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1. 发明申请

WO2007058010A1 半導体圧力センサおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2007058010A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/JP2006/317053
申请日：2006-08-30
申请人：三菱電機株式会社 , 出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
发明人：出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
摘要：　半導体圧力センサは、シリコン支持基板（１）と、シリコン支持基板（１）上に形成された絶縁層（２）と、絶縁層（２）上に形成されたシリコン薄板（３）とを備えている。シリコン支持基板（１）にはその厚さ方向に延びる貫通孔（１ａ）が形成されている。貫通孔（１ａ）の延長線上に位置するシリコン薄板（３）は、外部からの圧力によって変形するダイヤフラム（２３）として機能する。絶縁層（２）は、ダイヤフラム（２３）の下面の全体にわたって残存している。絶縁層（２）の厚さは、ダイヤフラム（２３）の周縁部から中央部に向かって小さくなっている。これによれば、オフセット電圧および温度変化に起因した出力電圧の変動量の双方を低減し得る半導体圧力センサおよびその製造方法が得られる。
摘要翻译：半导体压力传感器包括硅支撑基板（1），形成在硅支撑基板（1）上的绝缘层（2）和形成在绝缘层（2）上的硅薄板（3）。在硅支撑基板（1）上形成在硅支撑基板（1）的厚度方向上延伸的通孔（1a）。位于通孔（1a）的延伸部上的硅薄板（3）用作通过外部压力变形的隔膜（23）。绝缘层（2）保持在隔膜（23）的整个下表面上。绝缘层（2）的厚度从隔膜（23）的周边部分向中心部分减小。这提供了半导体压力传感器能够降低偏移电压和由温度变化引起的输出电压的变化及其制造方法。

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