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    • 41. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM MASKIEREN EINER SILIZIUMOXID HALTIGEN OBERFLÄCHE
    • 方法MASK含有硅表面
    • WO2014166706A1
    • 2014-10-16
    • PCT/EP2014/055361
    • 2014-03-18
    • ROBERT BOSCH GMBH
    • LAERMER, Franz
    • H01L21/033H01L21/308H01L21/3213
    • H01L21/0337H01L21/02164H01L21/0332H01L21/3081H01L21/31111H01L21/32139
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium, aufweisend die Verfahrensschritte: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer zu maskierenden Oberfläche, insbesondere mit einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium; und b) Erzeugen eines definierten Maskierungsmusters unter örtlich selektivem Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auf der Oberfläche Das vorbeschriebene Verfahren erlaubt es, auf einfache und kostengünstige Weise eine gegenüber einer Vielzahl von Ätzmedien, wie insbesondere gegenüber Flusssäure, äußerst stabile Maskierung zu schaffen, um so höchst genaue und definierte Strukturen etwa durch einen Ätzvorgang zu schaffen. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein elektronisches Bauteil sowie das Verwenden von kolloidalem Siliziumoxid zum örtlich selektiven Maskieren einer zu behandelnden Oberfläche.
    • 本发明涉及一种方法,用于掩蔽的表面,特别是表面,其包括氧化硅,铝或硅,包括如下步骤:a)提供具有表面的基片进行掩蔽,特别是具有包含氧化硅,铝或硅的表面上; 和b)产生由上述方法表面上局部地选择性形成胶体二氧化硅的限定掩模图案允许氢氟酸,极其稳定的掩蔽提供一种简单和廉价的方式,相对于多个蚀刻媒体,特别是,使高度精确的 创建和定义的结构,如通过蚀刻工艺。 本发明还涉及一种电子部件,以及掩蔽待处理的表面的使用胶态二氧化硅的用于局部选择。