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    • 10. 发明授权
    • Method of fabricating semiconductor device
    • 制造半导体器件的方法
    • US07341945B2
    • 2008-03-11
    • US10373454
    • 2003-02-25
    • Yoshiaki Yamamoto
    • Yoshiaki Yamamoto
    • H01L21/44
    • H01L21/76843H01L21/76856H01L21/76873
    • A method of fabricating a semiconductor device prevents agglomeration of a seed metal layer in a recess. A recess is formed in a dielectric layer formed on or over a wafer. A seed metal layer (e.g., Cu or Cu alloy) is then formed on a bottom face and an inner side face of the recess. Subsequently, a surface of the seed metal layer is oxidized by exposing the surface of the seed metal layer to an oxygen-containing gas or the atmospheric air before agglomeration of the seed metal layer occurs, thereby forming an oxide layer in the surface of the seed metal layer. A filling metal (e.g., Cu or Cu alloy) is plated on the oxide layer of the seed metal layer while using the seed metal layer whose surface is oxidized as an electrode, thereby filling the recess with the metal.
    • 制造半导体器件的方法可防止种子金属层在凹陷中的团聚。 在形成在晶片上或上方的电介质层中形成凹部。 然后在凹部的底面和内侧面上形成种子金属层(例如Cu或Cu合金)。 随后,通过在种子金属层凝聚之前将种子金属层的表面暴露于含氧气体或大气中,从而在晶种表面形成氧化层,使种子金属层的表面发生氧化 金属层。 将填充金属(例如Cu或Cu合金)涂覆在种子金属层的氧化物层上,同时使用其表面被氧化的种子金属层作为电极,从而用金属填充凹槽。