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    • 1. 发明授权
    • Low-power SRAM memory cell
    • 低功耗SRAM存储单元
    • US07345909B2
    • 2008-03-18
    • US10947894
    • 2004-09-23
    • Yen-Jen ChangFeipei LaiChia-Lin Yang
    • Yen-Jen ChangFeipei LaiChia-Lin Yang
    • G11C11/40
    • G11C11/412G11C11/413
    • An SRAM memory cell that has a relatively small power consumption when writing a write value of ‘0’ to the memory cell includes cross-coupled first and second inverters, at least one read access transistor for selectively coupling a respective read bit line to a common connection node of a respective one of the first and second inverters, a switching transistor for selectively coupling the second inverter to a ground terminal, and a write access transistor for selectively coupling the common connection node of the second inverter to a write bit line.
    • 当向存储单元写入写入值“0”时具有相对小的功耗的SRAM存储单元包括交叉耦合的第一和第二反相器,至少一个读取存取晶体管,用于选择性地将相应的读位线耦合到公共 第一和第二反相器中的相应一个的连接节点,用于选择性地将第二反相器耦合到接地端子的开关晶体管,以及用于选择性地将第二反相器的公共连接节点耦合到写入位线的写入存取晶体管。