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1. 发明申请

US20120329224A1 METHOD OF FORMING FINE PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：形成精细图案的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20120329224A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：US13495510
申请日：2012-06-13
申请人： Yoo-chul Kong , Jin-kwan Lee , Gyung-jin Min , Seong-soo Lee
发明人： Yoo-chul Kong , Jin-kwan Lee , Gyung-jin Min , Seong-soo Lee
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0332 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要： A method of forming a fine pattern and a method of manufacturing a semiconductor device. The method of forming a fine pattern includes: forming a hard mask layer on a to-be-etched layer; forming on the hard mask layer a first mask pattern including a plurality of elongated openings that are arranged at predetermined intervals in a first direction and a second direction different from the first direction and are offset from each other in adjacent columns in the second direction; forming on the hard mask layer a second mask pattern including at least two linear openings that each pass through the elongated openings in the adjacent columns and extend in the first direction; forming a hard mask pattern by etching the hard mask layer by using the second mask pattern as an etch mask; and etching the to-be-etched layer by using the hard mask pattern.
摘要翻译：形成精细图案的方法和制造半导体器件的方法。形成精细图案的方法包括：在被蚀刻层上形成硬掩模层; 在所述硬掩模层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括多个细长开口，所述第一掩模图案沿着第一方向以不同于第一方向的第二方向以预定间隔布置，并且在相邻列中沿第二方向彼此偏移; 在所述硬掩模层上形成包括至少两个线性开口的第二掩模图案，每个所述至少两个线性开口穿过所述相邻列中的所述细长开口并在所述第一方向上延伸; 通过使用第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻硬掩模层来形成硬掩模图案; 并通过使用硬掩膜图案蚀刻被蚀刻层。

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