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热词
    • 72. 发明申请
    • 熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換素子の製造方法
    • 热电转换材料,热电转换元件及制造热电转换元件的方法
    • WO2015050114A1
    • 2015-04-09
    • PCT/JP2014/076057
    • 2014-09-30
    • 富士フイルム株式会社
    • 加納 丈嘉
    • H01L35/22B82Y30/00B82Y40/00C01B31/02C08F290/02C08K3/04C08L55/00H01L29/06H01L35/24H01L51/00H01L51/30
    • H01L35/24B82Y30/00C08F220/68C09D5/24C09D133/14H01L35/22Y02P20/129Y02P20/13
    • (a)ナノ炭素材料と、(b)ナノ炭素材料への吸着基と、立体反発基とを有し、該吸着基と該立体反発基との間に分解性基を有する分散剤、とを含有する熱電変換材料、これを用いた熱電変換素子、及びその製造方法、並びに下記一般式(1A)で表される繰り返し単位及び下記一般式(1B)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物からなるナノ炭素材料の分散剤、及びこれを含有するナノ炭素材料分散物。 一般式(1A)において、Raは芳香族性基、脂環基、アルキル基、水酸基、チオール基、アミノ基、アンモニウム基、又はカルボキシ基を表す。Laはアセタール構造、3級アルキルエステル構造、又はペルオキシド構造を有する2価の基を表す。Rは水素原子又は炭素原子数1~4のアルキル基を表す。Xは酸素原子又は-NH-を表す。 一般式(1B)において、Rbはポリアルキレンオキシド化合物、ポリ(メタ)アクリレート化合物、ポリシロキサン化合物、ポリアクリロニトリル化合物、若しくはポリスチレン化合物から誘導される1価の基又はこれらを組み合わせた1価の基、又は炭素原子数5以上のアルキル基を表す。Lbは単結合又は2価の連結基を表す。R及びXは一般式(1A)と同義である。
    • 一种热电转换材料,其包含(a)纳米结构碳材料和(b)具有空间排斥基团的分散剂和吸附于纳米结构碳材料的基团,同时在吸附基团和空间排斥基团之间具有可分解基团 ; 使用该热电转换材料的热电转换元件; 制造该热电转换元件的方法; 由通式(1A)表示的重复单元的高分子化合物和通式(1B)表示的重复单元构成的纳米结构碳材料用分散剂。 以及含有该分散剂用于纳米结构碳材料的纳米结构碳材料分散体。 通式(1A)中,Ra表示芳香族基团,脂环族基团,烷基,羟基,硫醇基,氨基,铵基或羧基。 La表示具有缩醛结构,叔烷基酯结构或过氧化物结构的二价基团; R表示氢原子或具有1-4个碳原子的烷基; X表示氧原子或-NH-。 在通式(1B)中,Rb表示衍生自聚环氧烷化合物,聚(甲基)丙烯酸酯化合物,聚硅氧烷化合物,聚丙烯腈化合物或聚苯乙烯化合物的单价基团,通过组合这些基团获得的一价基团,或 具有5个或更多个碳原子的烷基; Lb表示单键或二价连接基团; 并且R和X如通式(1A)所定义。
    • 74. 发明申请
    • 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電発電用物品及びセンサー用電源
    • 热电转换材料,热电转换元件,热电发电设备和传感器电源
    • WO2014178284A1
    • 2014-11-06
    • PCT/JP2014/060844
    • 2014-04-16
    • 富士フイルム株式会社
    • 浜崎 亮西尾 亮丸山 陽一野村 公篤
    • H01L35/22C07C381/12C07D207/06C07D213/20C07D233/58C07D295/02C07F9/54H01L35/24H01L35/26
    • C07C381/12C07D213/04C07D213/20C07D213/22C07D213/68C07D213/74C07D215/10C07D233/58C07D235/06C07D295/037C07D333/46C07D409/04C07D409/06C07D453/02C07D487/08C07F9/5407C07F9/5442C07F9/65688H01L35/22H01L35/24H01L35/26
    •  基材上に、第1の電極、熱電変換層及び第2の電極を有する熱電変換素子であって、該熱電変換層に、ナノ導電性材料、及び下記一般式(1a)~(3b)で表される化合物から選択される少なくとも1種の化合物を含有する熱電変換素子及びこれを用いた熱電発電用物品及びセンサー用電源、及び下記一般式(1a)~(3b)で表される化合物から選択される少なくとも1種の化合物を含有する熱電変換材料。 一般式(1a)中、X - は対アニオンを表す。R 11 ~R 13 は、それぞれ独立にアルキル基又はヘテロアリール基を表す。R 12 とR 13 は互いに結合して環を形成してもよい。 一般式(1b)中、nは2又は3の整数を表す。X p- はp価の対アニオンを表し、pは1~3の整数を表す。kは1~3の整数を表す。但し、n=kpである。Lはn価の連結基又は単結合を表す。R 12 及びR 13 は、一般式(1a)と同義である。複数のR 12 及びR 13 は、同じであっても異なってもよい。 一般式(2a)中、X - は対アニオンを表す。R 21 ~R 24 は、それぞれ独立にアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。R 21 ~R 24 から選ばれる任意の2つの基は互いに結合して環を形成してもよい。 一般式(2b)中、nは2又は3の整数を表す。X p- はp価の対アニオンを表し、pは1~3の整数を表す。kは1~3の整数を表す。但し、n=kpである。Lはn価の連結基又は単結合を表す。R 22 ~R 24 は、一般式(2a)と同義である。複数のR 22 ~R 24 は、同じであっても異なってもよい。 一般式(3a)中、X - は対アニオンを表す。Aは含窒素ヘテロ環基を表す。R 31 とR 32 は、それぞれ独立にアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。R 31 はAと結合して環を形成してもよい。mは0又は1を表し、Aが含窒素芳香族ヘテロ環基の場合、mは0であり、Aが含窒素脂肪族ヘテロ環基の場合、mは1である。 一般式(3b)中、nは2又は3の整数を表す。X p- はp価の対アニオンを表し、pは1~3の整数を表す。kは1~3の整数を表す。但し、n=kpである。Lはn価の連結基又は単結合を表す。A、R 32 、mは、一般式(3a)と同義である。複数のA、R 32 は、同じであっても異なってもよい。
    • 一种热电转换元件,其在基底上具有第一电极,热电转换层和第二电极,并且其中所述热电转换层包含导电纳米材料和至少一种选自以下通式的化合物(通式 1A) - (3B); 用于热电发电的物品和用于传感器的电源,每个都使用该热电转换元件; 和含有至少一种选自通式(1a) - (3b)表示的化合物的化合物的热电转换材料。 在通式(1a)中,X-表示抗衡阴离子; R 11 -R 13各自独立地表示烷基或杂芳基; R12和R13可以相互结合形成环。 在通式(1b)中,n表示2或3的整数; Xp-表示p价抗衡阴离子; p表示1-3的整数,k表示1-3的整数,条件是n = kp; L表示n价连接基团或单键; R 12和R 13如通式(1a)所定义; 并且多个R 12和R 13可以彼此相同或不同。 在通式(2a)中,X-表示抗衡阴离子; R 21 -R 24各自独立地表示烷基,芳基或杂芳基; 并且选自R 21 -R 24中的任何两个基团可以彼此结合形成环。 在通式(2b)中,n表示2或3的整数; Xp-表示p价抗衡阴离子; p表示1-3的整数,k表示1-3的整数,条件是n = kp; L表示n价连接基团或单键; R 22 -R 24如通式(2a)所定义; 并且多个R 22 -R 24基彼此可以相同或不同。 在通式(3a)中,X-表示抗衡阴离子; A表示含氮杂环基; R 31和R 32各自独立地表示烷基,芳基或杂芳基; R31可以与A结合形成环; m表示0或1; 在A为含氮芳香族杂环基的情况下,m为0,在A为含氮脂肪族杂环基的情况下,m为1.通式(3b)中,n表示2或2的整数, 3; Xp-表示p价抗衡阴离子; p表示1-3的整数,k表示1-3的整数,条件是n = kp; L表示n价连接基团或单键; A,R 32和m如通式(3a)所定义; 并且多个A和R 32基团可以彼此相同或不同。 AA通用公式
    • 79. 发明申请
    • 量子ナノ接合トムソン素子とその製造方法
    • 具有量子纳米结构的THOMSON元件及其生产方法
    • WO2013094237A1
    • 2013-06-27
    • PCT/JP2012/063635
    • 2012-05-28
    • 渡邊隆彌
    • 渡邊隆彌
    • H01L35/32H01L35/20H01L35/22H01L35/34
    • H01L35/22H01J45/00H01L35/32
    • 太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを昼夜間連続で獲得できる量子効果を利用した2つのナノ接合トムソン素子を接続した量子ナノ接合トムソン素子を利用した冷却システムからなる量子ナノ接合トムソン素子である。この量子ナノ接合トムソン素子は、原子間力顕微鏡(AFM)法によりSi単結晶基板に集積化が可能な原子レベルの加工をするスピン量子ナノ接合トムソン素子の製造方法で作製され、その工業的価値は極めて高い。
    • 本发明涉及具有量子纳米结的Thomson元件,其包括利用具有量子纳米结的Thomson元件的冷却系统,其中具有纳米连接的两个Thomson元件被连接。 具有纳米结的两个汤姆逊元素利用量子效应,其能够与日照的平均照射能量相当的极大量的热电能量被日夜连续获取。 具有量子纳米结的Thomson元件是通过使用自旋量子纳米结的Thomson元素生成方法产生的,所述方法涉及使用原子力显微镜(AFM)与硅单晶衬底集成的原子级处理。 具有量子纳米结的Thomson元件的工业价值非常高。