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41. 发明申请

WO2012175331A1 VERFAHREN ZUR BEARBEITUNG VON SUBSTRATEN UND VORRICHTUNG DAZU 审中-公开
标题翻译：一种用于处理基材和设备TO
公开(公告)号：WO2012175331A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/EP2012/060580
申请日：2012-06-05
申请人： GEBR. SCHMID GMBH , SCHMID, Christian , HABERMANN, Dirk , ATTEMA, Chuck , STEWART, Tom , PROVANCHA, Kenneth
发明人： SCHMID, Christian , HABERMANN, Dirk , ATTEMA, Chuck , STEWART, Tom , PROVANCHA, Kenneth
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/45595 , C23C16/403 , C23C16/45514
摘要： Bei einem Verfahren und einer Vorrichtung zur Bearbeitung von Siliziumwafern für die Solarzellenherstellung wird eine Al 2 O 3 -Passivierungsschicht durch ein APCVD-Verfahren auf ein Substrat aufgebracht. Dieses Aufbringen erfolgt in einer Gasatmosphäre von Al-metallorganischem Precursor, H 2 O-haltigem Oxidationsmittel und N 2 . Dabei werden die Gase getrennt voneinander an das Substrat herangeführt und erst kurz vor oder bei dem Auftreffen auf das Substrat miteinander vermischt, wobei eine erste Schicht Oxidationsmittel vor dem Precursor auf das Substrat aufgebracht wird und dann noch einmal kurz nach diesem.
摘要翻译：在用于处理硅晶片的太阳能电池的制造氧化铝钝化层的方法和装置通过APCVD法涂布到基材上。本申请中的Al-有机金属前体，含H 2 O-氧化剂和N 2的气体气氛中进行。的气体彼此到基底单独地引入和仅前不久或与所述基板，其中所述前体到基底之前的第一层氧化剂后不久此再次施加，然后在碰撞期间混合在一起。

42. 发明申请

WO2012123245A3 DOOR, IN PARTICULAR FOR A REFRIGERATOR 审中-公开
标题翻译：门，特别是对于冷却装置
公开(公告)号：WO2012123245A3
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2012053306
申请日：2012-02-28
申请人： BSH BOSCH SIEMENS HAUSGERAETE , SCHMID CHRISTIAN , SPILLER RALF
发明人： SCHMID CHRISTIAN , SPILLER RALF
IPC分类号： F25D23/02
CPC分类号： F25D23/028 , A47B95/02 , E05B1/0015 , E05B17/0008
摘要： In the case of a door (2), in particular for a refrigerator (1), a handle shell (5) is integrated into a door panel (3). The handle shell (5) comprises a profiled piece (7), the end sides of which are covered by respective end caps (8, 9).
摘要翻译：在门（2），特别是一种用于制冷装置（1），一个把手（5）在门面板（3）被集成。把持板（5）由型材件（7），其在末端在每种情况下覆盖有端帽的（8,9）。

43. 发明申请

WO2012123247A3 KÄLTEGERÄTTÜR 审中-公开
公开(公告)号：WO2012123247A3
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/EP2012/053325
申请日：2012-02-28
申请人： BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERÄTE GMBH , RAAB, Alfred , SCHMID, Christian , SPILLER, Ralf
发明人： RAAB, Alfred , SCHMID, Christian , SPILLER, Ralf
IPC分类号： F25D23/02 , A47B95/04
摘要： Eine Kältegerättür (1) zum Verschließen eines Kühlraums (30) eines Kältegerätes mit einem Türblech (2) und wenigstens einer sich längs der Türabschlussleiste erstreckende Türabschlussleiste (6), die randseitig am Türblech (2) angeordnet ist, wobei die Türabschlussleiste (6) eine sich längs der Türabschlussleiste erstreckende erste Rippe (7) aufweist mit der sie in eine Nut (3) im Türblech (2) eingreift.

44. 发明申请

WO2011134738A3 REFRIGERATION APPLIANCE COMPRISING A DOOR LEAF THAT HAS A HANDLE SHELL 审中-公开
标题翻译：制冷设备，包括具有GRIFFSCHALE的小组
公开(公告)号：WO2011134738A3
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/EP2011055118
申请日：2011-04-01
申请人： BSH BOSCH SIEMENS HAUSGERAETE , RAAB ALFRED , SCHMID CHRISTIAN , SPILLER RALF
发明人： RAAB ALFRED , SCHMID CHRISTIAN , SPILLER RALF
IPC分类号： F25D23/02
CPC分类号： F25D23/085 , E05B1/0015 , F25D23/028 , F25D23/087
摘要： The invention relates to a refrigeration appliance, in particular a household refrigeration appliance, comprising a door leaf (1) that has an outer wall (2) in the front, an inner wall (4) in the rear, and at least one lateral side (3). The refrigeration appliance further comprises an intermediate insulation layer (5) and a handle shell (7) that has a recessed grip (8) which is accessible via an opening (9) in the lateral side (3). According to the invention, the opening (9) in the lateral side (3) includes a web (10) which engages with a corresponding groove (22) in the handle shell (7) in a mounted position of the handle shell (7).
摘要翻译：本发明涉及制冷装置，特别是家用冰箱，其包括：（1）具有前侧外壁门扇（2），一个后内壁（4）和至少一个侧翼（3）和一个插入的绝缘层（5）和一个手柄壳（7）有把手凹部（8），其是经由一开口接近（9）侧的侧面（3）。根据本发明，所述侧翼（3）的开口（9）包括一个网络（10），其在把手（7）的相应槽（22）接合在所述把手（7）的安装位置。

45. 发明申请

WO2012025403A3 KÄLTEGERÄT, INSBESONDERE HAUSHALTSKÄLTEGERÄT 审中-公开
公开(公告)号：WO2012025403A3
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/EP2011/063904
申请日：2011-08-12
申请人： BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERÄTE GMBH , SPAAG, Rainer , RAAB, Alfred , SCHMID, Christian
发明人： SPAAG, Rainer , RAAB, Alfred , SCHMID, Christian
IPC分类号： F25D23/02
摘要： Die Erfindung betrifft Kältegerät, insbesondere Haushaltskältegerät, mit einem Bodenteil (11) und einem am Bodenteil (11) befestigten Türlager-Gehäuseteil (19), in dem eine Lagerplatte (14) gerätefest angeordnet ist, an der eine Gerätetür anlenkbar ist. Erfindungsgemäß bildet die Lagerplatte (14), das Türlager-Gehäuseteil (19) und das Bodenteil (11) einen zumindest dreilagigen Bauteilverbund (23), der mittels zumindest eines Verbindungselements (29) zusammengefügt ist.

46. 发明申请

WO2011131443A3 TÜRBLATT, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TÜRBLATTS UND KÄLTEGERÄT MIT EINEM TÜRBLATT 审中-公开
公开(公告)号：WO2011131443A3
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/EP2011/054435
申请日：2011-03-23
申请人： BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERÄTE GMBH , SPILLER, Ralf , RAAB, Alfred , SCHMID, Christian
发明人： SPILLER, Ralf , RAAB, Alfred , SCHMID, Christian
IPC分类号： F25D23/02
摘要： Die Erfindung betrifft ein Türblatt (6, 7) für ein Kältegerät (1), aufweisend eine Außenwand (12), eine Innenwand (11), zwei Seitenwände (13), an die Seitenwände (13) angrenzende, hinter die Außenwand (12) greifende Wandungen (18a, 19a, 18b, 19b), und eine obere und eine untere Türabschlussleiste (20), die einen mit einem wärmeisolierenden Material gefüllten Hohlraum begrenzen. Eine der Wandungen (18a, 19a) erstreckt sich bis zur oberen Kante der Seitenwände (13) und die andere Wandung (18b, 19b) ist zumindest in einem Teilbereich (18d) in ihrem oberen Bereich frei geschnitten. Alternativ oder zusätzlich erstreckt sich eine der Wandungen (18a, 19a) bis zur unteren Kante der Seitenwände (13) und die andere Wandung (18b, 19b) ist zumindest in einem Teilbereich (18d) in ihrem unteren Bereich frei geschnitten.

47. 发明申请

WO2011128292A1 HERSTELLUNG VON MONOKRISTALLINEN HALBLEITERWERKSTOFFEN 审中-公开
标题翻译：制造单晶半导体材料
公开(公告)号：WO2011128292A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055626
申请日：2011-04-11
申请人： SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH , KERAT, Uwe , SCHMID, Christian , HAHN, Jochem
发明人： KERAT, Uwe , SCHMID, Christian , HAHN, Jochem
IPC分类号： B22D27/04 , C01B33/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B35/00
CPC分类号： C30B11/003 , B22D27/045 , C30B11/005 , C30B11/08 , C30B15/08 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10T117/1092
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Halbleiterwerkstoffs, bei dem ein Halbleiterwerkstoff als Ausgangsmaterial bereitgestellt wird, das Ausgangsmaterial in eine Heizzone überführt wird, in der eine Schmelze aus dem Halbleiterwerkstoff mit dem Ausgangsmaterial gespeist wird und die Schmelze aus der Heizzone abgesenkt wird und/oder die Heizzone angehoben wird, so dass sich am unteren Ende der Schmelze eine Erstarrungsfront ausbildet, entlang derer der Halbleiterwerkstoff in der gewünschten Struktur kristallisiert, wobei das Ausgangsmaterial aus dem Halbleiterwerkstoff in flüssiger Form bereitgestellt und flüssig in die Schmelze eingespeist wird. Weiterhin wird eine Anlage zur Herstellung eines monokristallinen Halbleiterwerkstoffs beschrieben, die eine Quelle für einen als Ausgangsmaterial dienenden flüssigen Halbleiterwerkstoff, Heizmittel zum Herstellen und/oder Aufrechterhalten einer Schmelze aus dem Halbleiterwerkstoff und bevorzugt auch Mittel zum kontrollierten Einspeisen des als Ausgangsmaterial dienenden flüssigen Halbleiterwerkstoffs in die Schmelze umfasst.
摘要翻译：本发明公开了用于制造单晶半导体材料，其中半导体材料作为起始材料提供了一种方法，该起始材料被转移到其中半导体材料的熔体被供给到原料和从加热区熔体的加热区被减少和/或加热区升高，使得熔融的下端，形成凝固前沿，结晶沿其被设置成从液体形式的半导体材料的起始材料在期望的图案中的半导体材料，和液体供给到该熔体中。此外，用于生产单晶半导体材料的植物进行说明，其是用于作为原料液的半导体材料的源极，加热装置，用于产生和/或维持所述半导体材料的熔液和优选地还用于在所述熔化物作为原料液半导体材料的受控供给包括。

48. 发明申请

WO2011042324A2 VERFAHREN UND ANLAGE ZUR HERSTELLUNG METALLISIERTER HALBLEITERSUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法和系统用于生产金属化的半导体衬底
公开(公告)号：WO2011042324A2
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/EP2010/064237
申请日：2010-09-27
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , SCHMID, Christian , KAPPLER, Heinz , HABERMANN, Dirk
发明人： SCHMID, Christian , KAPPLER, Heinz , HABERMANN, Dirk
IPC分类号： C25D7/12
CPC分类号： C25D7/12 , C25D17/001 , C25D21/08 , C25D21/18 , C25D21/20 , H01L21/67173 , H01L21/6723 , H01L21/6776
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung metallisierter Halbleitersubstrate, bei dem ein Substrat in ein Beschichtungsbad eingetaucht und dort vorzugsweise lichtinduziert oder lichtunterstützt beschichtet wird. Anschließend erfolgt eine Überführung des beschichteten Substrats in eine Spüleinrichtung zur Entfernung von Metallrückständen aus dem Elektrolyten. In dieser wird das Substrat einer Kaskadenspülung unterzogen. Dabei anfallendes metallhaltiges Spülmedium wird zumindest teilweise wieder in das Beschichtungsbad eingespeist. Des weiteren wird eine Anlage zur Durchführung eines solchen Verfahrens beschrieben.
摘要翻译：本发明公开了用于制造金属化的半导体衬底，其中在衬底浸渍在镀浴和，优选地，光诱导在其中或涂覆光辅助的方法。随后，在冲洗装置的转印涂布的基材发生用于从电解液中除去金属残留物。在此，一个级联漂洗衬底经受。在这种情况下，积累含金属的冲洗介质是至少部分地反馈到镀浴中。此外，描述了一种系统，用于执行这样的方法。

49. 发明申请

WO2011015548A1 ANLAGE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MONOSILAN 审中-公开
标题翻译：系统和方法的甲硅烷
公开(公告)号：WO2011015548A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/EP2010/061199
申请日：2010-08-02
申请人： SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH , PETRIK, Adolf , HAHN, Jochem , SCHMID, Christian
发明人： PETRIK, Adolf , HAHN, Jochem , SCHMID, Christian
IPC分类号： B01D3/00 , C01B33/04
CPC分类号： B01D3/009 , C01B33/043 , Y02P20/127
摘要： Beschrieben werden eine Anlage und ein Verfahren zur Herstellung von Monosilan (SiH 4 ) durch katalytische Disproportionierung von Trichlorsilan (SiHCI 3 ). Das Trichlorsilan wird in einer Reaktionskolonne (100) an einem Katalysator umgesetzt und anschließend in einer Rektifikationskolonne (109) aufgereinigt. Zwischen einem reaktiv/destillativen Reaktionsbereich (104; 105) in der Reaktionskolonne (100) und der Rektifikationskolonne (109) sind ein oder mehrere Kondensatoren (103) angeordnet, in denen monosilanhaltiges Reaktionsprodukt aus der Reaktionskolonne (100) teilkondensiert wird. Dabei handelt es sich jedoch ausschließlich um Kondensatoren, die bei einer Temperatur oberhalb von - 40 °C betrieben werden.
摘要翻译：描述了一种通过三氯硅烷（SiHCI3）的催化歧化制备甲硅烷（的SiH 4）的和植物的方法。三氯硅烷在反应塔（100）的催化剂反应，然后在一个精馏塔（109）纯化。一反应/蒸馏反应区（104; 105）之间在反应塔（100）和精馏塔（109）被布置一个或多个电容器（103），其中甲硅烷反应产物从反应塔（100）被部分冷凝。然而，这是仅仅在高于温度电容器 - 40℃进行操作。

50. 发明申请

WO2009121558A2 METHOD AND SYSTEM FOR THE PRODUCTION OF PURE SILICON 审中-公开
标题翻译：方法和系统用于生产高纯硅
公开(公告)号：WO2009121558A2
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/EP2009002336
申请日：2009-03-31
申请人： SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH , SCHMID CHRISTIAN , PETRIK ADOLF , HAHN JOCHEM
发明人： SCHMID CHRISTIAN , PETRIK ADOLF , HAHN JOCHEM
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/04 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/035 , C01B33/029 , C01B33/043 , C01B33/10763 , C01B33/10773 , Y02P20/127
摘要： The invention relates to a method for the production of ultrapure silicon, comprising the sections (1) of the production of trichlorosilane, (2) the production of monosilane by disproportioning the trichlorosilane produced in section (1), and (3) the thermal decomposition of the monosilane produced in this manner, wherein silicon is reacted with hydrogen chloride in section (1) in at least one hydrochlorinating process for the production of the trichlorosilane, and simultaneously therewith silicon tetrachloride forming as a by-product in a conversion process is reacted with silicon and hydrogen in section (2). Furthermore, a system therefor comprises a production unit (1) for the production of trichlorosilane, a further unit (2) for the production of monosilane, and a unit (3) for the thermal decomposition of the monosilane produced, a unit (1) having at least one hydrochlorinating reactor, at least one conversion rector, at least one collection container for reaction mixture containing trichlorosilane, and at least one separating device, a unit (2) having at least one disproportioning reactor and at least one separating device, and a unit (3) having at least one decomposition reactor for monosilane, wherein unit (2) is connected to unit (1) by way of at least one return line, by way of which the silicon tetrachloride forming in unit (2) can be fed into the at least one conversion reaction in unit (1).
摘要翻译：一种用于制造高纯度硅的方法包括的部分（1）三氯硅烷的制备，（2）生产的甲硅烷的由在第（1）三氯硅烷产生的歧化，和（3）在这种方式生产的甲硅烷，其中用于生产三氯硅烷的热分解在用氯化氢和平行硅中的至少一个氢氯化反应是在部分（1）至第（2）硅的四氯化硅和氢在至少一个转换过程积累作为副产物。此外，系统为此，其包括生产单元（1）用于生产三氯硅烷，另一单元（2）用于生产甲硅烷和（3）单硅烷的热分解，单元（1）具有至少一个氢氯化反应器中制备，至少一个单元转化反应器中，为三氯硅烷的反应混合物的至少一个收集容器和至少一个分离器单元（2）具有至少一个歧化反应器和至少一个分离装置，和单元（3）具有用于单硅烷的至少一种分解反应器中，所述单元（2）与单元（1）经由至少返回管线经由（1）可被供给四氯化硅中的所述至少一个变换反应器在单元的积累在单元（2）连接。

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