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31. 发明申请

WO2011159001A1 나노 패턴이 형성된 전하 포획층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：包括纳米图案中的电荷捕获层的非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011159001A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/KR2010/008324
申请日：2010-11-24
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 안호명
发明人： 김태근 , 안호명
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L29/66833
摘要： 본 발명은 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 종래 기술의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자가 점점 소형화됨에 따라서 전하 포획층에서 포획되는 전하의 양이 감소하고, 이로 인해서 메모리 소자의 프로그램 상태 및 프로그램 소거 상태를 인지하는 메모리 윈도우 마진을 확보하기 어려운 문제점을 해소하기 위해서, 전하 포획층 중 주로 전하가 포획되는 영역인 전하 포획층과 블로킹 절연막의 접합면에 요철 패턴과 같은 나노 패턴을 형성하였다. 본 발명은 별도의 복잡한 공정의 추가없이, 기존의 SONOS 공정에서 나노 패턴을 형성하는 공정만을 추가함으로써, 전하 포획층 중 전하가 포획되는 영역인 블로킹 절연막과의 계면을 확장하여, 단위 길이당 전하가 포획되는 영역을 증가시킬 수 있게 되었고, 이로 인해, 45nm 이하의 초소형 메모리 소자에서도 큰 메모리 윈도우 마진을 확보할 수 있게 됨으로써, 보다 신뢰성있는 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及SONOS非易失性存储器件及其制造方法。为了解决现有技术中较小的SONOS非易失性存储器件的问题，例如，电荷量的减少被俘获在电荷俘获层中，这导致难以确保用于识别程序条件的存储器窗口余量存储器件和程序擦除条件，在电荷俘获层和阻挡绝缘膜之间的接合表面上形成诸如凹凸图案的纳米图案，其中电荷主要在电荷俘获层的其它区域中被困。本发明仅对常规SONOS工艺增加纳米图案形成工艺，而不涉及单独的附加复杂工艺，以扩大电荷捕获层和阻挡绝缘膜之间的界面，其对应于电荷被俘获在电荷俘获层的其他区域中。因此，可以增加每单位长度的电荷捕获面积，并且因此即使在不大于45nm的超小型存储器件中也能够确保足够大的存储窗边缘，从而提供具有较高的非易失性存储器件可靠性。

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