transparent to X rays, covering the photosensitive front face (scintillator) of the module, and harder than the front shell. The rear plate, less thick than the front plate, is harder than the rear shell and comprises an opening O provided to surround, without covering them, components present on the rear face of the module, under a rear shell dome.

6. 发明申请

WO2017174456A1 CAPTEUR D'IMAGE A PIXELS ACTIFS EN TECHNOLOGIE CMOS A MULTIPLICATION D'ELECTRONS 审中-公开
标题翻译：电子倍增CMOS技术中的有源像素图像传感器
公开(公告)号：WO2017174456A1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：PCT/EP2017/057683
申请日：2017-03-31
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： MAYER, Frédéric , FOURNIER, Mathieu
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14614
摘要： Dans un pixel actif CMOS incluant un étage d'amplification AMP à grilles isolées entre l'élément photosensible PH du pixel et un noeud de lecture SN associé à un circuit de conversion charge/tension, on réalise une grille intercalaire Gpiv entre les deux grilles d'accumulation G1, G2 de l'étage d'amplification avec l'une des deux grilles de transfert TR1, TR2 située l'une entre la photodiode et une grille d'accumulation G1 et l'autre entre l'autre grille d'accumulation G2 et le noeud de lecture. La grille d'accumulation adjacente G1 est incluse complètement dans la grille de transfert TR1, définissant d'un côté de la grille d'accumulation, une partie de grille entre les deux grilles d'accumulation qui est plus étroite qu'une partie principale de grille de transfert sur le côté opposé, et cette partie plus étroite forme la grille intercalaire Gpiv. De cette façon on peut régler la hauteur de barrière de la région sous la grille intercalaire qui forme une région pivot pour le basculement des charges d'une région d'accumulation à l'autre.
摘要翻译：在包含AMP扩增步骤的CMOS有源像素中，在<！ - SIPO - >的像素中，在光敏像素PH和相关联的SN读取节点之间隔离的栅格＆Agrave; 电荷电压转换电路，在放大级的两个累加栅极G1，G2与位于两个传输栅极TR1，TR2之一之间的中间栅极Gpiv被实现一个在光电二极管和累积栅格G1之间，另一个在另一个累积栅格G2和读取节点之间。相邻的累积栅格G1完全包含在传输栅格TR1中，在栅格中留下间隙。在所述蓄积网格中，所述两个蓄积网格之间的网格的一部分小于所述壁上的所述转移网格的主要部分; 相反和eacute;这个较短的部分形成中间网格Gpiv。以这种方式，可以减小形成用于倾斜堆积区域的负载的枢转区域的中间格栅下方的区域的障碍高度。另一个。

7. 发明申请

WO2017125356A1 CAPTEUR D'IMAGE MULTILINEAIRE A TRANSFERT DE CHARGES A REGLAGE DE TEMPS D'INTEGRATION 审中-公开
标题翻译：具有积分时间调整的负载传输的多线图像传感器
公开(公告)号：WO2017125356A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：PCT/EP2017/050815
申请日：2017-01-16
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： BARBIER, Frédéric , MAYER, Frédéric , FEREYRE, Pierre
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/372
CPC分类号： H01L27/14856 , H01L27/14812 , H01L27/14818 , H04N5/353 , H04N5/37206
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image TDI à transfert de charges pour l'observation d'une même ligne d'image successivement par plusieurs lignes de pixels avec une sommation des charges électriques générées par un point d'image pendant une durée de ligne (T L ) dans les pixels de même rang des différentes lignes. Selon l'invention, les pixels sont subdivisés, dans le sens du défilement, en au moins deux parties adjacentes (SUBa ij, SUB bij ), chaque partie comportant au moins une zone de stockage de charges indépendante des zones de stockage de l'autre partie mais permettant un transfert de charges de la première partie vers la deuxième, l'une des parties (SUBa ij ) étant masquée contre la lumière, et l'autre partie (SUBb ij ) n'étant pas masquée. La partie non masquée comporte une structure d'évacuation de charges qui est actionnée à un moment variable définissant un début d'intégration effective indépendant du début d'une période d'observation de la ligne d'image. On peut ainsi définir un temps d'exposition à la lumière T INT qui ne dépend pas de la vitesse de défilement relatif du capteur et de l'image, contrairement aux capteurs TDI à transfert de charge habituels où la durée d'exposition est égale à la période de ligne T L (liée à la vitesse de défilement).
摘要翻译：本发明涉及图像传感器TDI＆lt; 用于在一段时间内用一个像点产生的电荷的总和连续观察同一图像线的电荷转移。行（T ）以不同行的相同等级的像素为单位。根据本发明，像素在偏离方向上被细分为至少两个相邻部分（SUBa ij，SUB bij），每个部分具有至少一个独立于另一方的存储区域的电荷存储区域，但允许从第一方向第二方（一方（SUBa _{ij ）被屏蔽，而另一部分（SUBb _{ij ）没有被屏蔽。未掩蔽部分具有被驱动的电荷排出结构; 在图像线的观察期开始期间定义有效积分开始的可变矩。因此可以确定暴露时间。不依赖于传感器和图像的相对速度的光T INT不同于TDI传感器＆gt; 通常的电荷转移和ugrave; 暴露的持续时间是相等的; 行周期T _{L （以起始速度说谎）。}}}

8. 发明申请

WO2015063220A1 CAPTEUR D'IMAGE A BASE DE SILICIUM A DYNAMIQUE DE LECTURE AMELIOREE 审中-公开
标题翻译：基于硅的图像传感器，具有改进的阅读动力学
公开(公告)号：WO2015063220A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/EP2014/073354
申请日：2014-10-30
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： GESSET, Stéphane
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N5/355 , H04N5/243
CPC分类号： H04N5/3559 , H04N5/243 , H04N5/355 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要： Dans un capteur d'image, on modifie la capacité effective du nœud de stockage NS du pixel, qui mémorise les charges (les électrons) collectées par l'élément photosensible du pixel, grâce à une boucle de contre-réaction 100 qui agit sur l'alimentation V REFP du transistor suiveur T3 relié au nœud de stockage, de telle manière que la capacité apparente du nœud de stockage dépende du gain G L de la boucle. En modifiant le gain, on modifie la capacité du nœud de stockage et donc le facteur de conversion charge-tension qui est inversement proportionnel à cette capacité.
摘要翻译：在图像传感器中，存储由像素的感光元件收集的电荷（电子）的像素的存储节点（NS）的有效容量通过反作用回路（100）来修改，反作用回路作用于连接到存储节点的跟随晶体管T3的电源VREFP，使得存储节点的视在容量取决于环路的增益GL。修改增益可以改变存储节点的容量，从而改变与所述容量成反比的充电电压转换因子。

9. 发明申请

WO2014131849A1 SYSTÈME D'AMPLIFICATION DE SIGNAUX 审中-公开
标题翻译：信号放大系统
公开(公告)号：WO2014131849A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/EP2014/053866
申请日：2014-02-27
申请人： THALES , INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX , UNIVERSITE DE BORDEAUX , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： GARREC, Patrick , KERHERVE, Eric , CORNIC, Pascal , KEMKEMIAN, Stéphane , DEMIREL, Nejdat , MANCUSO, Yves
IPC分类号： H03F3/21 , H03F3/72
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/45089 , H03F3/72 , H03F2200/301 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2203/21109 , H03F2203/45731
摘要： Système d'amplification de signaux d'entrée caractérisé en ce qu'il comporte au moins deux moyens d'amplification différents desdits signaux d'entrée afin d'obtenir des signaux amplifiés. Il comporte aussi au moins un moyen de sommation desdits signaux amplifiés, des moyens d'activation/désactivation dynamique d'un ou plusieurs des moyens d'amplification à partir desdits signaux d'entrée.
摘要翻译：输入信号放大系统，其特征在于，它包括至少两个用于放大所述输入信号的不同装置，以获得放大的信号。它还包括用于对所述放大信号求和的至少一个装置，以及用于基于所述输入信号动态地激活/去激活一个或多个放大装置的装置。

10. 发明申请

WO2014122198A1 CAPTEUR D'IMAGE A DEFILEMENT ET SOMMATION AVEC DETECTION D'ERREURS DE DEFILEMENT 审中-公开
标题翻译：移动图像传感器，以及运动错误检测的建立
公开(公告)号：WO2014122198A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：PCT/EP2014/052294
申请日：2014-02-06
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： MAYER, Frédéric , DE MONTE, Bertrand
IPC分类号： H04N5/372 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/37206 , H04N5/23264 , H04N5/372 , H04N5/3743
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image TDI à défilement et sommation de signaux. Le capteur comporte des moyens pour détecter un décalage du capteur par rapport à l'image. La matrice de pixels est divisée dans le sens des colonnes en au moins une première et une deuxième sous-matrices (Ma, Mb). De chaque côté de chaque sous-matrice sont disposés des groupes de colonnes supplémentaires (GRa1, GRb1, GRa2, GRb2). Les décalages de position relative (Db2-Da2, Db3-Da3, etc.) de ces groupes entre la première et la deuxième sous-matrices sont différents les uns des autres et permettent de détecter un décalage relatif du capteur au cours du défilement. Plus précisément, on compare les signaux issus des groupes de colonnes de même rang associés aux deux sous-matrices. Le couple de groupes qui fournit les signaux les plus proches l'un de l'autre détermine le décalage probable du capteur par rapport à l'image : ce décalage est égal à la différence de position relative de ces deux groupes.
摘要翻译：本发明涉及TDI运动图像传感器和信号求和。传感器包括用于检测传感器相对于图像的偏移的装置。像素矩阵在列的方向上分成至少第一和第二子矩阵（Ma，Mb）。额外的列组（GRa1，GRb1，GRa2，GRb2）布置在每个子矩阵的每一侧。第一和第二子矩阵之间的所述组的相对位置（Db2-Da2，Db3-Da3等）的偏移彼此不同，并且使得能够在运动期间检测到的传感器的相对移位。具体来说，比较来自同一行的列组和与两个子矩阵相关的信号。提供彼此最近的信号的组对确定传感器相对于图像的可能的移位：所述移位等于所述两个组的相对位置的差。

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