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1. 发明授权

US06444551B1 N-type buried layer drive-in recipe to reduce pits over buried antimony layer 有权
标题翻译： N型掩埋层驱动配方，减少埋在锑层上的坑
公开(公告)号：US06444551B1
公开(公告)日：2002-09-03
申请号：US09910202
申请日：2001-07-23
申请人： Wen-Yu Ku , Fang-Cheng Lu , Ting-Pang Li , Cheng-Chung Wang
发明人： Wen-Yu Ku , Fang-Cheng Lu , Ting-Pang Li , Cheng-Chung Wang
IPC分类号： H01L21425
CPC分类号： H01L21/2253 , H01L21/74
摘要： A method of driving-in antimony into a wafer, including the following steps. A wafer is loaded into an annealing furnace/tool. The wafer having an area of implanted antimony ions. The wafer is annealed a first time at a first temperature in the presence of only a first nitrogen gas flow rate. The wafer is ramped-down from the first temperature to a second temperature in the presence of only an oxygen gas flow rate. The wafer is maintained in the presence of the of oxygen gas flow rate at the second temperature. The wafer is ramped-up from the second temperature to a third temperature in the presence of only the oxygen gas flow rate. The wafer is annealed a second time at the third temperature in the presence of only a second nitrogen gas flow rate to drive-in the antimony ions within the area of implanted antimony.
摘要翻译：一种将锑引入晶片的方法，包括以下步骤。将晶片装载到退火炉/工具中。该晶片具有注入的锑离子的面积。在仅有第一氮气流量存在的情况下，在第一温度下第一次对晶片进行退火。在只有氧气流量存在的情况下，晶片从第一温度下降到第二温度。在第二温度下，在存在氧气流速的情况下保持晶片。在仅存在氧气流速的情况下，晶片从第二温度升高到第三温度。在仅第二氮气流速存在的情况下，在第三温度下第二次退火晶片，以驱动在注入锑的区域内的锑离子。

2. 发明授权

US08664622B2 System and method of ion beam source for semiconductor ion implantation 有权
标题翻译：用于半导体离子注入的离子束源的系统和方法
公开(公告)号：US08664622B2
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：US13443994
申请日：2012-04-11
申请人： Chih-Hong Hwang , Chun-Lin Chang , Chi-Ming Yang , Chin-Hsiang Lin , Wen-Yu Ku
发明人： Chih-Hong Hwang , Chun-Lin Chang , Chi-Ming Yang , Chin-Hsiang Lin , Wen-Yu Ku
IPC分类号： H01J27/00 , A61N5/00 , G21G5/00
CPC分类号： C23C14/48 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
摘要： An apparatus comprises an ionization chamber for providing ions during a process of ion implantation, and an electron beam source device inside the ionization chamber. The electron beam source device comprises a field emission array having a plurality of emitters for generating electrons in vacuum under an electric field.
摘要翻译：一种装置包括用于在离子注入过程中提供离子的电离室和电离室内的电子束源装置。电子束源装置包括具有多个用于在电场下在真空中产生电子的发射器的场致发射阵列。

3. 发明授权

US09053907B2 System and method of ion neutralization with multiple-zoned plasma flood gun 有权
标题翻译：多区等离子喷枪离子中和的系统和方法
公开(公告)号：US09053907B2
公开(公告)日：2015-06-09
申请号：US13439124
申请日：2012-04-04
申请人： Chun-Lin Chang , Chih-Hong Hwang , Wen-Yu Ku , Chi-Ming Yang , Chin-Hsiang Lin
发明人： Chun-Lin Chang , Chih-Hong Hwang , Wen-Yu Ku , Chi-Ming Yang , Chin-Hsiang Lin
IPC分类号： A61N5/00 , G21G5/00 , H01J37/317 , G21K1/14
CPC分类号： H01J37/3171 , A61N5/00 , G21G5/00 , G21K1/14 , H01J2237/0044
摘要： An apparatus comprises a plasma flood gun for neutralizing a positive charge buildup on a semiconductor wafer during a process of ion implantation using an ion beam. The plasma flood gun comprises more than two arc chambers, wherein each arc chamber is configured to generate and release electrons into the ion beam in a respective zone adjacent to the semiconductor wafer.
摘要翻译：一种装置包括用于在使用离子束的离子注入的过程中中和半导体晶片上的正电荷累积的等离子体喷枪。等离子体喷枪包括两个以上的电弧室，其中每个电弧室被配置为在与半导体晶片相邻的相应区域中产生电子并将其释放到离子束中。

4. 发明申请

US20080041758A1 Wafer carrier 审中-公开
标题翻译：晶圆载体
公开(公告)号：US20080041758A1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：US11504594
申请日：2006-08-16
申请人： Yen-Fei Lin , Hui-Wen Chou , Wen-Yu Ku , Pu-Fang Chen , Tung-Li Lee , Jih-Hwa Wang
发明人： Yen-Fei Lin , Hui-Wen Chou , Wen-Yu Ku , Pu-Fang Chen , Tung-Li Lee , Jih-Hwa Wang
IPC分类号： B65D85/00
CPC分类号： H01L21/67366 , H01L21/67393
摘要： A wafer carrier. The wafer carrier includes a container and a plate, wherein the container has an inner wall and the plate is disposed in the vicinity of the inner wall of an upper portion of the container.
摘要翻译：晶圆载体。晶片载体包括容器和板，其中所述容器具有内壁，并且所述板设置在所述容器的上部的内壁附近。

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