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1. 发明授权

US08180957B2 Memory control unit and memory control method 有权
标题翻译：内存控制单元和内存控制方式
公开(公告)号：US08180957B2
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：US12528351
申请日：2007-03-13
申请人： Takashi Kamiya , Takayuki Tago
发明人： Takashi Kamiya , Takayuki Tago
IPC分类号： G06F13/00 , G06F13/28
CPC分类号： G06F13/4243 , G06F13/1694
摘要： An object of the invention is to provide a memory control unit and a memory control method capable of making the operation setting of SDRAM without intentionally stopping access to the SDRAM. A switch signal generation section (18) for generating a switch signal to switch the operation setting of SDRAM (200), a switch control section (16) for switching the operation setting of the SDRAM (200) using a switch setup value (17) as the switch signal is output from the switch signal generation section (18), and an access control section (14) for suppressing acceptance of an access request to the SDRAM (200) in the time period from the switch start time of the operation setting to the switch completion time are provided. Accordingly, when the operation setting of the SDRAM (200) is changed, it is not necessary to intentionally stop access to the SDRAM (200) and it is made possible to change the operation setting of the SDRAM (200) without being affected by the access situation to the SDRAM (200).
摘要翻译：本发明的目的是提供一种能够在不故意停止对SDRAM的访问的情况下进行SDRAM的操作设置的存储器控制单元和存储器控制方法。 1.一种用于产生用于切换SDRAM（200）的操作设置的开关信号的开关信号产生部分（18），用于使用开关设置值（17）切换SDRAM（200）的操作设置的开关控制部分（16）当切换信号从切换信号生成部分（18）输出时，以及一个访问控制部分（14），用于在从操作设置的切换开始时间起的时间段内抑制对SDRAM（200）的访问请求的接受提供切换完成时间。因此，当SDRAM（200）的操作设置改变时，不需要有意地停止对SDRAM（200）的访问，并且可以改变SDRAM（200）的操作设置而不受访问情况到SDRAM（200）。

2. 发明申请

US20100037015A1 MEMORY CONTROL UNIT AND MEMORY CONTROL METHOD 有权
标题翻译：存储器控制单元和存储器控制方法
公开(公告)号：US20100037015A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：US12528351
申请日：2007-03-13
申请人： Takashi Kamiya , Takayuki Tago
发明人： Takashi Kamiya , Takayuki Tago
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F13/4243 , G06F13/1694
摘要： An object of the invention is to provide a memory control unit and a memory control method capable of making the operation setting of SDRAM without intentionally stopping access to the SDRAM.A switch signal generation section (18) for generating a switch signal to switch the operation setting of SDRAM (200), a switch control section (16) for switching the operation setting of the SDRAM (200) using a switch setup value (17) as the switch signal is output from the switch signal generation section (18), and an access control section (14) for suppressing acceptance of an access request to the SDRAM (200) in the time period from the switch start time of the operation setting to the switch completion time are provided. Accordingly, when the operation setting of the SDRAM (200) is changed, it is not necessary to intentionally stop access to the SDRAM (200) and it is made possible to change the operation setting of the SDRAM (200) without being affected by the access situation to the SDRAM (200).
摘要翻译：本发明的目的是提供一种能够在不故意停止对SDRAM的访问的情况下进行SDRAM的操作设置的存储器控制单元和存储器控制方法。 1.一种用于产生用于切换SDRAM（200）的操作设置的开关信号的开关信号产生部分（18），用于使用开关设置值（17）切换SDRAM（200）的操作设置的开关控制部分（16）当切换信号从切换信号生成部分（18）输出时，以及一个访问控制部分（14），用于在从操作设置的切换开始时间起的时间段内抑制对SDRAM（200）的访问请求的接受提供切换完成时间。因此，当SDRAM（200）的操作设置改变时，不需要有意地停止对SDRAM（200）的访问，并且可以改变SDRAM（200）的操作设置而不受访问情况到SDRAM（200）。

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