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    • 2. 发明申请
    • MEMSスイッチ
    • MEMS开关
    • WO2005062332A1
    • 2005-07-07
    • PCT/JP2004/019032
    • 2004-12-20
    • 松下電器産業株式会社橋村 昭範内藤 康幸中村 邦彦中西 淑人
    • 橋村 昭範内藤 康幸中村 邦彦中西 淑人
    • H01H59/00
    • H01H59/0009H01H2001/0078
    •    製造が容易かつ微細で、十分なON/OFF静電容量変化比を得ることができるMEMSスイッチを提供する。    基板46と、前記基板表面に形成された導電性梁42と、前記基板表面に形成され、前記導電性梁に対向する位置に配置された3層構造梁B1,B2とを備えるMEMSスイッチであって、前記3層構造梁は、第1の導電体層38,40、第2の導電体層30,32、及び前記第1の導電体層と前記第2の導電体層に挟まれた誘電体層34,36を含み、前記第1の導電体層は、前記導電性梁42に対向しており、前記導電性梁42及び前記3層構造梁の少なくとも一方が、前記基板46に平行な面上で静電力によって変位して前記導電性梁42と前記第1の電極38,40が接触可能であり、前記導電性梁42と前記第1の導電体層が接触時に、前記導電性梁42と前記第2の導電体層30,32との間で導電路が形成されることを特徴とする。
    • 精密的MEMS开关易于生产,并具有足够的IN / OFF电容变化率。 MEMS开关包括基板(46),形成在基板上的导电梁(42)和形成在基板上并与导电梁相对的三层结构梁(B1,B2)。 MEMS开关的特征在于,三层结构梁包括介于相应的第一和第二导电层之间的第一导电层(38,40),第二导电层(30,32)和介电层(34,36) 第一导电层与导电梁(42)相对,导电梁(42)和三层结构梁中的至少一个通过平行于基板(46)的平面中的静电力而变形,从而 使导电梁(42)和第一电极(38,40)彼此接触,并且当导电梁(42)和第二导电层(30,32)之间的导电路径 42)并且第一导电层彼此接触。