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    • 14. 发明申请
    • フッ化ビニリデン単独重合体薄膜の形成方法
    • 形成乙烯基氟化物共聚物薄膜的方法
    • WO2005089962A1
    • 2005-09-29
    • PCT/JP2005/004102
    • 2005-03-09
    • ダイキン工業株式会社荒木 孝之小谷 哲浩
    • 荒木 孝之小谷 哲浩
    • B05D7/24
    • C08F114/22B32B27/30C08F8/00C08F8/14C08F8/42C08F2810/30C08F2810/40Y10T428/3154Y10T428/31544
    •  比較的簡便な方法(被覆条件、手法など)で、種々の基材に適用可能なI型結晶構造の機能性官能基末端フッ化ビニリデン単独重合体の薄膜の形成方法を提供する。フッ化ビニリデンの単独重合体からなる薄膜の形成方法であって、式(1):−(R 1 ) n −Y (1)(式中、R 1 は2価の有機基、ただしフッ化ビニリデン単独重合体単位は含まない;nは0または1;Yは機能性官能基)で表される部位を片末端または両末端に有するフッ化ビニリデン繰返し単位を3~100有するフッ化ビニリデン単独重合体を基材に適用して、I型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体の薄膜を形成するフッ化ビニリデン単独重合体の薄膜の形成方法。
    • 可以相对简单且容易地(在应用条件,技术等方面),可以在各种基板上形成由用于赋予特定功能并具有I型晶体结构的官能团封端的偏二氟乙烯均聚物制成的薄膜的方法。 具体而言,通过在一端或两端涂敷一个或多个由通式(1)表示的基团的偏二氟乙烯均聚物: - (R 1)n -Y(其中, R 1是偏二氟乙烯单体单元以外的二价有机基团; n为0或1; Y为赋予特定功能的官能团),其包含3〜100个偏二氟乙烯重复单元,形成偏二氟乙烯 具有I型晶体结构的均聚物薄膜作为唯一或主要结构。