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1. 发明申请

WO2005112092A2 CARBON-DOPED-Si OXIDE ETCH USING H2 ADDITIVE IN FLUOROCARBON ETCH CHEMISTRY 审中-公开
标题翻译：在氟化氢化学中使用H2添加剂的碳掺杂硅氧烷蚀刻
公开(公告)号：WO2005112092A2
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/US2005/016355
申请日：2005-05-09
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , GU, Binxi , DELGADINO, Gerardo , YE, Yan , CHEN, Mike, Ming, Yu
发明人： GU, Binxi , DELGADINO, Gerardo , YE, Yan , CHEN, Mike, Ming, Yu
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/0276 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76808 , H01L21/76829
摘要： Certain embodiments include an etching method (200 and 1600) including providing an etch material (210), applying a gas mixture including hydrogen (230) forming a plasma (240), and etching the etch material (250). The etch material can include a low-k dielectric material. The gas mixture can include a hydrogen gas, a hydrogen-free fluorocarbon, and a nitrogen gas, and further include one or more of a hydrofluorocarbon gas, an inert gas, and/or a carbon monoxide gas. The hydrogen gas can be a diatomic hydrogen, a hydrocarbon, a silane and/or a fluorine-free hydrogen gas, including H 2, CH 4 , C 2 H 4 , NH 3 , and/or H 2 0 gases. The hydrogen-free fluorocarbon gas can be a C X F Y gas (where x≥1 and Y≥1) and the hydrofluorocarbon gas can be a C X H Y F Z gas (where x≥1, y≥1 and z≥l). The gas mixture can be free of oxygen. Embodiments can include reduced pressures, reduced hydrogen flow rates and one or more plasma frequencies.
摘要翻译：某些实施例包括蚀刻方法（200和1600），包括提供蚀刻材料（210），施加包括形成等离子体（240）的氢（230）的气体混合物，以及蚀刻蚀刻材料（250）。蚀刻材料可以包括低k电介质材料。气体混合物可以包括氢气，无氢碳氟化合物和氮气，并且还包括氢氟烃气体，惰性气体和/或一氧化碳气体中的一种或多种。氢气可以是双原子氢，烃，硅烷和/或无氟氢气，包括H 2，CH 4，C 2 H 4，NH 3和/或H 2 O气体。无氢氟碳气体可以是CXFY气体（其中x> = 1且Y> = 1），并且氢氟烃气体可以是CXHYFZ气体（其中x> = 1，y> = 1且z> = 1）。气体混合物可以没有氧气。实施例可以包括减压，降低氢气流速和一个或多个等离子体频率。

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