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11. 发明申请

WO2007049455A1 半導体メモリカード审中-公开
标题翻译：半导体存储卡
公开(公告)号：WO2007049455A1
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/JP2006/320189
申请日：2006-10-10
申请人：松下電器産業株式会社 , 外山昌之 , 中西雅浩 , 中垣浩文 , 泉智紹
发明人：外山昌之 , 中西雅浩 , 中垣浩文 , 泉智紹
IPC分类号： G06K19/07 , G06F13/38
CPC分类号： G11C7/10
摘要：　半導体メモリカードは、シングルエンド送受信部２、差動送受信部３等の複数の伝送方式の送受信回路を備える。電源投入時には各送受信部をオン状態とする。ホスト機器からコマンドが発行されると、各回路での受信結果に基づいてコマンド処理部４はホスト機器の備える伝送方式を判定する。そして送信されてきた伝送方式と同一の方式の送受信部のみをオンとして、以降のデータ伝送を行う。これにより、複数の伝送方式を備える半導体メモリカードは、ホスト機器の備える伝送方式を簡単に識別して伝送できる。
摘要翻译：半导体存储卡设置有单端发送/接收部分（2），以及诸如差分发送/接收部分（3）的多个传输系统的发送/接收电路。打开电源时，每个发送/接收部分都打开。当从主机设备发出命令时，命令处理部分（4）基于每个电路的接收结果来判断在主机设备中提供的传输系统。然后，只有与用于发送的传输系统相同的系统的发送/接收部分被接通，并且执行后续的数据传输。因此，设置有多个传输系统的半导体存储卡通过简单地识别在主机设备中提供的传输系统来执行传输。

12. 发明申请

WO2007000862A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法审中-公开
标题翻译：存储器控制器，非易失存储器件，非易失性存储系统和数据写入方法
公开(公告)号：WO2007000862A1
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/JP2006/310323
申请日：2006-05-24
申请人：松下電器産業株式会社 , 井上学 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 森博範 , 真木晋弘 , 本多利行
发明人：井上学 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 森博範 , 真木晋弘 , 本多利行
IPC分类号： G06F12/16 , G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246
摘要：　メモリセルが複数のページのデータを保持する多値ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の不揮発性メモリを用いる。不揮発性メモリ１１０にデータを書き込む際に、対になった複数のページ単位で物理ユニットを構成する。物理ユニットの全てに書き込めないときに、既に書き込まれている有効なデータを保持する旧物理ブロックからデータをコピーして、新物理ブロックに物理ユニットの終了まで書き込む。これにより次にデータを書き込むときに、新たな物理ユニットの最初から書き込むことができ、エラーを防ぐことができる。
摘要翻译：使用的是非易失性存储器，例如具有用于保持多页数据的存储单元的多值NAND闪速存储器。当将数据写入非易失性存储器（110）时，以多个成对页面的单位构成物理单元。当所有物理单元都不能被写入时，数据从保存已经写入的有效数据的旧物理块复制，并被写入一个新的物理块直到物理单元结束。当下次写入数据时，可以从新的物理单元的第一个写入数据，从而可以防止错误。

13. 发明申请

WO2005109446A1 半導体メモリ装置审中-公开
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：WO2005109446A1
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/JP2005/007785
申请日：2005-04-25
申请人：松下電器産業株式会社 , 田村和明 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 中西雅浩 , 松野公則 , 井上学
发明人：田村和明 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 中西雅浩 , 松野公則 , 井上学
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C16/22 , G06F11/1068 , G11C16/3418 , G11C2029/0409
摘要：　半導体メモリ装置において、転送元のデータの読み出し時に誤りが発生した場合、誤りを含んだ状態で転送先にデータの書き込みが行われないようにする。データ書き込み単位が物理ブロックより小さい不揮発性メモリ２を備えた半導体メモリ装置１において、不揮発性メモリ２の内部に誤り検出及び訂正回路２３を設ける。不揮発性メモリ２内の所定の物理ブロックに記憶されているデータを、異なる物理ブロックに転送して書き込む際、誤り検出及び訂正回路２３がデータの誤り検出と訂正を行う。
摘要翻译：一种半导体存储器件，其中当在传送目的地读出数据时发生错误时，在包括错误的状态下，数据未被写入传送目的地。包括具有小于物理块的数据写入单元的非易失性存储器（2）的半导体存储器件（1）在非易失性存储器（2）中设置有错误检测/校正电路（23）。当存储在非易失性存储器（2）的指定块中的数据被传送到不同的物理块并写入时，错误检测/校正电路（23）执行数据的错误检测和校正。

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