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1. 发明申请

WO2019005144A1 HIGH THROUGHPUT MOLECULAR BEAM EPITAXY AND APPARATUS FOR SELECTIVE EPITAXY 审中-公开
公开(公告)号：WO2019005144A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/US2017/040470
申请日：2017-06-30
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： MANIPATRUNI, Sasikanth , PLOMBON, John J. , SUNDARARAJAN, Shakuntala , LIN, Chai-Ching , CHAWLA, Jasmeet S. , YOUNG, Ian
IPC分类号： C30B23/02 , C30B31/20
CPC分类号： C30B23/02 , C23C14/30 , C23C14/545 , C30B23/005 , C30B23/04 , C30B29/22
摘要： An apparatus is provided which comprises: a chamber for molecular beam epitaxy (MBE); an effusion source at least partially embedded in the chamber; a handle in the chamber to hold a substrate; and a signal source to provide a bias to the substrate, wherein the bias is to influence a trajectory of a material from the effusion source to the substrate.

2. 发明申请

WO2017115852A1 ＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产ScAlMgO 4单晶的方法
公开(公告)号：WO2017115852A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/JP2016/089138
申请日：2016-12-28
申请人：株式会社福田結晶技術研究所
发明人：福田　承生
IPC分类号： C30B29/22
CPC分类号： C30B29/22
摘要：育成初期の白濁部の発生を防止することが可能なＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の製造方法を提供することを目的とする。　炉内容器内の融液に種結晶を接触させて引き上げを行うことによるＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の製造方法において、前記の引き上げ開始時における前記融液の組成を、ＳｃＡｌＭｇＯ４の化学量論比からずれた組成とし、引き上げ開始後、前記容器にＳｃＡｌＭｇＯ４の化学量論比を実質的に満たす溶液を補給することを特徴とするＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の製造方法である。
摘要翻译：以及用于制造的方法
能够防止生长混浊部ScAlMgO <子> 4 单晶的早期阶段发生的。在这ScAlMgO <子> 4 用于通过执行由晶种与炉内部容器的熔体，所述熔体的拉动起动，ScAlMgO <过程中组合物接触提拉的单晶制造方法子> 4 从化学计量比偏离的组合物，拉起开始后，补充基本填充ScAlMgO <子> 4 的溶液的化学计量在容器是一种生产特性ScAlMgO 4单晶的方法。

3. 发明申请

WO2017111161A1 発電材料、発電素子および発電システム审中-公开
标题翻译：发电材料，发电元件和发电系统
公开(公告)号：WO2017111161A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/JP2016/088714
申请日：2016-12-26
申请人：ダイハツ工業株式会社 , 国立大学法人長岡技術科学大学
发明人：金　周永 , 金　允護 , 山中　暁 , 中島　啓 , 加藤　敬典 , 田中　裕久 , 中山　忠親 , 武田　雅敏 , 山田　昇 , 新原　晧一
IPC分类号： H01L37/02 , C30B29/22 , H01L41/113 , H01L41/187 , H02N11/00
CPC分类号： C30B29/22 , H01L37/02 , H01L41/113 , H01L41/187 , H02N11/00
摘要：優れた発電効率を得ることができる発電材料、その発電材料からなる発電素子、および、その発電素子を用いて得られる発電システムを提供すること。下記一般式（１）で示されるリラクサーペロブスカイト型結晶構造を有する第１誘電体と、強誘電体からなる第２誘電体との固溶体からなる発電材料から、発電素子を得る。また、その発電素子を用いて、発電システムを得る。　Ｐｂ（Ｂ１ｘＢ２１－ｘ）Ｏ３　（１）（式中、Ｂ１は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｓｅ、ＩｎおよびＳｃからなる群から選択される少なくとも１種を示し、Ｂ２は、Ｎｂ、ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも１種を示し、ｘは、ｘは０＜ｘ＜１の数値範囲の原子割合を示す。）
摘要翻译：能够获得优异的发电效率的发电材料，包括该发电材料的发电元件以及通过使用该发电元件而获得的发电系统。发电元件由发电材料获得，所述发电材料包含具有由以下通式（1）表示的弛豫钙钛矿晶体结构的第一电介质和由铁电体制成的第二电介质的固溶体。另外，使用这种发电元件，我们获得发电系统。 O _{3 （1 1 ））其中B 1表示选自由Mg，Zn，Yb，Ni，Se，In和Sc组成的组中的至少一个成员，并且B ^{2 表示选自Nb，Ta和W中的至少一种元素，x表示在0}}

4. 发明申请

WO2017045310A1 一种氯酸铅红外非线性光学晶体及制备方法和用途审中-公开
公开(公告)号：WO2017045310A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/CN2015/099754
申请日：2015-12-30
申请人：中国科学院新疆理化技术研究所
发明人：潘世烈 , 张辉 , 张敏
IPC分类号： C30B29/22 , C30B11/00 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/12 , C01G21/006 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/01 , C30B9/06 , C30B9/08 , C30B11/00 , C30B11/14 , C30B15/00 , C30B15/36 , C30B17/00 , C30B29/22 , G02F1/3551 , G02F2203/11
摘要：本发明涉及一种氯酸铅红外非线性光学晶体材料及制备方法和用途，该光学材料的通式为Pb 2+x OCl 2+2x ，其中0＜x＜0.139或0.141＜x＜0.159或0.161＜x≤0.6，该光学晶体不具有对称中心，属正交晶系，空间群Fmm2，晶胞参数为a=33.4963(14)±0.05Å，b=5.8320(2)±0.05Å，c=16.0912(6)±0.05Å，采用化合物熔体法或助溶剂生长晶体。通过本发明所获得的晶体具有较强的能相位匹配的倍频效应(SHG)，Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾(KDP)的4倍，能够实现相位匹配，透过波段为0.34-7μm；激光损伤阈值是目前的商用的红外非线性光学晶体材AgGaS 2 的激光损伤阈值的9-10倍；不含结晶水,对空气稳定,且热稳定性较好。

5. 发明申请

WO2016148236A1 スピネル粒子およびその製造方法、並びに前記スピネル粒子を含む組成物および成形物审中-公开
标题翻译：螺旋体颗粒，其生产方法，以及包含螺旋体颗粒的组合物和模塑
公开(公告)号：WO2016148236A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/JP2016/058498
申请日：2016-03-17
申请人： DIC株式会社
发明人：沖　裕延 , 袁　建軍 , 木下　宏司
IPC分类号： C01F7/16 , C01G39/00 , C08K3/22 , C08L101/00 , C30B29/22
CPC分类号： C01F7/162 , C01F7/16 , C01G39/00 , C01P2002/32 , C01P2002/60 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/32 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08K2003/2217 , C08K2003/2227 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C08L101/00 , C09K5/14 , C30B29/22
摘要：　従来、スピネルは、上記のように宝石類、触媒担体、吸着剤、光触媒、光学材料、耐熱絶縁材料等の用途に適用されているが、熱伝導性を有する無機フィラーとしての用途は想定されていない。そこで、本発明は、熱伝導性に優れるスピネル粒子を提供することを目的とする。　マグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含むスピネルと、前記スピネルの表面および／または内部に配置されるモリブデンと、を含み、前記スピネルの［３１１］面の結晶子径が、１００ｎｍ以上である、スピネル粒子。
摘要翻译：通常，尖晶石已经被应用于诸如珠宝，催化剂载体，吸附剂，光催化剂，光学材料和耐热绝缘材料的应用中，但是未考虑对具有导热性的无机填料的应用。因此，本发明的目的是提供具有优异导热性的尖晶石颗粒。每个尖晶石颗粒包括：包含镁原子，铝原子和氧原子的尖晶石; 和设置在尖晶石表面和/或内部的钼。尖晶石的[311]面的微晶直径为100nm以上。

6. 发明申请

WO2016143859A1 磁気光学材料及びその製造方法、並びに磁気光学デバイス审中-公开
标题翻译：磁光材料，其制造方法和磁光器件
公开(公告)号：WO2016143859A1
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：PCT/JP2016/057600
申请日：2016-03-10
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：松本　卓士 , 碇　真憲
IPC分类号： C04B35/50 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B27/28
CPC分类号： G02F1/0036 , C01G19/006 , C01G23/003 , C01G25/006 , C01G27/006 , C01G35/006 , C01P2002/50 , C01P2002/76 , C04B35/50 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3248 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B27/28 , G02F1/093
摘要：　波長帯０．９～１．１μｍのファイバーレーザー光を吸収することなく、そのため熱レンズの発生を抑制した光アイソレータなどの磁気光学デバイスを構成するのに好適な透明な磁気光学材料として、下記式（１）で表される複合酸化物を主成分として含む透明セラミックス又は下記式（１）で表される複合酸化物の単結晶からなる磁気光学材料を提供する。　Ｔｂ 2x Ｒ 2(2-x) Ｏ 8-x 　（１）（式中、０．８００＜ｘ＜１．００であり、Ｒはシリコン、ゲルマニウム、チタン、タンタル、スズ、ハフニウム、ジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つの元素である（ただし、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルについては当該元素単独であることを除く）。）
摘要翻译：本发明提供一种透明的磁光材料，其不吸收0.9-1.1μm波长范围内的光纤激光，因此适合于构成光学隔离器等磁光器件，其中抑制了热透镜的形成是由包含由式（1）表示的复合氧化物作为主要成分的透明陶瓷或由式（1）表示的复合氧化物的单晶组成的磁光材料。 Tb2xR2（2-x）O8-x（1）（式中，0.800

7. 发明申请

WO2016058439A1 石榴石型荧光粉和制备方法及包含该荧光粉的装置审中-公开
公开(公告)号：WO2016058439A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/CN2015/085962
申请日：2015-08-03
申请人：有研稀土新材料股份有限公司 , 北京有色金属研究总院
发明人：庄卫东 , 钟继有 , 刘荣辉 , 李彦峰 , 刘元红 , 徐会兵 , 陈磊
IPC分类号： C09K11/80 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7792 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7769 , C09K11/7774 , C30B1/10 , C30B29/22 , H01L33/502 , H01L33/505
摘要：本发明涉及一种具有石榴石结构的可被紫外或蓝光有效激发的荧光粉及制备该荧光粉的方法以及包含该荧光体的发光装置、图像显示装置和照明装置。该荧光粉的化学式表示为：(M 1 a-xM 2 x)ZrbM 3 cOd，其中M 1 元素是选自Sr、Ca、La、Y、Lu及Gd中的一种或两种，其中必含有Ca或Sr，M 2 元素是选自Ce、Pr、Sm、Eu、Tb及Dy中的一种或两种，必含Ce，M 3 元素是选自Ga、Si、Ge中的至少一种，必含有Ga；2.8≤a≤3.2，1.9≤b≤2.1，2.8≤c≤3.2，11.8≤d≤12.2，0.002≤x≤0.6。

8. 发明申请

WO2015067039A1 氟硼酸钡钠双折射晶体的制备方法和应用审中-公开
公开(公告)号：WO2015067039A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/CN2014/078643
申请日：2014-05-28
申请人：中国科学院新疆理化技术研究所
发明人：潘世烈 , 张辉 , 张敏
IPC分类号： C30B29/12 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/22 , C01B35/066 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/12 , G02B1/08 , G02B5/30 , G02B27/283
摘要：一种Na 3 Ba 2 (B 3 O 6 ) 2 F双折射晶体的制备方法和应用，该晶体化学式为Na 3 Ba 2 (B 3 O 6 ) 2 F，属六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为a=7.3490(6)Å，c=12.6340(2)Å，V=590.93(12)Å 3 ，Z=2；该晶体用于红外-深紫外波段，为负单轴晶体，n e o ，透过范围：175-3350nm；双折射：0.090(3350nm)-0.240(175nm)之间，采用计量比熔体法或助熔剂法生长晶体；该方法晶体生长周期短，晶体质量高，晶体尺寸大；易于生长、切割、研磨、抛光和保存，空气中稳定，不易潮解；可用于各种偏振分束棱镜和红外-深紫外波段光通讯元件制作。

9. 发明申请

WO2014187167A1 四硼酸钡化合物和四硼酸钡非线性光学晶体及制法和用途审中-公开
公开(公告)号：WO2014187167A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/CN2014/071237
申请日：2014-01-23
申请人：中国科学院新疆理化技术研究所
发明人：潘世烈 , 陈兆慧
IPC分类号： C30B29/00 , C30B29/10 , C30B15/00 , G02F1/37 , G02F1/39 , C01B35/00 , C30B9/12
CPC分类号： G02F1/3551 , C01B35/126 , C30B9/08 , C30B15/00 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/10 , C30B29/22
摘要：本发明涉及四硼酸钡化合物和四硼酸钡非线性光学晶体及制法和用途，该四硼酸钡及其非线性光学晶体的化学式均为BaB 4 O 7 ，分子量均为292.58；四硼酸钡非线性光学晶体具有非中心对称结构，属六方晶系，空间群P6 5 ，晶胞参数为a=6.7233(6)Å，c=18.776(4)Å，V=735.01(17)Å 3 ，Z=6，其粉末倍频效应为KDP(KH 2 PO 4 ) 的2倍，紫外截止边低于170nm；四硼酸钡化合物采用固相反应法合成；四硼酸钡非线性光学晶体采用高温熔液法生长，该晶体机械硬度适中，易于切割、抛光加工和保存，在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。

10. 发明申请

WO2014104238A1 結晶材料、放射線検出器、撮像装置、非破壊検査装置、および照明機器审中-公开
标题翻译：晶体材料，辐射探测器，图像拾取装置，非破坏性检查装置和照明装置
公开(公告)号：WO2014104238A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/JP2013/084980
申请日：2013-12-26
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：吉川　彰 , 黒澤　俊介 , 横田　有為 , 庄子　育宏 , 鈴木　彬 , 宍戸　統悦
IPC分类号： C30B29/34 , C01B33/20 , C09K11/00 , C09K11/79 , C30B29/32 , G01T1/20 , G01T1/202 , G21K4/00
CPC分类号： G01T1/2023 , C09K11/7769 , C09K11/7774 , C09K11/7775 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/22 , C30B29/32 , C30B29/34 , G21K4/00
摘要：　一般式（１）：（Ｇｄ１－ｘ－ｙ－ｚＬａｘＭＥｙＲＥｚ）２（Ｓｉ１－ｖＭＭｖ）２Ｏ７　（１）で表されることを特徴とする結晶材料。ここで、式（１）中、ＭＥはＹ、Ｙｂ、ＳｃおよびＬｕから選択される少なくとも１種であり、ＲＥは遷移金属または希土類元素、ＭＭはＧｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒから選択される少なくとも１種であり、ｘ、ｙ、ｚ及びｖの範囲は、下記の（ｉ）または（ｉｉ）で表される。（ｉ）０．０５≦ｘ＋ｚ≦１．０、且つ、０．０≦ｙ≦１．０、且つ、０．０００１≦ｚ＜０．０５、且つ、ｖ=０．０(ただしＲＥがＣｅのときはｙ＝０を除く)、（ｉｉ）０．０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１．０、且つ、０．０００１≦ｚ≦０．０５、且つ、０．０＜ｖ。これにより、高い発光量を持ち、蛍光寿命の短い結晶材料、ならびにこれを用いた放射線検出器、撮像装置、非破壊検査装置、および照明機器を提供する。
摘要翻译：本发明提供的特征在于通式（1）表示的结晶性物质：（Gd1-x-y-zLaxMEyREz）2（Si1-vMMv）2O7（1）。在式（1）中，ME是选自Y，Yb，Sc和Lu中的至少一种元素，RE是过渡金属或稀土元素，MM是选自Ge，Sn，Hf和Zr中的至少一种元素，并且x，y，z和v的范围由（i）或（ii）定义。（i）0.05≤x+z≤1.0,0.0≤y≤1.0,0.0001≤z<0.05，v = 0.0（然而，当RE为Ce时，y不能为0），（ii）0.0≤x+ y + z ≤1.0，0.0001≤z≤0.05，0.0

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