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41. 发明申请

WO2007055209A1 積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム审中-公开
标题翻译：用于制造层压引线框架和层压引线框架的方法
公开(公告)号：WO2007055209A1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/JP2006/322196
申请日：2006-11-07
申请人：株式会社三井ハイテック , 松永清 , 三村真也 , 塩山隆雄
发明人：松永清 , 三村真也 , 塩山隆雄
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L23/49537 , H01L21/4842 , H01L2924/0002 , Y10T29/49117 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
摘要：　積層する各リードフレーム単板を比較的小さな荷重でしかも確実に接合できる積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレームであって、それぞれ所定の形状加工がなされたリードフレーム単板１０、１２を複数枚積層かつ接合して形成する積層リードフレームの製造方法において、上下対となるリードフレーム単板１０、１１の対向する面のいずれか一方に複数の凸部１２を形成し、凸部１２を介して対向するリードフレーム単板１１、１２を接合する。
摘要翻译：一种叠层引线框架的制造方法，其中要层叠的每个引线框架单元板可以以相对较小的载荷牢固地接合。还提供了层压引线框架。在通过层压和接合经受预定成形的多个引线框架单元板（10,12）制造引线框架的方法中，在一对上部和下部的一个相对表面中的一个上形成有多个突起（12）下引线框架单元板（10,11）和相对的引线框架单元板（11,12）通过突起（12）结合在一起。

42. 发明申请

WO2007049626A1 カベルゴリン含有経口固形製剤审中-公开
标题翻译：口服固体制剂含有卡波胶
公开(公告)号：WO2007049626A1
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/JP2006/321202
申请日：2006-10-25
申请人：キッセイ薬品工業株式会社 , 金田健 , 武田泰浩 , 三村和樹
发明人：金田健 , 武田泰浩 , 三村和樹
IPC分类号： A61K31/48 , A61K9/20 , A61K47/10 , A61K47/14 , A61K47/18 , A61K47/26 , A61K47/32 , A61K47/36 , A61K47/38 , A61K47/44 , A61P15/08 , A61P15/14 , A61P25/16
CPC分类号： A61K9/2018 , A61K9/2027 , A61K31/48
摘要：　良好な保存安定性を有するカベルゴリン含有経口固形製剤であって、ａ）有効成分としてカベルゴリン、ｂ）糖および／または糖アルコール、およびｃ）疎水性物質を含有してなり、溶媒を使用しないか、または、溶媒とカベルゴリンとが実質的に接触することなく調製されることを特徴とする経口固形製剤。本発明の経口固形製剤は、ａ）カベルゴリン、ｂ）糖および／または糖アルコール、およびｃ）疎水性物質を乾式混合または乾式造粒することにより製造することができる。
摘要翻译：一种口服固体制剂，其是含有卡麦角林的口服固体制剂，具有良好的储存稳定性，其特征在于其含有a）卡麦角林作为活性成分，b）糖和/或糖醇，和c）疏水性物质，并且是制备而不使用溶剂或基本上不使卡麦角林与溶剂接触。本发明的口服固体制剂可以通过干燥混合或干法制粒a）卡麦角林，b）糖和/或糖醇，和c）疏水性物质来制备。

43. 发明申请

WO2007046150A1 フィン型半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译： FIN型半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007046150A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/JP2005/019388
申请日：2005-10-21
申请人：富士通株式会社 , 三村▲高▼志
发明人：三村▲高▼志
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/66818 , H01L29/66848 , H01L29/7843 , H01L29/78687 , H01L29/812
摘要：　支持基板の上に、チャネル構造体が形成されている。チャネル構造体は、厚さ方向が支持基板の表面と平行な姿勢で配置され、半導体材料で形成されたフィン状のコア部材と、コア部材とは異なる半導体材料からなり、コア部材の２つの側面を覆う第１の半導体膜とを含む。チャネル構造体の一部の領域の両側にゲート電極が配置されている。ゲート電極は、チャネル構造体の側面にショットキ接触するか、またはチャネル構造体の側面にゲート絶縁膜を介して対向する。チャネル構造体のうち、ゲート電極に挟まれた領域の両側に、ソース及びドレイン領域が形成されている。ゲート電極で挟まれた領域のコア部材が歪を有する。
摘要翻译：沟道结构形成在支撑基板上。通道结构以厚度方向平行于支撑基板的表面的姿势布置。通道结构由半导体材料形成的翅片状芯体和与芯构件不同的半导体材料构成，并且包括用于覆盖芯构件的两个侧面的第一半导体膜。栅极电极布置在通道结构内的区域的两侧。栅电极与沟道结构的侧面肖特基接触，或者通过栅极绝缘膜面对沟道结构的侧面。在沟道结构中，在与栅电极夹着的区域的两侧形成源区和漏区。夹在栅电极的区域中的芯构件具有变形。

44. 发明申请

WO2007036998A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007036998A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2005/017839
申请日：2005-09-28
申请人：富士通株式会社 , 三村▲高▼志 , 山田敦史
发明人：三村▲高▼志 , 山田敦史
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L29/165 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/7848 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　少なくとも表層部がＳｉで形成された支持基板の上に、ＳｉＧｅからなる第１の膜が形成されている。その一部の領域上にゲート電極が形成され、その両側の支持基板の表層部に、ソース領域及びドレイン領域が形成されている。ゲート電極、ソース領域及びドレイン領域が、第１の電界効果トランジスタを構成する。第１の電界効果トランジスタのゲート電極の両側の第１の膜の上に、圧縮応力または引張応力が内在している第１のストレッサが形成されている。第１のストレッサにより、チャネル領域に歪が生じる。
摘要翻译：包含SiGe的第一膜形成在支撑基板上，至少其表面层部分由Si形成。栅电极形成在第一膜的区域的一部分上，并且在栅电极的两侧的支撑基板的表层部分中形成源区和漏区。栅极电极，源极区域和漏极区域构成第一场效应晶体管。在第一场效应晶体管的栅极的两侧的第一膜上形成有压缩应力或拉伸应力累积的第一应力器。通过第一应激源在通道区域中产生应变。

45. 发明申请

WO2007023873A1 焼入れ性、熱間加工性および疲労強度に優れた高強度厚肉電縫溶接鋼管およびその製造方法审中-公开
标题翻译：高强度，厚度可焊性优良的钢管，淬火性好，成型加工性和耐疲劳强度及其制造方法
公开(公告)号：WO2007023873A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/316539
申请日：2006-08-17
申请人：新日本製鐵株式会社 , 石塚哲夫 , 三村裕幸 , 小弓場基文 , 高杉直樹 , 市山貴博
发明人：石塚哲夫 , 三村裕幸 , 小弓場基文 , 高杉直樹 , 市山貴博
IPC分类号： C22C38/00 , C22C38/14 , C22C38/54 , C21D8/10 , B60G21/055
CPC分类号： C21D8/10 , B60G21/055 , B60G2206/427 , B60G2206/8201 , C21D6/004 , C21D8/105 , C21D9/08 , C21D9/14 , C21D9/50 , C21D2211/008 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/08 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/22 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/32
摘要：本発明は、焼入れ性、熱間加工性および疲労強度に優れた高強度厚肉電縫溶接鋼管およびその製造方法を提供するものであり、質量％で、Ｃ：０．２５～０．４％、Ｓｉ：０．０１～０．５０％、Ｍｎ：０．８～１．５％、Ｐ：０．０５％以下、Ｓ：０．０５％以下、Ａｌ：０．０５％以下、Ｔｉ：０．００５～０．０５％、Ｂ：０．０００５～０．０１％、Ｎ：０．００１～０．００５％を含有し、　残部がＦｅ及び不可避的不純物からなり、式＜１＞で表される臨界冷却速度Ｖｃが３０℃／ｓ未満であり、肉厚ｔと外径Ｄの比であるｔ／Ｄが０．１５超～０．３０の範囲である厚肉電縫溶接鋼管。　　ｌｏｇＶｃ＝２．９４−０．７５β　　　　　・・・＜１＞　　ただし、β＝２．７Ｃ＋０．４Ｓｉ＋Ｍｎ
摘要翻译：公开了淬火性，热成型加工性和疲劳强度优异的高强度，厚电阻焊钢管。还公开了一种钢管的制造方法。一种厚电阻焊钢管，其组成如下：C：0.25-0.4％; Si：0.01-0.50％; Mn：0.8-1.5％ p：0.05％以下; S：0.05％以下; Al：0.05％以下; Ti：0.005〜0.05％ B：0.0005-0.01％; 和N：0.001-0.005％，余量包含Fe和不可避免的杂质，具有小于30℃/ s的由式<1表示的临界冷却速率（Vc），并且厚度比（t）至超过0.15且高达0.30的范围内的外径（D）（t / D）：logVc =2.94-0.75ß<1其中ß= 2.7C + 0.4Si + Mn。

46. 发明申请

WO2006121012A1 パルス変調型送信装置およびパルス変調型受信装置审中-公开
标题翻译：脉冲调制型发射器装置和脉冲调制型接收器装置
公开(公告)号：WO2006121012A1
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：PCT/JP2006/309258
申请日：2006-05-08
申请人：松下電器産業株式会社 , 藤田卓 , 三村政博 , 高橋和晃 , 國枝賢徳 , 植木紀行
发明人：藤田卓 , 三村政博 , 高橋和晃 , 國枝賢徳 , 植木紀行
IPC分类号： H04L7/08 , H04J13/00 , H04L7/00 , H04L25/49
CPC分类号： H04J3/0605 , H04B1/7183 , H04L25/4902
摘要：短時間での同期確立と、同期部の低消費電力化の両立を実現し、通信開始より速やかにデータの授受ができる高速データ伝送が可能な低消費電力のパルス変調型送信装置およびパルス変調型受信装置を提供することを目的とする。別送されたＲＦフレーム同期用信号（１００５）を基に生成した第１のテンプレート信号（１００６）を用いてフレーム同期用信号（１００９）を生成し、第２のフレーム同期用タイミング調整部（１５０）にて、フレーム同期用信号（１００９）を受信ＲＦデータ信号（１００４）に同期させ同期検波することで、敏速にパルス捕捉及びパルス位相捕捉を実現する。また、フレーム同期確立後は、テンプレート切替え部（１４２）により、第１のテンプレート信号（１００６）から事前に第１のテンプレート信号（１００６）に同期させておいた第２のテンプレート信号（１００７）に切替えて同期検波を行うことによりフレーム同期保持を行う。
摘要翻译：一种脉冲调制型发送装置和脉冲调制型接收装置，其特征在于可以同时实现同步部分的快速同步建立和低功耗，其中数据发送/接收可以在开始后立即执行通信，进一步实现快速数据传输和低功耗。使用基于单独发送的RF帧同步信号（1005）生成的第一模板信号（1006）来生成帧同步信号（1009），并且使用第二帧同步定时调整部（150）使帧同步信号（1009）与接收的RF数据信号（1004）同步。然后，执行同步检测，从而可以实现提示脉冲获取和提示脉冲相位采集。在帧同步建立之后，使用模板切换部分（142）从第一模板信号（1006）切换到已经与第一模板信号（1006）同步的第二模板信号（1007）。然后，进行同步检测，由此能够维持帧同步。

47. 发明申请

WO2006106718A1 インパルス波形生成装置および高周波パルス波形生成装置审中-公开
标题翻译：脉冲波形发生装置和高频波形波形发生装置
公开(公告)号：WO2006106718A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/306441
申请日：2006-03-29
申请人：松下電器産業株式会社 , 三村政博 , 高橋和晃 , 藤田卓
发明人：三村政博 , 高橋和晃 , 藤田卓
IPC分类号： H03K7/02 , H03H11/26 , H03K3/02
CPC分类号： H03K7/02
摘要：　インパルス波形生成装置は、タイミング信号から複数の遅延パルス信号を生成する多段遅延パルス信号生成部と、遅延パルス信号よりインパルス波形信号の周波数成分を示す信号源信号を生成する信号源信号生成部と、遅延パルス信号よりインパルス波形信号の振幅成分を示す包絡線形成信号を生成する包絡線形成信号生成部と、信号源信号と包絡線形成信号とを乗算し、所定のインパルス波形信号を生成するミキサ部とを備える。このインパルス波形生成装置は、タイミング信号からインパルス波形信号を生成する。そのため、回路構成にデジタルアナログ変換器を必要とせず、素子の動作周波数を低くでき、消費電力を少なくできる。
摘要翻译：脉冲波形发生装置包括：多级延迟脉冲信号产生部分，用于从定时信号产生多个延迟脉冲信号; 信号源信号产生部分，用于从延迟脉冲信号产生指示脉冲波形信号的频率分量的信号源信号; 包络形成信号生成部，用于从所述延迟脉冲信号生成表示所述脉冲波形信号的振幅分量的包络信号; 以及用于将信号源信号乘以包络形成信号以产生预定脉冲波形信号的混频器部分。脉冲波形生成装置根据定时信号生成脉冲波形信号。因此，该电路装置不需要数模转换器，可以降低各元件的工作频率，能够降低功耗。

48. 发明申请

WO2006051735A1 変調回路、および、それを用いた送信装置、受信装置、および通信システム审中-公开
标题翻译：调制电路，使用它的发送装置，接收装置和通信系统
公开(公告)号：WO2006051735A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020273
申请日：2005-11-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 三村政博 , 高橋和晃 , 藤田卓 , 國枝賢徳 , 植木紀行
发明人：三村政博 , 高橋和晃 , 藤田卓 , 國枝賢徳 , 植木紀行
IPC分类号： H03K7/04 , H04L25/49
CPC分类号： H04B1/7174 , H03K7/04 , H04B1/71635 , H04B1/71637 , H04B1/7176 , H04L25/4902 , H04L27/0004
摘要：　簡易な構成で伝送情報量の増大を実現する変調回路と、極短ウェーブレットでも所望の波形を容易に生成できる送信装置と、ウェーブレット間隔が狭くてもウェーブレット分離が容易な受信装置と、通信システムとが開示されている。この変調回路は、クロック発生部と、送信信号発生部と、制御信号発生部と、遅延部と、ウェーブレット発生部とを含む。クロック発生部は、予め決められた既定時間間隔Ｔｐでクロック信号を発生する。送信信号発生部は、既定時間間隔Ｔｐで送信信号を発生する。制御信号発生部は、クロック信号に基づき、予め決められた長さの制御信号を出力する。遅延部は、制御信号を送信信号に基づいた遅延量だけ遅延させた遅延信号として発生する。ウェーブレット発生部は、遅延信号の発生タイミングにおいてウェーブレットを発生させる。
摘要翻译：一种调制电路，其通过使用简单的结构来配置，以便增加要发送的信息量。即使对于任何非常短的小波也能够容易地产生期望的波形的发送装置。即使小波的间隔窄，也能容易地分离小波的接收装置。通讯系统调制电路包括时钟产生部分，传输信号产生部分，控制信号产生部分，延迟部分和小波发生部分。时钟产生部分以预定的时间间隔（Tp）产生时钟信号。传输信号产生部分以预定的时间间隔（Tp）产生传输信号。控制信号产生部分基于时钟信号输出预定持续时间的控制信号。延迟部分产生作为延迟信号的控制信号，该延迟信号已经基于传输信号被延迟延迟量。小波生成部在延迟信号的产生定时产生小波。

49. 发明申请

WO2006049313A1 複合三角錐型キューブコーナー再帰反射シートおよび再帰反射物体审中-公开
标题翻译：复合三角形PYRAMID型CEAE CORRER RETROREFLECTION SHEET和RETROREFLECTION OBJECT
公开(公告)号：WO2006049313A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/020493
申请日：2005-11-02
申请人：日本カーバイド工業株式会社 , 三村育夫
发明人：三村育夫
IPC分类号： G02B5/124 , E01F9/015
CPC分类号： G02B5/124
摘要：断面が実質的に対称形の3方向のV字状平行溝群が互いに交叉することにより3つの互いに略直角に交叉する書面によって区切られた少なくとも2個以上の副再帰反射素子の群が共通する副平面(SH-SH')上の一方の側に突出するように最密充填状に配置されており、該副反射素子群が主平面(S-S')上に配置された断面が実質的に対称形の3方向のV字状平行溝群が互いに交叉することにより3つの互いに略直角に交叉する側面によって区切られた1個の主再帰反射素子の上に配置されてなる複合キューブコーナー再帰反射素子の採用。
摘要翻译：一种复合立体角回射元件，包括至少两组副回射元件，所述至少两组副回射元件由三个相互交叉并且具有大致对称部分的三维V形平行槽组组成的三个侧面以几乎成直角交叉地分开，并且以最密集填充的状态设置成在共同的副面（SH-SH'）上朝向一侧突出，其中副回射元件组设置在被三个侧面分割的一个主回射元件上通过设置在主平面（S-S'）上的相互交叉且具有大致对称部分的三维V形平行凹槽组以几乎成直角相交。

50. 发明申请

WO2006043321A1 アプリケーション管理プログラム、アプリケーション管理方法、およびアプリケーション管理装置审中-公开
标题翻译：应用管理程序，应用管理方法和应用管理设备
公开(公告)号：WO2006043321A1
公开(公告)日：2006-04-27
申请号：PCT/JP2004/015526
申请日：2004-10-20
申请人：富士通株式会社 , 三村敏広 , 野崎英樹 , 千葉修一 , 早川英雄
发明人：三村敏広 , 野崎英樹 , 千葉修一 , 早川英雄
IPC分类号： G06F9/48
CPC分类号： G06F9/5038 , G06F9/5055 , G06F9/5072 , G06F2209/5011 , H04L41/5045 , H04L41/5054
摘要：　多階層アプリケーションの関連性を考慮したサーバコンピュータの起動制御を行うことができる。　サービスの提供開始要求が入力されると、選択手段（２）により、サーバ定義情報（１）が参照され、処理の依頼関係に基づいて予め定義されたアプリケーションの起動順に従って、アプリケーションの起動処理を行うべき起動対象サーバコンピュータが選択される。次に、確認手段（４）により、ステータス情報（３）が参照され、選択手段（２）で選択された起動対象サーバコンピュータに配置されたアプリケーションより先に起動すべき関連アプリケーションが正しく起動されたことが確認される。そして、関連アプリケーションが正しく起動されていることが確認された場合、起動制御手段（５）により、起動対象サーバコンピュータに対してアプリケーションの起動が指示され、起動に成功したか否かがステータス情報（３）に登録される。
摘要翻译：可以通过考虑多层应用程序之间的关系来执行服务器计算机启动控制。当提供服务提供启动请求时，选择装置（2）参照服务器定义信息（1），并根据处理请求关系，根据预先定义的应用开始顺序选择要启动的服务器计算机进行应用开始处理。接下来，检查装置（4）参考状态信息（3），并且检查在由选择装置（2）启动和选择的布置在服务器计算机中的应用程序之前要启动的相关应用是否已经被正确地启动。当确认相关应用程序已经被正确地启动时，启动控制装置（5）指示服务器计算机启动的应用开始，关于开始成功的信息被登记在状态信息（3）中。

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