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1. 发明申请

WO2017133126A1 阵列基板及阵列基板的制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017133126A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/CN2016/082105
申请日：2016-05-13
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：徐向阳
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133553 , G02F1/134309 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , G02F2201/122 , G02F2201/123 , G02F2202/103 , H01L21/26513 , H01L27/124 , H01L29/0847 , H01L29/66765
摘要：一种阵列基板（10）及阵列基板（10）的制备方法。阵列基板（10）包括基板（100）及设置在基板（100）同侧的多个栅极线（200）、多个数据线（300）及多个公共电极线（400），基板（100）包括第一表面（110），栅极线（200）间隔排布在第一表面（110）上且与间隔排布数据线（300）通过第一绝缘层（820）绝缘设置，相邻的两条栅极线（200）及相邻的两条数据线（300）之间为像素区域，阵列基板（10）还包括设置在像素区域内的薄膜晶体管（800）、公共电极（500）及像素电极（600），薄膜晶体管（800）包括栅极（810）、沟道层（830）、源极（840）及漏极（850），栅极（810）及公共电极（500）设置在第一表面（110）上，公共电极（500）与栅极（810）平行、与公共电极线（400）电连接且为透明导电层，沟道层（830）、源极（840）、漏极（850）及像素电极（600）设置在第一绝缘层（820）上，且源极（840）与漏极（850）设置在沟道层（830）相对的两端，像素电极（600）与公共电极（500）对应且与漏极（850）电连接。

2. 发明申请

WO2016037391A1 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、液晶显示器审中-公开
公开(公告)号：WO2016037391A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/CN2014/088305
申请日：2014-10-10
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：吕启标
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/78633 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/136222 , G02F2201/123 , G02F2202/103 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669
摘要：一种薄膜晶体管阵列基板（100）、阵列基板（100）的制造方法及液晶显示器，包括像素区域（100c）、数据布线区域（100b）、形成在像素区域（100c）中的透明像素电极层（180）以及形成在像素区域（100c）和数据布线区域（100b）中的第一金属层（120）、第一绝缘层（130）、非晶硅层（140）、第二金属层（150）、第二绝缘层（160），其中，第一绝缘层（130）覆盖第一金属层（120），非晶硅层（140）、第二金属层（150）和第二绝缘层（160）依序形成在第一绝缘层（130）上，透明像素电极层（180）通过形成在像素区域（100c）的第二绝缘层（160）中的过孔（170）与像素区域（100c）的第二金属层（150）接触。通过在非晶硅层（140）的下方形成第一金属层（120），以使非晶硅层（140）不会受到光照的影响而产生光电流，从而不会影响提供给像素的电压，显示画面不会产生异常。

3. 发明申请

WO2019008464A1 METHOD FOR DRIVING A DISPLAY DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019008464A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/IB2018/054603
申请日：2018-06-22
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： TAKAHASHI, Kei , KAWASHIMA, Susumu
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/133 , G09G3/20
CPC分类号： G09G3/20 , G02B6/0046 , G02B6/0083 , G02F1/13338 , G02F1/133615 , G02F1/1362 , G02F2202/103 , G09G3/36 , G09G3/3614 , G09G2310/0213 , G09G2310/0224 , G09G2330/021
摘要： A novel and highly convenient or reliable display panel is provided which includes a first driver circuit, a second driver circuit, a first scan line, a second scan line, and a first signal line. The first driver circuit supplies a selection signal. The second driver circuit supplies a predetermined voltage, first data using a voltage greater than or equal to the predetermined voltage, and second data using a voltage less than or equal to the predetermined voltage. The first scan line is selected in a first period. The second scan line adjacent to the first scan line is selected in a third period. The first signal line receives the first data in the first period, the predetermined voltage in a second period, and the second data in the third period. The second period is provided between the first period and the third period.

4. 发明申请

WO2018120461A1 显示面板及其制备方法、显示器审中-公开
公开(公告)号：WO2018120461A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/CN2017/078052
申请日：2017-03-24
申请人：惠科股份有限公司 , 重庆惠科金渝光电科技有限公司
发明人：简重光
IPC分类号： G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/13394 , G02F1/1341 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/133776 , G02F2001/13398 , G02F2001/136222 , G02F2001/136295 , G02F2202/02 , G02F2202/103 , H01L21/0274 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/78669
摘要：一种显示面板（100），其包括第一基板（10）、第二基板（30）、及夹设于第二基板（30）与第一基板（10）之间的液晶层，第一基板（10）包括第一基体（11）、设置于第一基体（11）的开关阵列层（13）、覆盖第一基体（11）和开关阵列层（13）的滤光层（15）、依次设于滤光层（15）表面的钝化层（17）及第一导电层（19），滤光层（15）具有第一通孔（157），第一导电层（19）通过滤光层（15）的第一通孔（157）耦接开关阵列层（13），第一导电层（19）开设有至少一凹部（191），凹部（191）填充有填充件（12）。还提供显示面板（100）的制备方法和应用显示面板（100）的显示器。

5. 发明申请

WO2017201772A1 阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017201772A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：PCT/CN2016/085459
申请日：2016-06-12
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：张蒙蒙
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L23/552
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G02F2202/103 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/78633
摘要：一种阵列基板（10）、液晶显示面板（20）及阵列基板（10）的制造方法，该阵列基板（10）包括：第一遮光绝缘层（12）形成在基板（11）上，用于遮住进入基板（11）的部分光线，其包括第一区域（121）和第二区域（122），均为绝缘材料；第一功能层（13）形成在第一遮光绝缘层（12）的第二区域（122）上，在第一遮光绝缘层（12）的第二区域（122）的遮光作用下避免受到光线的影响；第二功能层（14）形成在第一遮光绝缘层（12）的第一区域（121）和第一功能层（13）上，在第一遮光绝缘层（12）的遮光作用下避免受到光线的影响；第三功能层（15）形成在第二功能层（14）上，在第一遮光绝缘层（12）的遮光作用下避免受到光线的影响；第一功能层（13）、第二功能层（14）以及第三功能层（15）为导体或半导体材料。通过上述方式，能够使各个功能层不被照光，进而避免产生光漏电的问题。

6. 发明申请

WO2010011038A3 THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2010011038A3
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/KR2009003744
申请日：2009-07-08
申请人： ENSILTECH CORP , RO JAE-SANG , HONG WON-EUI
发明人： RO JAE-SANG , HONG WON-EUI
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L21/02422 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/66757
摘要： The present invention relates to a thin film transistor in which Joule heat is applied to a glass substrate arranged below an amorphous silicon layer to produce stress gradients of a predetermined depth from the surface of the glass substrate and to crystallize the amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer, thereby improving crystallinity, and relates also to a manufacturing method of the thin film transistor. The present invention provides a thin film transistor comprising: a glass substrate having stress gradients formed at a predetermined depth from an upper surface thereof; a semiconductor layer formed on the glass substrate, and consisting of a polycrystalline silicon layer crystallized by Joule heating; a gate insulation layer formed on the semiconductor layer; a gate electrode formed on the gate insulation layer; an interlayer insulation layer formed on the gate electrode; and a source/drain electrode formed on the interlayer insulation layer and electrically connected to a source/drain region of the semiconductor layer.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜晶体管，其中焦耳热被施加到布置在非晶硅层下方的玻璃基板上，以从玻璃基板的表面产生预定深度的应力梯度并且将非晶硅层结晶成多晶硅层，从而改善结晶性，并且还涉及薄膜晶体管的制造方法。本发明提供一种薄膜晶体管，其包括：玻璃基板，其具有从其上表面以预定深度形成的应力梯度; 在玻璃基板上形成的由焦耳加热结晶的多晶硅层构成的半导体层; 形成在所述半导体层上的栅极绝缘层; 形成在所述栅极绝缘层上的栅电极; 形成在栅电极上的层间绝缘层; 以及形成在层间绝缘层上并电连接到半导体层的源极/漏极区域的源极/漏极电极。

7. 发明申请

WO2010039331A1 DISPLAY HAVING A PLURALITY OF DRIVER INTEGRATED CIRCUITS 审中-公开
标题翻译：显示有多个驱动器集成电路
公开(公告)号：WO2010039331A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/US2009/053028
申请日：2009-08-06
申请人： APPLE INC. , GETTEMY, Shawn, Robert , VIERI, Carlin, James , LEE, Yongman , YAO, Wei, H.
发明人： GETTEMY, Shawn, Robert , VIERI, Carlin, James , LEE, Yongman , YAO, Wei, H.
IPC分类号： G02F1/13 , G09G3/36
CPC分类号： G02F1/13452 , G02F1/136277 , G02F2202/103 , G09G3/3666 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2320/0223
摘要： An electronic device is disclosed. In some embodiments, the electronic device includes a liquid-crystal display (LCD) and a plurality of driver integrated circuits (ICs) coupled to the LCD. The driver ICs may be disposed near non-central locations along a side of the LCD, and in some embodiments, one of the driver ICs may be a master driver IC and the other driver IC or driver ICs may be slave driver ICs.
摘要翻译：公开了一种电子设备。在一些实施例中，电子设备包括液晶显示器（LCD）和耦合到LCD的多个驱动器集成电路（IC）。驱动器IC可以布置在沿着LCD的一侧的非中心位置附近，并且在一些实施例中，驱动器IC中的一个可以是主驱动器IC，并且其它驱动器IC或驱动器IC可以是从驱动器IC。

8. 发明申请

WO2008118465A2 HITLESS TUNING AND SWITCHING OF OPTICAL RESONATOR AMPLITUDE AND PHASE RESPONSES 审中-公开
标题翻译：光学谐振器振幅和相位响应的无线调谐和切换
公开(公告)号：WO2008118465A2
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/US2008/003957
申请日：2008-03-26
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , POPOVIC, Milos , WATTS, Michael, R.
发明人： POPOVIC, Milos , WATTS, Michael, R.
IPC分类号： G02F1/225
CPC分类号： G02F1/3133 , G02B6/12007 , G02B2006/12145 , G02F1/0147 , G02F1/3132 , G02F2001/212 , G02F2202/103 , G02F2203/055 , G02F2203/15 , G02F2203/585 , H04J14/021
摘要： A hitless tunable filter may include a ring resonator, a Mach-Zehnder coupler, and first and second phase shifters. The Mach-Zehnder coupler may include a switching arm that is coupled to the ring resonator at first and second coupling points. The first phase shifter may be used to introduce a first phase shift to light propagating through the ring resonator, while the second phase shifter may be used to introduce a second phase shift to light propagating through the Mach-Zehnder coupler. The Mach-Zehnder coupler may have a free spectral range substantially equal to a free spectral range of the ring resonator divided by a non-negative integer.
摘要翻译：无连接可调谐滤波器可以包括环形谐振器，马赫 - 曾德尔耦合器以及第一和第二移相器。马赫 - 曾德尔耦合器可以包括在第一和第二耦合点处耦合到环形谐振器的开关臂。第一移相器可以用于对通过环形谐振器传播的光引入第一相移，而第二移相器可以用于对通过马赫 - 曾德尔耦合器传播的光引入第二相移。马赫曾德尔耦合器可以具有基本上等于环形谐振器的自由光谱范围除以非负整数的自由光谱范围。

9. 发明申请

WO00055683A1 METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY 审中-公开
标题翻译：制造液晶显示方法
公开(公告)号：WO00055683A1
公开(公告)日：2000-09-21
申请号：PCT/JP1999/007068
申请日：1999-12-16
IPC分类号： H04N5/66 , G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , H01L27/12
摘要： A method for manufacturing a liquid crystal display in which the number of masks is decreased to lower the manufacturing cost. A gate insulating film (43), a semiconductor film (45), and a silicon nitride film (47) are formed on a substrate (41) where a gate bus line (3) is formed. Back exposure is carried out using the gate bus line (3) as a mask to pattern the silicon nitride film (47) and to form a channel protective film (47) along the gate bus line (3). Two element-isolation holes (25, 27) are made on both sides of a source electrode (17) and a drain electrode (15) along the gate bus line (3). A semiconductor film (45) electrically isolated from the other pixel regions and interposed between the element-isolation holes (25, 27) constitutes an operation semiconductor film, thus forming a thin film transistor having a gate electrode in the region between two element-isolation holes of the gate bus line (3).
摘要翻译：一种液晶显示器的制造方法，其中掩模的数量减少以降低制造成本。在形成栅极总线（3）的基板（41）上形成有栅极绝缘膜（43），半导体膜（45）和氮化硅膜（47）。使用栅极总线（3）作为掩模进行背面曝光以对氮化硅膜（47）进行图案化，并沿着栅极总线（3）形成沟道保护膜（47）。沿着栅极总线（3）在源极（17）和漏极（15）的两侧形成两个元件隔离孔（25,27）。与其他像素区域电隔离并插入在元件隔离孔（25,27）之间的半导体膜（45）构成工作半导体膜，从而形成在两元件隔离区域之间具有栅电极的薄膜晶体管栅极总线（3）的孔。

10. 发明申请

WO1997013177A1 ACTIVE MATRIX SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：主动矩阵基板
公开(公告)号：WO1997013177A1
公开(公告)日：1997-04-10
申请号：PCT/JP1996002858
申请日：1996-10-02
申请人： SEIKO EPSON CORPORATION , SATOU, Takashi
发明人： SEIKO EPSON CORPORATION
IPC分类号： G02F01/136
CPC分类号： H01L27/0266 , G02F1/136204 , G02F2202/103 , H01L27/0255 , H01L2224/48463 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： A novel method of producing an amorphous silicon thin-film transistor having a reverse stagger structure in fewer process steps, an active matrix substrate equipped with electrostatic protection produced by the production method, and a liquid crystal display device using the substrate. In the production process of a thin film transistor, a contact hole and an opening for connecting an external terminal are simultaneously formed, and an ITO film is used as a wiring. The electrostatic protection comprises a bidirectional diode (electrostatic protective device) constituted by an MOS transistor connected between an electrode (pad) for connecting the external terminal and a common potential line. The electrostatic protective device is substantially a transistor having a large current capacity, and can be formed by using an ordinary TFT process for pixels without causing complexity.
摘要翻译：一种在较少的工艺步骤中制造具有反交错结构的非晶硅薄膜晶体管的新颖方法，配备有通过制造方法产生的静电保护的有源矩阵基板和使用该基板的液晶显示装置。在薄膜晶体管的生产过程中，同时形成接触孔和用于连接外部端子的开口，并且使用ITO膜作为布线。静电保护包括由连接在用于连接外部端子的电极（焊盘）和公共电位线之间的MOS晶体管构成的双向二极管（静电保护装置）。静电保护装置基本上是具有大电流容量的晶体管，并且可以通过使用用于像素的普通TFT工艺而不会引起复杂性而形成。

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