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11. 发明申请

WO2014196796A1 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014196796A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/KR2014/004950
申请日：2014-06-03
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 윤민주
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46
摘要： 본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 하부 반사층 및 절연막에 수직 방향으로 길게 활성층을 형성하고, 활성층의 양측에 수직 방향으로 길게 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 형성하며, 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층 중 활성층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 수직 방향으로 길게 한 쌍의 측면 반사층을 형성함으로써, 빛이 활성층의 길이 방향인 상부로 직접 방출되도록 구성하고, 측면에 형성된 한 쌍의 측면 반사층을 통해서 전류를 공급하였다. 따라서, 본 발명은 활성층의 일부를 제거하지 않으므로 종래의 수평형 발광 소자에 비하여 더 많은 양의 빛을 발생시킬 수 있고, 투명 전극을 통하지 않고 직접 빛을 방출하므로 종래의 수평형 발광 소자 및 수직형 발광 소자에 비하여 광 추출 효율이 뛰어나다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 반도체층 전체 영역에 대응되는 되는 영역에 n형 및 p형 전극을 형성하고, 전도성이 뛰어난 측면 반사층의 전체 면적을 통해서 전류를 공급하므로 전류가 일부 영역에 집중되는 current crowding 현상을 방지하여 광 효율을 향상시킬 수 있으며, n형 및 p형 전극 전체 면적(n형 및 p형 전극이 측면 반사층과 통합되어 형성된 경우에는 한 쌍의 측면 반사층 전체 면적)과 접촉하도록 리드 프레임을 연결하고 하부 반사층에 히트 슬러그를 연결하여 열을 외부로 방출함으로써 열 방출 효율이 뛰어나다.
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，有源层形成为在下反射层上沿垂直方向延伸，并且绝缘膜，第一半导体层和第二半导体层形成为在垂直方向上在两侧有源层和一对侧反射层形成为在垂直方向上伸长，以便接触不接触有源层的第一和第二半导体层的表面，使得光直接朝向上部对应于有源层的纵向的部分，并且通过形成在侧表面上的一对侧反射层提供电流。因此，根据本发明，没有去除有源层的一部分，从而产生比常规水平发光装置更大量的光，而不是通过透明电极直接发光，从而提供更好的光提取效率比传统的水平和垂直发光器件。此外，根据本发明的优选实施例的半导体发光器件具有形成在对应于半导体层的整个区域的区域中的n型和p型电极，并且电流通过具有优异的导电性，从而防止电流拥挤现象，即部分区域中的电流的集中，并提高光学效率。并且引线框架连接以接触n型和p型电极的整个区域（当n型和p型电极与侧反射层一体形成时，一对侧反射层的整个区域），并且散热块连接到下反射层以将热量排放到外部，从而提供优异的散热效率。

12. 发明申请

WO2013137554A1 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2013137554A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/KR2013/000207
申请日：2013-01-10
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김수진
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要： 본 발명은 광 출력 특성을 향상시키면서 순방향 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로, 제 1 도전형 반도체층; 상기 제 1 도전형 반도체층에 접하는 활성층; 상기 활성층에 접하며, 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 홈이 형성된 제 2 도전형 반도체층; 상기 홈의 바닥에 형성된 전류 차단층; 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽과 상기 전류 차단층을 따라 형성된 투명 전도층; 상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 반사층; 상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 지지 기판; 및 상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 개시된다.
摘要翻译：本发明涉及能够在提高光输出特性的同时防止正向电压的增加的发光装置及其制造方法。该发光装置包括：第一导电半导体层; 与第一导电半导体层接触的有源层; 第二导电半导体层，其与有源层接触并且在与有源层接触的表面相对的表面上具有图案化的凹槽; 形成在所述槽的底部上的电流阻挡层; 沿着与所述有源层接触的所述第二导电半导体层的表面相对的表面，所述槽的侧壁和所述电流阻挡层形成的透明导电层; 反射层，形成在与所述第二导电半导体层接触的所述透明导电层的与所述透明导电层的表面相反的表面上; 支撑基板，形成在与所述透明导电层接触的与所述反射层的表面相反的表面上; 以及在与有源层接触的与第一导电半导体层的表面相对的表面上图案化的电极。

13. 发明申请

WO2022025372A1 전방위 반사경 구조를 가지는 마이크로 발광소자 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2022025372A1
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：PCT/KR2021/000673
申请日：2021-01-18
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 손경락 , 임완기
IPC分类号： H01L33/44
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 전방위 반사경 구조를 가지는 마이크로 발광소자는 기판; 상기 기판의 상면에 배치되고, 적어도 하나의 활성 영역을 포함하는 제 1 반도체층; 상기 활성 영역에 배치되는 활성층; 상기 활성층의 상면에 상기 제 1 반도체층 및 상기 활성층과 함께 반도체 셀을 이루도록 배치되는 제 2 반도체층; 상기 반도체 셀의 외측면을 둘러싸도록 배치되는 패시베이션층; 및 상기 패시베이션층을 둘러싸도록 배치되고, 상기 반도체 셀의 내부 영역으로부터 상기 패시베이션층을 경유하여 입사되는 광을 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사시키는 반사층을 포함한다.

14. 发明申请

WO2018207972A1 투명하고 유연한 저항 변화 메모리 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2018207972A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/KR2017/008409
申请日：2017-08-03
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 이병룡
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/00
摘要： 본 발명은 OMO 구조의 투명 전극이 적용된 투명하고 유연한 저항 변화 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 하부 전극 및 상기 하부 전극과 교차하는 형태로 그 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서 상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하게 함으로써, 우수한 전기전도도를 확보하면서 유연하고 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.

15. 发明申请

WO2016148435A1 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 투명 전극 审中-公开
标题翻译：制造具有金属网格结构的透明电极的方法和使用其制造的透明电极
公开(公告)号：WO2016148435A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/KR2016/002362
申请日：2016-03-09
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김경헌
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/02 , H01B1/08
CPC分类号： H01B1/02 , H01B1/08 , H01B13/00
摘要： 본 발명은 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 투명 전극을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른, 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법은, 기판위에 제 1 금속을 증착하여 기판 위에 서로 분리된 복수의 제 1 금속 결정체들을 형성하고, 제 1 금속 결정체들 사이를 금속 메쉬를 구성할 제 2 금속들로 채운 후 열처리를 수행하여, 선폭이 나노 사이즈인 제 2 금속으로 형성된 금속 메쉬를 형성하고, 금속 메쉬 사이 공간을 투명하면서도 전도도가 높은 제 1 금속과 제 2 금속의 산화물인 투명 결정체로 채운다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은 사진 시각 공정과 같은 복잡한 공정을 적용하지 않고서도 기판위에 선폭이 나노 사이즈인 금속 메쉬를 형성할 수 있을뿐만 아니라, 기판 상부면 전체를 금속 메쉬와 높은 전도도 및 투과도를 갖는 투명 결정체로 형성함으로써 용이하게 전류를 기판 전체로 확산시키면서도 기존의 금속 메쉬의 문제점인 금속 메쉬의 투과도 편차 또는 Haze 현상을 제거하는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明提供一种制造具有金属网状结构的透明电极的方法和使用该透明电极制造的透明电极。一种制造根据本发明优选实施例的具有金属网结构的透明电极的方法：通过在所述基底上气相沉积第一金属，在基底上形成彼此分离的多个第一金属晶体; 通过填充第一金属晶体与第二金属之间的间隙以形成金属网，然后通过对其进行热处理，使用具有纳米尺寸线宽的第二金属形成金属网; 并且将金属网之间的间隙填充为透明晶体，该透明晶体是第一金属和第二金属的氧化物，其是透明的并且具有高导电性。结果，根据优选实施例的透明电极不仅可以在基板上形成具有纳米尺寸线宽的金属网，而且不需要诸如光蚀刻的复杂工艺，而且还具有容易将电流扩散到并且通过使用金属网形成基板的整个顶表面，并且通过形成具有高导电性和透射率的透明晶体来消除金属网的透射率变化或雾度现象的现有问题。

16. 发明申请

WO2014133232A1 투명 전극을 구비하는 수광소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有透明电极的光接收元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014133232A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/KR2013/006803
申请日：2013-07-30
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김희동
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/10 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L51/444 , Y02E10/549
摘要： 본 발명은 투명 전극을 구비하는 수광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예는 광을 흡수하여 전기 에너지를 생성하는 광전 변환층에 접촉하도록 투명 전극을 형성하되, 투명 전극은 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 저항변화 물질로 형성되었다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은 광의 전 파장 영역에 대해서 높은 광투과 특성을 나타냄과 동시에 높은 전기 전도도 특성을 나타내므로 본 발명의 수광소자는 높은 광전 변환 효율을 나타내면서도 양호한 전기적 특성을 나타낸다.
摘要翻译：本发明涉及具有透明电极的光接收元件及其制造方法。根据本发明的优选实施例，透明电极形成为与通过吸收光产生电能的光电转换层接触。透明电极由在整个光线范围内具有高透射率的电阻切换材料制成，并且形成在其中流过电流的导电细丝，使得如果超过固有阈值电压的电压施加到材料上，则电阻状态的材料从高电阻状态切换到低电阻状态。因此，由于根据本发明的优选实施方式的透明电极不仅在光的整个波长范围内具有高的透光率，而且具有高导电性，因此根据本发明的光接收元件具有高的光电转换效率和良好的电性能。

17. 发明申请

WO2013122328A1 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자 审中-公开
标题翻译：用于制造发光装置的方法和使用其制造的发光装置
公开(公告)号：WO2013122328A1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：PCT/KR2013/000206
申请日：2013-01-10
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김경헌
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091
摘要： 본 발명은 제조 비용을 줄이면서 대면적에서 나노 패턴의 형성을 가능하게 하고 광 추출 효율을 높일 수 있는 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자에 관한 것이다. 일례로, 순차적으로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 준비하는 발광 구조체 준비 단계; 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부를 요철 패턴을 가지는 광 추출층으로 형성하는 광 추출층 형성 단계; 상기 광 추출층이 형성된 상기 발광 구조체를 나노 물질들이 분산된 용액에 디핑하는 디핑 단계; 및 상기 나노 물질들을 상기 광 추출층 상에 흡착시키는 흡착 단계를 포함하며, 상기 흡착 단계에서 상기 나노 물질들이 상기 광 추출층에 부분적으로 흡착되어 상기 광 추출층 상에 복수의 요철을 형성하는 나노 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법이 개시된다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造发光器件的方法和使用该发光器件制造的发光器件，其可以降低制造成本，在大面积上形成纳米图案，并且提高光提取效率。本发明的一个实施例公开了一种发光器件的制造方法，包括：发光结构制备步骤，用于制备包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光结构，依次形成; 光提取层形成步骤，用于形成具有不均匀图案的光提取层的第二导电半导体层的上部; 将具有光提取层的发光结构浸渍在其中分散有纳米材料的溶液中的浸渍步骤; 以及用于将纳米材料吸附到光提取层的吸收步骤。在吸收步骤中，将纳米材料部分地吸收到光提取层，使得在光提取层上形成具有多个不均匀部分的纳米图案。

18. 发明申请

WO2017222116A1 나노 스케일을 갖는 분석 장비의 보정 표준 시편 审中-公开
标题翻译：纳米级分析仪器校准标准样品
公开(公告)号：WO2017222116A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/KR2016/012452
申请日：2016-11-01
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 전동수
IPC分类号： G01N1/28 , G01Q60/24 , G01R1/067
摘要： 유리기판; 상기 유리기판 위에 복수 개가 배치되며, 미리 설정되는 소정 전압이 가해지는 패드부; 적어도 2개 이상의 상기 패드부와 전기적으로 연결되며, 탐침에 의해 전류값이 측정되는 패턴부; 상기 패드부와 상기 패턴부 사이를 전기적으로 연결하는 연결부;를 포함하는 나노 스케일 분석 장비의 보정 표준 시편을 제공한다.
摘要翻译：玻璃基板; 布置在玻璃基板上并施加有预定电压的多个焊盘; 图案部分，电连接到至少两个焊盘部分并通过探针测量电流值; 以及用于电连接焊盘部分和图案部分的连接部分。提供了纳米级分析设备的校准标准样品。

19. 发明申请

WO2014046373A1 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有导电膜的透明电极的有机发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2014046373A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/004975
申请日：2013-06-05
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김희동
IPC分类号： H01L51/52 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/5215 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0591 , H01L51/102 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5212 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H05B33/26
摘要： 본 발명은 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트가 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 유기 발광소자의 투명 전극을 형성함으로써, 유기 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타낼뿐만 아니라, 유기 반도체층을 구성하는 유기물층과 오믹 컨택이 이루어져 전기 전도도가 양호한 투명 전극을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 형성하여 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 유기물층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种设置有具有导电丝的透明电极的有机发光二极管及其制造方法。本发明具有有机发光二极管的透明电极，其中，所述透明电极对于紫外线区域的光具有高透射率，其中当超过本征临界电压的电压施加到电流时，电流流过的导电细丝材料，并且由用于将材料的电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态的电阻变化材料形成，使得本发明可以获得在可见光中可以表现出高的光透射率的透明电极区域和光，并且可以通过与构成有机半导体层的有机层欧姆接触而显示高电导率。此外，通过在透明电极的上部或下部形成具有优异的导电性和透光性的在石墨烯或CNT上形成作为石墨烯或CNT的电流扩散层，本发明使形成在透明电极内部的导电细丝彼此连接，使得可以通过向所有有机层扩散引入到透明电极的电流来防止电流浓度。

20. 发明申请

WO2013176484A1 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법 审中-公开
标题翻译：透明电极和形成透明电极的方法
公开(公告)号：WO2013176484A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/KR2013/004490
申请日：2013-05-22
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 윤민주
IPC分类号： H01L33/42
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/14 , H01L33/387 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은, 투명 전극이 형성될 반도체층과 오믹 접촉이 이루어지면서도 전도성이 높은 제 1 전극을 반도체층 위에 패턴으로 형성하고, 패턴으로 형성된 제 1 전극들 사이를 가시광 영역뿐만 아니라 자외선 영역까지의 빛의 투과도가 높은 제 2 전극으로 채움으로써, 반도체층과 오믹 특성이 양호하면서도 자외선 영역을 포함한 빛의 투과도가 우수한 투명 전극을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 일시예에 따른 투명 전극은 반도체층 위에 전도성과 투과도가 우수한 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene) 등으로 형성되는 전류 확산층을 박막으로 형성하고, 그 위에 상술한 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성함으로써, 양호한 오믹 특성 및 우수한 빛의 투과도 특성 이외에도, 양호한 전류 확산 효과를 더 나타낼 수 있다.
摘要翻译：公开了透明电极和形成透明电极的方法。本发明的一个优选实施例提供了一种具有半导体层的良好欧姆特性的透明电极和包括紫外线区域的优异的透光性，通过以下方式形成具有高导电性的第一电极和与其上透明的半导体层的欧姆接触的第一电极电极将被形成，并且通过填充形成为图案的第一电极之间的空间与第二电极。此外，根据本发明另一实施例的透明电极可以通过将作为薄膜的电流扩散层形成为电流扩散层，从而可以进一步表现出良好的电流扩散效应以及良好的欧姆特性和优异的透光性在半导体层上具有优异的导电性和透射率的碳纳米管（CNT），石墨烯等，并且通过在电流扩散层上形成上述第一和第二电极。

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