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    • 1. 发明申请
    • 가지 형태의 나노기공을 포함하는 이온다이오드막 및 그 제조 방법
    • 包含分支形式的纳米孔的离子二极管膜及其制造方法
    • WO2018070612A1
    • 2018-04-19
    • PCT/KR2016/014809
    • 2016-12-16
    • 주식회사 넥스트이앤엠
    • 최기운안태주정재훈김종영맹재영
    • C25D11/24C25D11/02C25D11/04C25D11/16B01D71/02
    • B01D71/02C25D11/02C25D11/04C25D11/16C25D11/24
    • 본 발명은 가지 형태의 나노기공이 집적되어 이온선택성과 이온정류특성을 갖는 이온다이오드막과 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 막 내부에서 나노기공이 지속적으로 분기되면서 나노기공 축을 따라서 단위 면적당 나노기공의 개수는 점차적으로 증가하고 기공의 직경과 기공간의 간격은 점차적으로 감소하는 가지 구조의 나노기공이 집적된 형태의 막으로서 나노기공의 구조적 비대칭에 의한 이온 농도구배가 나노 기공 축을 따라서 유도되어 이온 정류특성이 발현되고, 높은 이온선택성과 동시에 낮은 막저항 특성이 발현되는 이온다이오드막과, 양극산화 공정조건을 조절하여 이온다이오드막의 형태를 설계에 따라서 자유롭게 제어함으로써 이온다이오드막의 정류특성 및 이온선택성, 막저항 등의 다양한 막의 특성을 조절할 수 있는 이온다이오드막 제조방법에 관한 것이다.
    • 本发明是纳米孔的形式被集成离子选择性,更具体地说,在膜中的纳米孔涉及离子二极管膜和连续具有离子特性的整流及其制造方法 分支为纳米多孔轴因此每纳米孔的单位面积数量逐渐增加,并且孔径和组空间之间的间隔是逐渐被纳米多孔的结构不对称离子不同结构的纳米孔的膜,以减少所述的整合的形式 浓度梯度是沿着轴线纳米孔离子整流特性诱导表达自如按照离子二极管薄膜形式的设计通过控制离子二极管膜,高离子选择性,并在同一时间,阳极氧化处理条件的表达低的膜电阻控制 各种薄膜的特性,如离子二极管薄膜的整流特性,离子选择性和薄膜电阻 本发明涉及一种制造可控制的离子二极管膜片的方法。