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11. 发明申请

WO2009143825A3 SILICON CONTAINING HALOGENIDE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND USE OF THE SAME 审中-公开
标题翻译：卤硅，方法及其制造相同，使用
公开(公告)号：WO2009143825A3
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/DE2009000728
申请日：2009-05-27
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , BAUCH CHRISTIAN , GEBEL THORALF , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , AUNER NORBERT
发明人： MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , BAUCH CHRISTIAN , GEBEL THORALF , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , AUNER NORBERT
IPC分类号： C01B33/03 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C01B33/027 , Y10T428/2982
摘要： The invention relates to silicon containing halogenide obtained by thermal disintegration of halogenized polysilane, and a method for producing the silicon. The silicon has a halogenide content of 1 at%-50 at%. The invention further relates to the use of the silicon containing halogenide for purifying metallurgical silicon.
摘要翻译：通过卤化聚硅烷获得的含卤硅的热分解和用于生产硅的方法进行说明。硅具有1原子％-50原子％的卤化物含量。此外，使用含卤素的硅被用于纯化冶金硅说明。

12. 发明申请

WO2011067417A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HYDRIERTEM POLYGERMASILAN UND HYDRIERTES POLYGERMASILAN 审中-公开
标题翻译：用于生产氢化POLYGERMASILAN和氢化POLYGERMASILAN
公开(公告)号：WO2011067417A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068994
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C01B33/04 , C08G79/00 , C08G85/00 , C01G17/00 , C23C18/08 , C23C18/12
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von hydriertem Polygermasilan als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen, bei dem halogeniertes Polygermasilan hydriert wird, angegeben. Weiterhin werden ein hydriertes Polygermasilan sowie eine aus dem hydrierten Polygermasilan hergestellte Germaniumschicht und ein Verfahren zu ihrer Herstellung angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制备氢化Polygermasilan作为纯化合物或化合物的混合物的方法是氢化在该卤化Polygermasilan指示。此外，氢化Polygermasilan和取得的氢化Polygermasilan和方法的锗层被提供用于它们的制备。

13. 发明申请

WO2011067411A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HYDRIERTEM POLYGERMAN UND HYDRIERTES POLYGERMAN 审中-公开
标题翻译：用于生产氢化聚锗和氢化聚锗
公开(公告)号：WO2011067411A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068979
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C08L85/00 , C23C20/06 , C01B6/06 , C09D185/00
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von hydriertem Polygerman als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen, bei dem halogeniertes Polygerman hydriert wird, angegeben. Weiterhin werden ein hydriertes Polygerman sowie eine aus dem hydrierten Polygerman hergestellte Germaniumschicht und ein Verfahren zu ihrer Herstellung angegeben.
摘要翻译：本发明提供了一种用于氢化聚锗的制备表示为纯化合物或化合物的混合物在该卤化聚锗氢化。此外，提供了它们的制备氢化聚锗和由氢化聚锗和方法的锗层。

14. 发明申请

WO2010112339A1 MIT SIC BESCHICHTETE KÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SIC-BESCHICHTETER KÖRPER 审中-公开
标题翻译：与SIC涂覆体，及其制造方法SIC-覆盖本体
公开(公告)号：WO2010112339A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/053436
申请日：2010-03-17
申请人： SPAWNT PRIVATE S.A.R.L. , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ENDLER, Ingolf , HÖHN, Mandy , GEBEL, Thoralf , BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , HOLL, Sven , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , AUNER, Norbert
发明人： ENDLER, Ingolf , HÖHN, Mandy , GEBEL, Thoralf , BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , HOLL, Sven , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , AUNER, Norbert
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/325 , B32B18/00 , B82Y30/00 , C22C29/065 , C23C16/30 , Y10T428/264
摘要： Die Erfindung betrifft Körper, beschichtet mit einer SiC-Hartstoffschicht oder mit einem Schichtsystem, das mindestens eine SiC-Hartstoffschicht enthält, sowie Verfahren zur Herstellung derartig beschichteter Körper. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Körper mit SiC-Schichten auszustatten, die eine partikelfreie, nichtporöse Struktur, eine hohe Härte, niedrige Sprödigkeit, hohe Haftfestigkeit, gute Oxidationsbeständigkeit und einen hohen Widerstand gegen Rissausbreitung besitzen. Erfindungsgemäß sind die Körper mit einer SiC-Schicht oder mit einem mehrlagigen Schichtsystem beschichtet, das mindestens eine SiC-Schicht enthält, wobei die SiC- Schicht aus halogenhaltigem nanokristallinem 3C-SiC oder aus einer Mischschicht besteht, welche aus halogenhaltigem nanokristallinem 3C-SiC und amorphem SiC oder aus halogenhaltigem nanokristallinem 3C-SiC und amorphem Kohlenstoff besteht. Die Beschichtung derartiger Körper wird in einem thermischen CVD-Prozesses durchgeführt, wobei eine Gasmischung verwendet wird, die H 2 und/oder eines oder mehrere Inertgase, eines oder mehrere der Halogenpolysilane der Formeln Si n X 2n , Si n X 2n+2 , Si n X y H z , worin X das Halogen und n ≥ 2 ist, sowie einen oder mehrere Kohlenwasserstoffe enthält. Alternativ wird eine Gasmischung verwendet, die in H 2 und/oder einem oder mehreren Inertgasen eines oder mehrere, mit organischen Substituenten R substituierte Halogenpolysilane der allgemeinen Formeln Si n X y R z oder Si n H x X y R z enthält, worin X das Halogen ist und n ≥ 2, z > 0, y ≥ 1 sind. Dabei gelten für Si n X y R z die stöchiometrischen Beziehungen 2n+2 = y +z oder 2n=y+z und für Si n H x X y R z die stöchiometrischen Beziehungen 2n+2 = x+y+z oder 2n=x+y+z.
摘要翻译：本发明涉及一种涂覆有SiC基硬质材料层或含有至少一个SiC硬质材料层，和用于生产这样的涂层体的方法的层系统主体。本发明的目的还在于提供所述主体与具有无颗粒的，非多孔的结构，高硬度，低脆性，高粘接强度，良好的抗氧化性和高耐的SiC层裂纹扩展。根据本发明的体涂覆有SiC层或包含至少一种SiC层的多层涂层体系中，SiC层由含卤素的纳米晶体3C-SiC构成或由卤素-3C-SiC和无定形纳米晶的混合层的 SiC或3C-碳化硅含卤素的纳米晶体和无定形碳。这些机构的涂层在热CVD工艺进行的，气体混合物被使用时，H 2和/或一种或多种惰性气体，一种或多种式SinX2n的卤代聚硅烷的，SinX2n + 2，SinXyHz其中X是卤素，n = 2，和一种或多种烃。可替代地，气体混合物被用于包含一个或多个取代的有机取代基R卤代聚硅烷通式SinXyRz或SinHxXyRz在H 2和/或一种或多种惰性气体，其中X是卤素，n = 2，Z> 0，Y = 1。的化学计量关系的2n + 2 = Y + Z或为2n = Y + Z和SinHxXyRz化学计量关系适用SinXyRz的2n + 2 = X + Y + Z = x或2N + Y + Z。

15. 发明申请

WO2009143824A1 HALOGENIERTES POLYSILAN UND THERMISCHES VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：卤化聚和热用于生产
公开(公告)号：WO2009143824A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/DE2009/000727
申请日：2009-05-27
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES, INC. , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , DELTSCHEW, Rumen , LIPPOLD, Gerd , AUNER, Norbert
发明人： BAUCH, Christian , HOLL, Sven , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , DELTSCHEW, Rumen , LIPPOLD, Gerd , AUNER, Norbert
IPC分类号： B01J12/00 , C01B33/107
CPC分类号： C08G77/60
摘要： Es werden ein halogeniertes Polysilan (im Folgenden Polysilan genannt) als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen sowie ein thermisches Verfahren zur Herstellung desselben beschrieben. Das Polysilan zeichnet sich durch charakteristische Verschiebungen in seinen 29 Si-NMR-Spektren und durch typische Intensitätsverhältnisse der Banden in seinen Raman-Spektren aus. Das Polysilan (Si n X y ) weist einen hohen Anteil an verzweigten Ketten und Ringen auf. Das Verfahren zur Herstellung des halogenierten Polysilans ist speziell auf hohen Durchsatz (industrielle Herstellung) und die Bildung eines gut löslichen Polysilans optimiert.
摘要翻译：有（以下简称为聚硅烷）将化合物的纯的化合物或混合物和制备该描述的卤化聚热工艺。聚硅烷的特征在于通过在其的29 Si NMR光谱特性的变化和通过在其拉曼光谱频带的典型强度比。聚硅烷（SinXy）具有支链和环的比例很高。对于卤化聚硅烷的制备方法是特别高通量（工业生产）和优化的良好可溶性聚硅烷的形成。

16. 发明申请

WO2011067413A3 CHLORINATED OLIGOGERMANES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：氯低聚甘油及其生产方法
公开(公告)号：WO2011067413A3
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/EP2010068986
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE SARL , AUNER NORBERT , BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , GEBEL THORALF
发明人： AUNER NORBERT , BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , GEBEL THORALF
IPC分类号： C08G79/00 , C01G17/04 , C08G85/00
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： The invention relates to chlorinated oligogermanes as a pure compound or as a mixture of compounds, and to a method for the production thereof. The chlorinated oligogermanes as a pure compound or a mixture of compounds respectively comprise at least one direct bond Ge-Ge, the substituents comprise chlorine or chlorine and hydrogen and in the composition thereof, the atomic ratio of substituent to germanium is at least 1:1. The mixture has on average a ratio Ge:Cl of 1:2 - 1:3, or the pure compound has a ratio Ge:Cl of 1:2 - 1:2, 67, preferably 1:2, 2 - 1:2, 5, and the mixture has an average number of germanium atoms of 2 - 10.
摘要翻译：它提供氯化Oligogermane作为纯化合物或化合物的混合物及其制备方法。氯化Oligogermane作为纯化合物或混合物中的每种具有至少一个直接键合的Ge-戈为包括取代基氯，或氯和氢，且在组合物中，原子比取代基：锗至少1：1，其中所述混合物是对Ge平均比：1 CL：2至1：或3，纯化合物，比戈：2至1：2，67，优选为1：2，2〜1：1 Cl 2中，5，且其中所述混合物具有的平均锗原子数从2到10有。

17. 发明申请

WO2011067333A3 METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SHORT-CHAINED HALOGENATED POLYSILANES 审中-公开
标题翻译：方法和设备的短链的卤化聚硅烷生产
公开(公告)号：WO2011067333A3
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/EP2010068733
申请日：2010-12-02
申请人： SPAWNT PRIVATE SARL , BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , TOWARA RENE
发明人： BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , TOWARA RENE
IPC分类号： C08G77/60 , C01B33/107
CPC分类号： C08G77/60
摘要： The invention relates to a method and a device for producing short-chained halogenated polysilanes and/or short-chained halogenated polysilanes and halogenide-containing silicon by thermolytic decomposition of long-chained halogenated polysilanes. The thermolytic decomposition of long-chained halogenated polysilanes diluted with low-molecular halogen silanes is carried out under an atmosphere of halogen silanes, thereby ensuring the production of such products at industrial scale in a simple and cost-effective manner.
摘要翻译：有用于通过描述的长链卤化聚硅烷的热分解产生分解短链的卤化聚硅烷和/或短链和含卤的硅的卤化聚硅烷的方法和装置。的具有低分子量的长链的卤化聚硅烷卤代硅烷稀释散热的分解是在一卤代硅烷气氛中进行。通过这种方式，在工业规模上的简单和廉价的生产此类产品的可能。

18. 发明申请

WO2011067418A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OLIGOSILANEN 审中-公开
标题翻译：用于生产低聚
公开(公告)号：WO2011067418A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068995
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C01B33/04 , C08G79/00 , C08G85/00 , C01G17/00 , C23C18/08 , C23C18/12
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Oligosilanen durch Umsetzung von halogenierten Oligosilanen mit einem Metallhydrid, wobei - die Umsetzung in Gegenwart eines Katalysators und eines Alkalimetallhalogenids erfolgt, wobei der Katalysator ein Halogenid eines mehrwertigen Metalls umfasst; - die Umsetzung in einem etherischen Lösungsmittel erfolgt.
摘要翻译：本发明的一个实施方案中描述了一种用于低聚的制备方法，通过卤化低聚用金属氢化物，其中，反应 - 反应发生在催化剂和碱金属卤化物的存在下，所述催化剂包含多价金属的卤化物; - 反应发生在醚溶剂中。

19. 发明申请

WO2011067413A2 CHLORIERTE OLIGOGERMANE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： CHLORINATED OLIGOGERMANE和方法及其
公开(公告)号：WO2011067413A2
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068986
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C08G79/00
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： Es werden chlorierte Oligogermane als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen sowie ein Verfahren zu deren Herstellung angegeben. Die chlorierten Oligogermane als reine Verbindung oder Gemisch weisen jeweils mindestens eine direkte Bindung Ge-Ge auf, deren Substituenten Chlor oder Chlor und Wasserstoff umfassen und in deren Zusammensetzung das Atomverhältnis Substituent:Germanium mindestens 1:1 beträgt, wobei das Gemisch im Mittel ein Verhältnis Ge:Cl von 1:2 bis 1:3 aufweist oder die reine Verbindung ein Verhältnis Ge:Cl von 1:2 bis 1:2, 67, bevorzugt 1:2, 2 bis 1:2, 5, und wobei die Gemische eine mittlere Anzahl von Germanium-Atomen von 2 bis 10 haben.
摘要翻译：给出了其制备氯化Oligogermane作为纯化合物或化合物的混合物，和一种方法。氯化Oligogermane作为纯化合物或混合物中的每种具有至少一个直接键合的Ge-戈为包括取代基氯，或氯和氢，且在组合物中，原子比取代基：锗至少1：1，其中所述混合物是对Ge平均比：1 CL：2至1：或3，纯化合物，比戈：2至1：2，67，优选为1：2，2〜1：1 Cl 2中，5，且其中所述混合物具有的平均有锗原子数为2〜10的数

20. 发明申请

WO2010012273A2 VERFAHREN ZUM ENTFERNEN VON NICHTMETALLISCHEN VERUNREINIGUNGEN AUS METALLURGISCHEM SILICIUM 审中-公开
标题翻译：从冶金硅中去除非金属污染的方法
公开(公告)号：WO2010012273A2
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/DE2009/001059
申请日：2009-07-29
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES, INC. , BERLINSOLAR GMBH , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad
发明人： MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/06
摘要： Es wird ein Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium beschrieben. Aus metallurgischem Silicium und halogenidhaltigem Silicium wird eine Schmelze erstellt. Hierdurch finden ein Aussublimieren der Verunreinigungen und ein Entfernen derselben aus der Schmelze in der Form von Nichtmetallhalogeniden statt. Gegenüber dem bekannten Verfahren, bei dem gasförmiges Halogen durch eine Si-Schmelze geblasen wird, lässt sich das neue Verfahren besonders einfach und effizient durchführen.
摘要翻译：将描述从冶金硅去除非金属杂质的方法。从冶金硅和含卤化物的硅中产生熔体。这导致杂质的升华以及它们以非金属卤化物的形式从熔体中除去。与通过Si熔体吹入气态卤素的已知工艺相比，新工艺特别容易且高效地进行

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