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11. 发明申请

WO2013111474A1 マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：微波排放机理，微波等离子体源和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2013111474A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/JP2012/082496
申请日：2012-12-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田　太郎 , 宮下　大幸 , 長田　勇輝 , 藤野　豊 , 小松　智仁
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
摘要：　マイクロ波放射機構（４３）は、マイクロ波を伝送する伝送路（４４）と、マイクロ波伝送路（４４）を伝送されてきたマイクロ波をチャンバ（１）内に放射するアンテナ部（４５）とを有し、アンテナ部（４５）は、マイクロ波を放射するスロット（１３１）が形成されたアンテナ（８１）と、アンテナ（８１）から放射されたマイクロ波を透過させ、その表面に表面波が形成される誘電体部材（１１０ｂ）とを有し、かつ、少なくともスロット（１３１）内壁および誘電体部材（１１０ｂ）の表面および内部を含む、表面電流および変位電流が流れる閉回路（Ｃ）を有し、閉回路（Ｃ）の長さが、マイクロ波の波長をλ ０とした場合に、ｎλ ０ ±δ（ｎは正の整数、δは微調整成分（０を含む）である）となるようにする。
摘要翻译：微波发射机构（43）包括：传输微波的传输路径（44）; 以及发射在微波传输路径（44）上传输的微波的天线部分（45），所述微波在腔室（1）内发射。天线部分（45）包括天线（81），电介质部件（110b）和闭合电路（C）。在所述天线（81）中形成发射微波的时隙（131）。所述电介质构件（110b）被从天线（81）发射的微波穿透; 并在其表面形成有表面波。所述闭合回路（C）中的表面电流和位移电流流至少包含：所述槽（131）的内壁; 以及电介质构件（110b）的表面和内部。闭合电路（C）的长度为nλ0±δ（其中n为正整数，Δ为微调组件（可为0）），当微波的波长为λ0时。

12. 发明申请

WO2013105358A1 表面波プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2013105358A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/JP2012/081263
申请日：2012-12-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田　太郎
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32238 , H01J37/32293 , H01J37/32311 , H05H1/46 , H05H2001/4615
摘要：　処理容器（１）内に表面波プラズマを生成してプラズマ処理を行う表面波プラズマ処理装置（１００）は、マイクロ波を生成するマイクロ波出力部（３０）と、生成されたマイクロ波を処理容器（１）内に放射する複数のマイクロ波放射部（４３）と、処理容器（１）の上部に設けられ、複数のマイクロ波放射部（４３）から放射されたマイクロ波により、処理容器（１）内で表面波が伝送する表面波伝送線路が形成される表面波伝送線路形成部材（１１５）とを有し、表面波伝送線路形成部材（１１５）は、誘電体からなり、複数のマイクロ波放射部（４３）を覆い、かつサセプタ（１１）に対応するような凹部が形成されている。
摘要翻译：一种在处理容器（1）中产生表面波等离子体并进行等离子体处理的表面波等离子体处理装置（100）包括：产生微波的微波输出部（30）将生成的微波发射到处理容器（1）中的多个微波发射单元（43）; 以及表面波传输线形成部件（115），其设置在处理容器（1）的上部，并且其中在处理容器（1）中传播表面波的表面波传输线由从多个微波发射单元（43）发射的微波和表面波传输线形成构件（115）由电介质制成并覆盖多个微波发射单元（43），并且凹入部分在其中形成基座（11）。

13. 发明申请

WO2007007003A3 METHOD FOR PLASMA TREATMENT OF GAS EFFLUENTS 审中-公开
标题翻译：气体处理等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2007007003A3
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/FR2006050699
申请日：2006-07-10
申请人： AIR LIQUIDE , AIR LIQUIDE ELECTRONICS SYS , GUERIN DANIEL , LARQUET CHRISTIAN , EL-KRID AICHA , ROSTAING JEAN-CHRISTOPHE , MOISAN MICHEL , MOINE PASCAL , DULPHY HERVE , LESORT ANNE-LAURE , SANDRE ETIENNE
发明人： GUERIN DANIEL , LARQUET CHRISTIAN , EL-KRID AICHA , ROSTAING JEAN-CHRISTOPHE , MOISAN MICHEL , MOINE PASCAL , DULPHY HERVE , LESORT ANNE-LAURE , SANDRE ETIENNE
IPC分类号： C23C16/44 , B01D53/70 , H05H1/24
CPC分类号： C23C16/4412 , B01D53/323 , B01D53/70 , B01D2259/818 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , Y02C20/20 , Y02C20/30
摘要： The invention concerns a method for plasma treatment of gas effluents at substantially atmospheric pressure, including: injecting the effluent to be treated into a plasma torch; injecting water vapor, upstream or downstream of the plasma.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在基本上大气压下等离子体处理气体流出物的方法，包括：将待处理流出物注入等离子体焰炬中; 在等离子体的上游或下游注入水蒸气。

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