专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明申请

WO2005096388A1 CIRCUIT INTEGRE AVEC DIODE DE LECTURE DE TRES PETITES DIMENSIONS 审中-公开
标题翻译：集成电路与非常小尺寸的读取二极管
公开(公告)号：WO2005096388A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/EP2005/050740
申请日：2005-02-21
申请人： ATMEL GRENOBLE , BLANCHARD, Pierre
发明人： BLANCHARD, Pierre
IPC分类号： H01L29/768
CPC分类号： H01L29/76816
摘要： L'invention concerne les circuits intégrés comportant à la fois des électrodes conductrices déposées au-dessus d'un substrat semiconducteur et une diode formée entre deux électrodes. Pour aboutir à une diode de très petite dimension, on procède de la manière suivante : réalisation des électrodes (ELn, GRST), puis oxydation thermique des électrodes puis mise à nu de la surface du substrat entre les électrodes, puis les opérations suivantes : a) dépôt de silicium polycristallin dopé pour former un pôle (42) de la diode, le substrat formant l'autre pôle, b) délimitation d'un motif de silicium (14) désiré, recouvrant l'espace laissé entre les électrodes et recouvrant également une région située hors de cet espace ; c) dépôt d'une couche isolante (18), gravure locale d'une ouverture dans cette couche isolante au-dessus du silicium polycristallin hors de l'espace situé entre les électrodes, pour former une zone de contact déportée, dépôt d'une couche métallique et gravure de la couche métallique. L'application principale envisagée est la diode de lecture d'un registre de lecture de type CCD.
摘要翻译：本发明涉及设置在半导体衬底之上的导电集成电路和形成在两个电极之间的二极管。为了获得非常小尺寸的二极管，进行以下步骤：电极（ELn，GRST）的制造，电极的热氧化，然后电极之间的基板露出，然后进行以下操作：a ）沉积掺杂的多晶硅以便形成二极管的极（42），其中所述衬底形成另一极; b）限定覆盖留在电极之间的空间并且还覆盖位于所述空间外部的区域的期望的硅图案（14）; c）沉积绝缘层（18），在位于电极之间的空间之外的多晶硅上方的绝缘层中进行局部蚀刻，以形成位移接触区域，沉积金属涂层和蚀刻金属涂层。本发明的主要应用是用于CCD型读取寄存器的读取二极管。

22. 发明申请

WO2003107661A1 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像方法および撮像装置审中-公开
标题翻译：固态成像装置，用于驱动固态成像装置的方法，成像方法和图像
公开(公告)号：WO2003107661A1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/JP2003/007496
申请日：2003-06-12
申请人：ソニー株式会社 , 遠山隆之
发明人：遠山隆之
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14831 , H04N5/335 , H04N5/3728 , H04N5/378
摘要：本発明はスキャニング読出方式のCCD固体撮像素子と駆動方法、並びに撮像方法及び撮像装置に関し、特に少ない配線数で、複数の垂直CCD列を1つの電荷検出部に割り当てることができるようにする。本発明は、1つの電荷検出部に対して、隣接した複数列分の垂直CCDを割り当てる。さらに、垂直CCD列と電圧検出部との間の電圧転送の段階を違える、電極配置を工夫する、あるいは駆動タイミングを調整する。そして、隣接する複数の垂直CCD列について、感光部で得た水平列の方向における同一位置の水平電荷を電荷検出部に到達させるときの電荷転送の位相を異なるようにする。
摘要翻译：扫描读取型的CCD固态成像装置，其驱动方法，成像方法和成像器。可以将垂直CCD列分配给具有特别少数导线的一个电荷检测部分。相邻垂直CCD列被分配给一个电荷检测部分。垂直CCD列和电压检测部之间的电压传送的级数变化，电极的布置被设计或者调整驱动时序。当在感光部分中产生的在水平行方向上的相同位置的水平电荷到达电荷检测部分时，相邻的垂直CCD列中的电荷转移相位彼此不同。

23. 发明申请

WO02058157A2 SOLID STATE IMAGER ARRANGEMENTS 审中-公开
标题翻译：固态成像装置
公开(公告)号：WO02058157A2
公开(公告)日：2002-07-25
申请号：PCT/GB2002/000138
申请日：2002-01-14
IPC分类号： H01L27/148 , H01L29/768 , H04N5/372
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14806 , H04N5/37213
摘要： In a CCD imager, charge representative of incident radiation is clocked from an image area (2) via a store section (3) to an output register (4). The signal charge is clocked from the output register (4) to a multiplication register (5) to give charge multiplication. Excess charge developed at the multiplication register (5) is transferred into an additional register (7) which is clocked in synchronism with the multiplication register (5). The outputs of the registers are combined at (13) and applied to a charge detector (6). The provision of the additional register (7) increases the dynamic range capability of the CCD imager.
摘要翻译：在CCD成像器中，代表入射辐射的电荷经由存储部分（3）从图像区域（2）计时到输出寄存器（4）。信号电荷从输出寄存器（4）计时到乘法寄存器（5），以进行电荷倍增。在乘法寄存器（5）中产生的过量电荷被传送到与倍增寄存器（5）同步的附加寄存器（7）中。寄存器的输出在（13）处组合并应用于电荷检测器（6）。附加寄存器（7）的提供增加了CCD成像器的动态范围能力。

24. 发明申请

WO01063676A1 CHARGE-COUPLED DEVICE AS WELL AS A SOLID-STATE IMAGE PICK-UP DEVICE COMPRISING A CHARGE-COUPLED DEVICE 审中-公开
标题翻译：充电耦合器件作为包含充电耦合器件的固态图像拾取器件
公开(公告)号：WO01063676A1
公开(公告)日：2001-08-30
申请号：PCT/EP2001/001232
申请日：2001-02-05
IPC分类号： H01L27/148 , H01L29/768
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14806
摘要： In general, the output of a buried channel CCD is provided with a floating diffusion (4), which forms a storage site to determine the size of an electric charge. For this purpose, the floating diffusion may be connected to the input of an amplifier, such as a source follower (8). The charge is transferred to the floating zone from below an output gate OG to which a DC voltage is applied. To obtain a high sensitivity, i.e. a high voltage per electron, it is important to keep the capacitance of the floating zone as small as possible. The capacitance can be reduced by narrowing the channel at the output. This method of reducing C, however, is limited in known structures because this shape of the channel may induce an electric field in the channel which counteracts the transfer to the floating zone. To suppress this effect, the gate oxide (5) below the output gate is provided with a thicker part (5b) adjoining the floating diffusion (4). By virtue thereof, an additional field is induced below the output gate, which enhances the transfer of charge to the floating zone. This enables the channel to be narrowed, resulting in a low floating-zone capacitance, without decreasing the transfer efficiency. Said capacitance is reduced further by the thick oxide, which leads to a small capacitance between the floating zone and the output gate.
摘要翻译：通常，掩埋通道CCD的输出具有浮动扩散（4），其形成存储位置以确定电荷的大小。为此，浮动扩散可以连接到诸如源极跟随器（8）的放大器的输入。从施加有直流电压的输出栅极OG的下方将电荷转移到浮动区域。为了获得高灵敏度，即每个电子的高电压，重要的是保持浮动区域的电容尽可能小。可以通过使输出端的通道变窄来减小电容。然而，这种减小C的方法在已知的结构中是有限的，因为该通道的形状可以在通道中引起抵消到浮动区的传递的电场。为了抑制这种效果，输出门下方的栅极氧化物（5）设置有与浮动扩散（4）相邻的较厚部分（5b）。由此，在输出门下方引入附加场，这增强了电荷向浮动区的转移。这使得通道变窄，导致低浮动电容，而不降低传输效率。所述电容被厚氧化物进一步减小，这导致浮动区和输出栅之间的小电容。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式