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1. 发明申请

WO2012097947A1 DIODENLASER MIT HOHER EFFIZIENZ 审中-公开
标题翻译：高效率二极管
公开(公告)号：WO2012097947A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/EP2011/074133
申请日：2011-12-28
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans , CRUMP, Paul
发明人： ERBERT, Götz , WENZEL, Hans , CRUMP, Paul
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3213 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode mit hohem Wirkungsgrad, geringem optischen Verlust und geringem ohmschen Widerstand anzugeben. Darüber hinaus soll die erfindungsgemäße Laserdiode preiswert herstellbar sein. Die erfindungsgemäße Laserdiode weist eine erste n-leitend ausgebildete Mantelschicht (14), eine erste n-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine zweite p-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, und eine zweite p-leitend ausgebildete Mantelschicht (18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, auf, wobei erfindungsgemäß die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) größer als 1 μm ist und die Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) kleiner als 150 nm ist, wobei die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die zweite Mantelschicht (18), die erste Wellenleiterschicht (12) und die zweite Wellenleiterschicht (16) derart ausgebildet sind, dass die maximale Modenintensität der Grundmode (24) in einem Bereich außerhalb der aktiven Schicht (10) liegt, und wobei die Differenz der Brechzahl der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahl der ersten Mantelschicht (14) zwischen 0,04 und 0,01 beträgt.
摘要翻译：本发明涉及一种具有高效率的激光二极管。本发明提供具有高效率，低光学损耗和低欧姆电阻的激光二极管的一个目的。另外，本发明的激光二极管被廉价地制造。根据本发明的激光二极管包括：第一n型导电性形成鞘（14），（12），设置在所述第一n型导电性形成波导层的第一包层（14），有源层（10），其适合于产生辐射，并且与第一波导层（12）被布置在，形成在所述有源层上的p型导电性形成第二波导层（16）（10）被设置，并形成了p型导电性的第二覆盖层（18）形成在所述第二波导层上（16）设置在，其特征在于，根据本发明的大于1微米并且所述第二波导层的（层厚度的第一波导层（12），有源层（10）的层的厚度和所述第二波导层（16）的层厚度的厚度的总和 16）小于150纳米，其中所述活性层（10），所述第一包层（14），第二包层（18），所述第一波导层（12）和二 È第二波导层（16）被形成为使得所述基模的最大模强度（24）位于的区域中的有源层（10）的外部，并且其中，在所述第一波导层（12）和所述第一包层的折射率的折射率的差（ 14）为0.04〜0.01。

2. 发明申请

WO2012034972A2 LASERDIODE MIT HOHER EFFIZIENZ 审中-公开
标题翻译：激光二极管高效率
公开(公告)号：WO2012034972A2
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/065751
申请日：2011-09-12
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , CRUMP, Paul , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans
发明人： CRUMP, Paul , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/20 , A61B18/203 , A61B2018/00476 , A61B2090/049 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S2301/185
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lichtquelle mit gleichzeitig hohem Wirkungsgrad und hoher Augensicherheit anzugeben. Dazu soll die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die erste Wellenleiterschicht (12), die zweite Wellenleiterschicht (16) und die zweite Mantelschicht (18) derart ausgebildet sein, dass 0,01 μm ≤ d wL ≤ 1,0 μm und Δn ≥ 0,04 gilt, wobei d wL die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) ist und Δn ein Maximum der Brechzahldifferenz zwischen der ersten Mantelschicht (14) und der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahldifferenz zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der zweiten Mantelschicht (18) ist.
摘要翻译：本发明涉及一种高效率和高眼睛安全性的激光二极管。本发明的目的是提供同时具有高效率和高度安全性的光源。对于这一点，在有源层（10），所述第一包层（14），所述第一波导层（12），第二波导层（16）和所述第二包层（18）应该被构造成使得0.01微米≤d <子> WL ≤1.0微米和.DELTA.n≥0.04成立，其中d <子> WL 所述第一波导层（12），有源层（10）的层厚度的厚度之和与该层厚度是所述第二波导层（16）和.DELTA.n是一个最大的第一包层（14）和所述第一波导层（12）和所述第二波导层（16）和所述第二包层（18）之间的折射率差的折射率差的

3. 发明申请

WO2020156775A1 VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG VON LASERSTRAHLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020156775A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/EP2020/050462
申请日：2020-01-09
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
发明人： ERBERT, Götz , WENZEL, Hans , KNIGGE, Steffen , MARTIN, Christian Dominik , MAASSDORF, Andre , DELLA CASA, Pietro , KNIGGE, Andrea , CRUMP, Paul
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/223 , H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/22 , H01S5/20 , H01S5/16 , H01S5/30 , H01S5/026
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zu Erzeugung von Laserstrahlung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode anzugeben, die gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Fernfelddivergenz aufweist. Der erfindungsgemäßer Diodenlaser umfasst eine Strombarriere (5), dadurch gekennzeichnet, dass sich die Strombarriere (5) entlang einer dritten Achse (X) erstreckt, wobei die Strombarriere (5) mindestens eine Öffnung aufweist, und eine erste Breite (W1) der Öffnung der Strombarriere (5) entlang der dritten Achse (X) kleiner als eine zweite Breite (W2) des metallischen p-Kontaktes (8) entlang der dritten Achse (X) ist.

4. 发明申请

WO2018138209A1 DIODENLASER MIT VERBESSERTEM MODENPROFIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2018138209A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/EP2018/051856
申请日：2018-01-25
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
发明人： KAUL, Thorben , ERBERT, Götz , CRUMP, Paul
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/32
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit verbessertem Modenprofil. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifen-Halbleiterlaser basierend auf einer Extrem Doppel-Asymmetrischen Struktur (EDAS), wobei durch ein optimiertes Modenprofil mit einem verbesserten Modeneinschluss die Leckstromraten und der Serienwiderstand gesenkt,sowie die Ladungsträgerdichte innerhalb des lichtführenden Wellenleiters und der aktiven Zone reduziert werden kann. Der erfindungsgemäße Diodenlaser umfasst eine n-leitend ausgebildete erste Mantelschicht (14), eine n-leitend ausgebildete erste Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine p-leitend ausgebildete zweite Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, eine p-leitend ausgebildete zweite Mantelschicht(18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, wobei zwischen der ersten Wellenleiterschicht (12) und der aktiven Schicht (10) eine n-leitend ausgebildete erste Zwischenschicht (11) als Übergangsbereich ausgebildet ist, und zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der aktiven Schicht (10) eine p-leitend ausgebildete zweite Zwischenschicht (15) als Übergangsbereich ausgebildet ist. Dabei ist der erfindungsgemäße Diodenlaser dadurch gekennzeichnet, dass das Asymmetrie-Verhältnisaus der Dicke der ersten Zwischenschicht (11) zur Summe aus der Dicke der ersten Zwischenschicht (11) und der Dicke der zweiten Zwischenschicht (15) kleiner oder größer als 0,5 ist.

5. 发明申请

WO2017001062A1 LASERDIODE MIT VERTEILTER RÜCKKOPPLUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：根据上述制造分布反馈和方法激光二极管
公开(公告)号：WO2017001062A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/055019
申请日：2016-03-09
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
发明人： FRICKE, Jörg , ERBERT, Götz , CRUMP, Paul , DECKER, Jonathan
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/1225 , H01S5/026 , H01S5/1221 , H01S5/1231 , H01S5/2086
摘要： Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (100) umfassend: eine aktive Schicht (10); einen die aktive Schicht (10) zumindest teilweise umgebenden wellenführenden Bereich (12); eine Rückfacette (14); eine zur Auskopplung von Laserstrahlung ausgelegte Frontfacette (16), wobei sich die aktive Schicht (10) zumindest teilweise entlang einer ersten Achse (X) zwischen der Rückfacette (14) und der Frontfacette (16) erstreckt; und ein Gitter (18), das mit dem wellenführenden Bereich (12) wirkverbunden ist, wobei das Gitter (18) eine Vielzahl von Stegen (22) und Gräben (24) umfasst, dadurch gekennzeichnet, die Vielzahl der Gräben (24) derart ausgebildet ist, dass ein mittlerer Anstieg eines Kopplungsparameters P für die Vielzahl der Gräben (24) entlang des Gitters (18) ungleich Null ist, wobei der Kopplungsparameter P eines Grabens (24) durch die Formel (I) definiert ist, wobei d res ein Abstand des Grabens (24) zur aktiven Schicht (10), w eine Breite des Grabens (24) und Δ n der Brechzahlunterschied zwischen einer Brechzahl des Grabens (24) und einer Brechzahl eines den Graben (24) umgebenden Materials ist. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Laserdiode, bei der eine verteilte Rückkopplung über ein Oberflächengitter hoher Ordnung bei einseitiger Strahlungsauskopplung erfolgt und bei der die Kopplungsstärke des Gitters an die Leistungsdichte der in der Laserdiode geführten Welle angepasst ist.
摘要翻译：本发明涉及一种激光二极管（100），包括：有源层（10）; 有源层（10）至少部分地围绕所述波导区（12）; 一后端面（14）; 一个设计用于激光辐射前端面（16），其中所述活性层（10）至少沿第一轴（X）部分地在后端面（14）和前小平面（16）之间延伸的耦合; 并且其可操作地连接到导波区域（12）的格栅（18），所述栅格（18）的多个焊盘（22）和沟槽（24）的，其特征在于，所述多个沟槽（24）被设计成是一个耦合参数P的沿光栅（18），所述多个沟槽（24）的平均增加是不为零，其特征在于，一个沟槽（24）由式（I）的耦合参数P被定义，其中d RES，一个距离该沟槽（24）与有源层（10），w为所述沟槽（24）和周围材料中的沟槽（24）的折射率的折射率之间的折射率差的沟槽（24）和.DELTA.n的宽度。特别地，本发明涉及其中分布式反馈光栅表面上的高次与片面辐射耦合，并且其中所述光栅的耦合强度适于在激光二极管的导波的功率密度下进行激光二极管。

6. 发明申请

WO2016131910A1 LASERDIODE MIT VERBESSERTEN ELEKTRISCHEN LEITEIGENSCHAFTEN 审中-公开
标题翻译：具有改进的电传导性能激光二极管
公开(公告)号：WO2016131910A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/EP2016/053442
申请日：2016-02-18
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
发明人： FRICKE, Jörg , DECKER, Jonathan , CRUMP, Paul , ERBERT, Götz
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/042 , H01S5/12 , H01S5/22 , H01S5/50 , H01S5/20 , H01S5/022
CPC分类号： H01S5/1064 , H01S5/0224 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/1203 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/50
摘要： Die Laserdiode (10) der Erfindung weist zumindest eine aktive Schicht (12) auf, die innerhalb eines Resonators (14) angeordnet und mit einem Auskoppeleiement (16) wirkverbunden ist und weiterhin zumindest eine Kontaktschicht (18) zum Einkoppeln von Ladungsträgern in die aktive Schicht (12), wobei der Resonator (14) mindestens eine erste Sektion (20) und eine zweite Sektion (22) aufweist, wobei sich die maximale Breite (W1) der aktiven Schicht (12) in der ersten Sektion (20) von der maximalen Breite (W2) der aktiven Schicht (12) in der zweiten Sektion (22) unterscheidet, und Projektion der Kontaktschicht (18) entlang einer ersten sich senkrecht zur aktiven Schicht (12) erstreckenden ersten Achse ( Z 1) sowohl mit der ersten Sektion (20) als auch mit der zweiten Sektion (22) überlappt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die zweite Sektion (22) eine Vielzahl separater Widerstandselemente (24) aufweist, deren spezifischer elektrischer Widerstand größer als der spezifische elektrische Widerstand der Bereiche (26) zwischen benachbarten Widerstandselemente (24) ist, wobei eine Breite (W3) der Widerstandselemente (24) entlang einer Längsachse (X1) der aktiven Schicht (12) kleiner als 20 µm ist und eine Projektion der Widerstandselemente (24) auf die aktive Schicht (12) entlang der ersten Achse (Z1) mit mindestens 10 % der aktiven Schicht (12) überlappt.
摘要翻译：本发明的激光二极管（10）包括至少一个活性层（12），设置在谐振器（14）内，并且可操作地连接到一个Auskoppeleiement（16）并且还包括至少一个接触层（18）用于注入电荷载流子向活性层（12），其中，所述谐振器（14）包括至少的一个第一部分（20）和第二部分（22），其中所述有源层的最大宽度（W1）（12）在第一部分（20）的最大宽度在所述第二部分（22）的不同之处有源层（12）的（W2），并与第一部分中的接触层（18）沿着第一垂直延伸的第一轴（Z1）在有源层（12）的突起（20 （）和与第二部分22）重叠。根据本发明，提供的是所述第二部分（22）的多个单独的电阻器元件（24），其比电阻比所述区域的相邻电阻元件之间的电阻率（26），（24），大于其中的宽度（W3）电阻元件（24）沿所述有源层的纵向轴线（X1）（12）小于20微米，和在有源层（12）上的电阻元件（24）的投影沿所述第一轴（Z1）与活性层的至少10％的（12）重叠。

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