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1. 发明申请

WO2012023406A1 積層セラミック電子部品审中-公开
标题翻译：层压陶瓷电子元件
公开(公告)号：WO2012023406A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/JP2011/067395
申请日：2011-07-29
申请人：株式会社村田製作所 , 鈴木祥一郎 , 中村将典 , 伴野晃一 , 神崎泰介 , 塩田彰宏 , 大塚正博
发明人：鈴木　祥一郎 , 中村　将典 , 伴野　晃一 , 神崎　泰介 , 塩田　彰宏 , 大塚　正博
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1218 , C04B35/4682 , C04B37/006 , C04B2237/121 , C04B2237/346 , H01B3/12 , H01G4/008 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：　低温焼成が可能であり、かつ良好な耐湿特性を示す積層セラミック電子部品を提供する。　積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数の内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記セラミック層が、チタン酸バリウム系化合物からなる主成分およびＢｉ 2 Ｏ 3 を含む組成を有し、かつ、前記内部電極の主成分がＡｌである。
摘要翻译：提供一种层叠陶瓷电子部件，其在低温下烧制并具有优异的防潮特性。层叠陶瓷电子部件包括：层叠体，其设置有多个层叠陶瓷层;多个内部电极，沿着陶瓷层之间的规定界面形成; 以及形成在层叠体的外表面上的外部电极。陶瓷层具有包括Bi 2 O 3的组成和由钛酸钡化合物构成的主要成分，内部电极的主要成分为Al。

2. 发明申请

WO2009041160A1 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ审中-公开
标题翻译：电介质陶瓷和层压陶瓷电容器
公开(公告)号：WO2009041160A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/064006
申请日：2008-08-05
申请人：株式会社村田製作所 , 大塚正博
发明人：大塚正博
IPC分类号： C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/85 , H01B3/12
摘要：　積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体セラミック材料であって、１.２５ｋＶ／ｍｍ程度のＤＣバイアスが印加されても、高い誘電率を示す誘電体セラミックを提供する。チタン酸バリウム系化合物を主成分とし、副成分としてＲ１（Ｒ１はＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種）、およびＲ２（Ｒ２はＹ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂから選ばれる少なくとも１種）を含む組成を有する誘電体セラミックにおいて、上記の主成分１００モル部に対するＲ１の総含有量をαモル部、Ｒ２の総含有量をβモル部とするとき、上記の結晶粒子の断面を観察したとき、結晶粒子の表面から結晶粒子内部に向かって１０ｎｍ以上離れた点におけるＲ１の濃度がα／２以上、Ｒ２の濃度がβ／５未満（０を含む）である結晶粒子が全体の６０％以上である。
摘要翻译：本发明提供一种用于层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷材料，其即使在施加约1.25kV / mm的DC偏压时也能提供具有高介电常数的电介质陶瓷。电介质陶瓷具有主要由钛酸钡化合物组成的组成，并且含有作为附加成分的R1（其为选自La，Nd，Sm，Gd和Dy中的至少一种元素）和R2（其为至少一种元素选自Y，Ho，Er和Yb）。观察结晶粒子的截面时，不少于60％的晶体颗粒是由表面上离开不少于10nm的点的R1浓度和R2浓度的颗粒构成的的晶体粒子分别不小于a / 2且小于β/ 5（包括0），其中a表示基于100重量份主成分的R1的总含量，摩尔比 ß代表基于100份摩尔主要组分的摩尔份数的R2的总含量。

3. 发明申请

WO2012043207A1 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法审中-公开
标题翻译：多层陶瓷电子元件及多层陶瓷电子元件的制造方法
公开(公告)号：WO2012043207A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/JP2011/070711
申请日：2011-09-12
申请人：株式会社村田製作所 , 鈴木祥一郎 , 中村将典 , 伴野晃一 , 神崎泰介 , 塩田彰宏 , 大塚正博
发明人：鈴木　祥一郎 , 中村　将典 , 伴野　晃一 , 神崎　泰介 , 塩田　彰宏 , 大塚　正博
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
摘要：　機械的特性および電気特性に優れ、かつ、コストパフォーマンスに優れる積層セラミック電子部品を提供する。　積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数のＡｌを主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記内部電極が扁平形状を有するＡｌ粒子を有することを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供了具有优异的机械和电学性能并且具有优异的性价比的多层陶瓷电子部件。多层陶瓷电子部件包括：层叠体，其具有多个层叠陶瓷层，以及多个内部电极，分别沿着所述陶瓷层的界面形成并含有Al作为主要成分; 以及形成在层叠体的外表面上的外部电极。多层陶瓷电子部件的特征在于内部电极含有平坦的Al颗粒。

4. 发明申请

WO2011162044A1 誘電体セラミック組成物、および積層セラミック電子部品审中-公开
标题翻译：电介质陶瓷组合物和多层陶瓷电子元件
公开(公告)号：WO2011162044A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/JP2011/061253
申请日：2011-05-17
申请人：株式会社村田製作所 , 中村将典 , 大塚正博 , 鈴木祥一郎 , 伴野晃一 , 神崎泰介 , 塩田彰宏
发明人：中村　将典 , 大塚　正博 , 鈴木　祥一郎 , 伴野　晃一 , 神崎　泰介 , 塩田　彰宏
IPC分类号： C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： C04B35/48 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/30
摘要：　低温焼成が可能であり、かつ良好な誘電特性を示す誘電体セラミック組成物、およびそれを用いた積層セラミック電子部品を提供する。　（Ｂａ 1-x-y Ｃａ x Ｓｒ y ）（Ｔｉ 1-z-w Ｚｒ z Ｈｆ w ）Ｏ 3 （ただし、０≦ｘ＋ｙ≦０．２、０≦ｚ＋ｗ≦０．１）を主成分とし、ＣｕＯおよびＢｉ 2 Ｏ 3 を含む誘電体セラミック組成物であって、前記主成分１００重量部に対する前記ＣｕＯおよびＢｉ 2 Ｏ 3 の合計含有量が１０重量部以上であり、かつ、モル比ＣｕＯ／（ＣｕＯ＋Ｂｉ 2 Ｏ 3 ）が０．５以下であることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种电介质陶瓷组合物，其可在低温下烧制并具有优异的介电特性; 以及使用该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电子部件。具体公开了含有（Ba1-x-yCaxSry）（Ti1-z-wZrzHfw）O3（其中0 = x + y = 0.2和0 = z + w = 0.1）作为主要成分并且还含有CuO 和Bi2O3。电介质陶瓷组合物的特征在于，相对于主成分100重量份，CuO和Bi 2 O 3的总含量为10重量份以上，CuO /（CuO + Bi 2 O 3）的摩尔比为0.5以下。

5. 发明申请

WO2011114808A1 積層セラミック電子部品审中-公开
标题翻译：层压陶瓷电子元件
公开(公告)号：WO2011114808A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/JP2011/052527
申请日：2011-02-07
申请人：株式会社村田製作所 , 鈴木祥一郎 , 伴野晃一 , 中村将典 , 大塚正博 , 神崎泰介 , 塩田彰宏
发明人：鈴木　祥一郎 , 伴野　晃一 , 中村　将典 , 大塚　正博 , 神崎　泰介 , 塩田　彰宏
IPC分类号： H01G4/30 , H01B1/02 , H01G4/12 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC分类号： H01G4/12 , H01B3/12 , H01G4/008 , H01G4/30 , H01L41/0471 , H01L41/0477
摘要：　機械的特性および内部電極の耐蝕性に優れ、かつ、セラミック材料設計の自由度が高く低コストかつ低不良率にて様々な特性を有する積層セラミック電子部品を提供する。　積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のＡｌ／Ｍｎ合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Ａｌ／Ｍｎ合金のＡｌ／Ｍｎ比が８０／２０以上である。
摘要翻译：公开了一种层状陶瓷电子部件，其具有优异的机械特性，优异的内部电极的耐腐蚀性，陶瓷材料设计中的高自由度，低成本，低缺陷率以及各种特性。层叠陶瓷电子部件包括：具有多个层叠陶瓷层的层叠体和通过以Al-Mn合金为主要成分沿陶瓷层的特定界面形成的多个内部电极; 以及形成在层叠体的外表面上的外部电极。 Al-Mn合金的Al / Mn比为80/20以上。

6. 发明申请

WO2011114806A1 積層セラミック電子部品审中-公开
标题翻译：层压陶瓷电子元件
公开(公告)号：WO2011114806A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/JP2011/052525
申请日：2011-02-07
申请人：株式会社村田製作所 , 神崎泰介 , 伴野晃一 , 大塚正博 , 鈴木祥一郎 , 塩田彰宏 , 中村将典
发明人：神崎　泰介 , 伴野　晃一 , 大塚　正博 , 鈴木　祥一郎 , 塩田　彰宏 , 中村　将典
IPC分类号： H01G4/30 , H01B1/02 , H01G4/12 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC分类号： H01G4/12 , H01B3/12 , H01G4/008 , H01G4/30 , H01L41/0471 , H01L41/1876
摘要：　機械的特性および内部電極の耐蝕性に優れ、かつ、セラミック材料設計の自由度が高く低コストかつ低不良率にて様々な特性を有する積層セラミック電子部品を提供する。　積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のＡｌ／Ｔｉ合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Ａｌ／Ｔｉ合金のＡｌ／Ｔｉ比が９１／９以上である。
摘要翻译：公开了一种层状陶瓷电子部件，其具有优异的机械特性，优异的内部电极的耐腐蚀性，陶瓷材料设计中的高自由度，低成本，低缺陷率以及各种特性。层叠陶瓷电子部件包括：具有多个层叠陶瓷层的层叠体和通过以Al-Ti合金为主要成分沿着陶瓷层之间的特定界面形成的多个内部电极; 以及形成在层叠体的外表面上的外部电极。 Al-Ti合金的Al / Ti比为91/9以上。

7. 发明申请

WO2011114805A1 積層セラミック電子部品审中-公开
标题翻译：层压陶瓷电子元件
公开(公告)号：WO2011114805A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/JP2011/052524
申请日：2011-02-07
申请人：株式会社村田製作所 , 塩田彰宏 , 伴野晃一 , 大塚正博 , 鈴木祥一郎 , 神崎泰介 , 中村将典
发明人：塩田　彰宏 , 伴野　晃一 , 大塚　正博 , 鈴木　祥一郎 , 神崎　泰介 , 中村　将典
IPC分类号： H01G4/30 , H01B1/02 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/12 , H01B3/12 , H01F17/0013 , H01G4/008 , H01G4/30
摘要：　機械的特性および内部電極の耐蝕性に優れ、かつ、セラミック材料設計の自由度が高く低コストかつ低不良率にて様々な特性を有する積層セラミック電子部品を提供する。　積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のＡｌ／Ｍｇ合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Ａｌ／Ｍｇ合金のＡｌ／Ｍｇ比が６５／３５以上である。
摘要翻译：公开了一种层状陶瓷电子部件，其具有优异的机械特性，优异的内部电极的耐腐蚀性，陶瓷材料设计中的高自由度，低成本，低缺陷率以及各种特性。层叠陶瓷电子部件包括：具有多个层叠陶瓷层的层叠体和通过以Al-Mg合金为主要成分沿陶瓷层的特定界面形成的多个内部电极; 以及形成在层叠体的外表面上的外部电极。 Al-Mg合金的Al / Mg比为65/35以上。

8. 发明申请

WO2004110298A1 根尖位置検出装置审中-公开
标题翻译： ROOT APEX位置传感器
公开(公告)号：WO2004110298A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/007046
申请日：2004-05-18
申请人：藤栄電気株式会社 , 庄司茂 , 大塚正博
发明人：庄司茂 , 大塚正博
IPC分类号： A61C19/04
CPC分类号： A61C19/04 , A61C19/042
摘要：測定電極の先端が根管の根尖位置に位置した状態での、測定電極と口腔電極間の電気的特性値に関する根尖位置モデルデータを記憶部に記憶しておく。根管内に挿入される測定電極１０と口腔電極１１の間に、電源１から５００Ｈｚと２ＫＨｚの測定用信号を印加する。測定電極と口腔電極との間に流れる２種類の電流値を検出し、これらの電流値を記憶部９に記憶された根尖位置モデルデータと比較し、根尖位置モデルデータ中に一致したデータがある場合、測定電極の先端が根尖位置に位置したことを検出する。
摘要翻译：在测量电极的尖端处于根管的根尖的位置处的测量电极和安装电极之间的电特性值的根顶位置模型数据被存储在存储部中。在插入根管（10）的测量电极（10）和电极（1）之间施加频率为500Hz至2KHz的测量信号。测量在测量电极和嘴电极之间流动的两个电流的值，并将其与存储在存储部分（9）中的根顶点位置模型数据进行比较。如果值与根顶点位置模型数据中的任何数据一致，则测量电极的尖端被判断为根顶点的位置。

9. 发明申请

WO2011114804A1 積層セラミック電子部品审中-公开
标题翻译：层压陶瓷电子元件
公开(公告)号：WO2011114804A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/JP2011/052521
申请日：2011-02-07
申请人：株式会社村田製作所 , 中村将典 , 大塚正博 , 鈴木祥一郎 , 伴野晃一 , 神崎泰介 , 塩田彰宏
发明人：中村　将典 , 大塚　正博 , 鈴木　祥一郎 , 伴野　晃一 , 神崎　泰介 , 塩田　彰宏
IPC分类号： H01G4/12 , H01B1/02 , H01G4/30 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/008 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01L41/0471 , H01L41/0472 , H01L41/0477 , H01L41/293 , H01L41/297
摘要：　機械的特性および内部電極の耐蝕性に優れ、かつ、セラミック材料設計の自由度が高く低コストかつ低不良率にて様々な特性を有する積層セラミック電子部品を提供する。　積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のＡｌ／Ｃｕ合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Ａｌ／Ｃｕ合金のＡｌ／Ｃｕ比が８０／２０以上である。
摘要翻译：公开了一种层状陶瓷电子部件，其具有优异的机械特性，优异的内部电极的耐腐蚀性，陶瓷材料设计中的高自由度，低成本，低缺陷率以及各种特性。层叠陶瓷电子部件包括：具有多个层叠陶瓷层的层叠体和通过以Al-Cu合金为主要成分沿陶瓷层的特定界面形成的多个内部电极; 以及形成在层叠体的外表面上的外部电极。 Al-Cu合金的Al / Cu比为80/20以上。

10. 发明申请

WO2012128175A1 積層セラミックコンデンサ、誘電体セラミック、積層セラミック電子部品および積層セラミックコンデンサの製造方法审中-公开
标题翻译：层压陶瓷电容器，电介质陶瓷，层压陶瓷电子元件及生产层压陶瓷电容器的方法
公开(公告)号：WO2012128175A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/JP2012/056688
申请日：2012-03-15
申请人：株式会社村田製作所 , 鈴木祥一郎 , 伴野晃一 , 塩田彰宏 , 大塚正博 , 神崎泰介 , 中村将典
发明人：鈴木　祥一郎 , 伴野　晃一 , 塩田　彰宏 , 大塚　正博 , 神崎　泰介 , 中村　将典
IPC分类号： C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/44 , C04B2235/5454 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , H01B3/12 , H01G4/1236 , H01G4/30
摘要：　十分な低温焼成が可能であり、かつ高温での比抵抗が高い誘電体セラミック、およびそれを用いた積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサなど）を提供する。　積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体セラミック層３と、誘電体セラミック層３間の界面に沿って形成される複数の内部電極４とを備える積層体２と、積層体２の外表面上に形成された外部電極８、９とを含み、積層体２の組成が、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物（ただし、Ｂａの一部はＣａで置換されていても良く、Ｔｉの一部はＺｒで置換されていても良い）を主成分とし、さらに、Ｍ（ＭはＣｕ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｋ、及びＮａのうちの少なくとも一種）とＢｉとを含み、ＴｉおよびＺｒの合計含有量を１００モル部としたときの、ＭとＢｉの合計含有量が３モル部以上であり、誘電体セラミック層の結晶粒径が３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：提供：可以在较低温度下令人满意地烧制并在较高温度下具有高电阻率的电介质陶瓷; 以及使用电介质陶瓷制造的层叠陶瓷电子部件（例如，层叠陶瓷电容器）。层压陶瓷电容器（1）包括层压体（2），其包括分别沿着介电陶瓷层（3）和外部电极（8,9）之间的界面形成的多个层压电介质陶瓷层（3）和多个内部电极（4））分别形成在层叠体（2）的外表面上。层叠陶瓷电容器（1）的特征在于，层叠体（2）的组成含有包含Ba和Ti的钙钛矿型化合物（其中Ba的一部分可以被Ca取代，Ti的一部分可以被Zr取代）作为主要成分，另外含有M（M表示选自Cu，Zn，Li，K，Na中的至少一种元素）和Bi，M和Bi的总含量相对于总量为3份摩尔以上 Ti和Zr的含量为100份摩尔，电介质陶瓷层中的晶体的粒径为30〜150nm。

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