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    • 1. 发明申请
    • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    • 半导体存储器件
    • US20110013452A1
    • 2011-01-20
    • US12836944
    • 2010-07-15
    • Toshifumi WATANABETomoyuki HAMANOShigefumi ISHIGUROKazuto UEHARA
    • Toshifumi WATANABETomoyuki HAMANOShigefumi ISHIGUROKazuto UEHARA
    • G11C14/00
    • G11C7/12G11C8/12G11C11/005
    • According to one embodiment, a semiconductor memory device includes a first memory, a second memory and a control circuit. The first memory includes a first bank number. The second memory includes a second bank number larger than the first bank number. The control circuit controls a precharge operation with respect to bit lines provided in the first and second memories. When performing, with respect to the first memory, a synchronous operation that is effected in synchronization with a clock, the control circuit changes over a second precharge operation to an operation time different from a first precharge operation during a period from the end of the initial first precharge operation to the start of the subsequent second precharge operation after receiving an address.
    • 根据一个实施例,半导体存储器件包括第一存储器,第二存储器和控制电路。 第一存储器包括第一个银行号码。 第二存储器包括大于第一存储体号的第二存储体号。 控制电路相对于设置在第一和第二存储器中的位线控制预充电操作。 当相对于第一存储器执行与时钟同步地进行的同步操作时,控制电路在初始化结束时间段内将第二预充电操作改变为与第一预充电操作不同的操作时间 在接收地址之后的第二预充电操作开始的第一预充电操作。