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1. 发明申请

US20120108058A1 METHODS OF FORMING LAYERS ON SUBSTRATES 有权
标题翻译：在基体上形成层的方法
公开(公告)号：US20120108058A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：US13269243
申请日：2011-10-07
申请人： TAE HONG HA , WINSOR LAM , TZA-JING GUNG , JOUNG JOO LEE
发明人： TAE HONG HA , WINSOR LAM , TZA-JING GUNG , JOUNG JOO LEE
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/046 , C23C14/345 , H01L21/2855 , H01L21/76858 , H01L21/76865 , H01L21/76873
摘要： Methods for forming layers on a substrate are provided herein. In some embodiments, methods of forming layers on a substrate disposed in a process chamber may include depositing a barrier layer comprising titanium within one or more features in the substrate; and sputtering a material from a target in the presence of a plasma formed from a process gas by applying a DC power to the target, maintaining a pressure of less than about 500 mTorr within the process chamber, and providing up to about 5000 W of a substrate bias RF power to deposit a seed layer comprising the material atop the barrier layer.
摘要翻译：本文提供了在基板上形成层的方法。在一些实施例中，在设置在处理室中的衬底上形成层的方法可以包括在衬底的一个或多个特征内沉积包含钛的阻挡层; 在通过向目标施加DC电力的情况下，在由处理气体形成的等离子体存在下溅射材料，在处理室内保持小于约500mTorr的压力，并提供高达约5000W的衬底偏置射频功率以在阻挡层顶上沉积包含该材料的晶种层。

2. 发明申请

US20110306200A1 METHODS FOR FORMING INTERCONNECT STRUCTURES 有权
标题翻译：形成互连结构的方法
公开(公告)号：US20110306200A1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：US13153992
申请日：2011-06-06
申请人： JOUNG JOO LEE , XIANMIN TANG , TZA-JING GUNG
发明人： JOUNG JOO LEE , XIANMIN TANG , TZA-JING GUNG
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3492 , H01L21/76882
摘要： Methods for forming interconnect structures are provided herein. In some embodiments, a method for forming an interconnect on a substrate may include depositing a material atop an upper surface of the substrate and atop one or more surfaces of a feature disposed in the substrate by a first deposition process that deposits the material at a faster rate on the upper surface than on a bottom surface of the feature; depositing the material atop the upper surface of the substrate and atop one or more surfaces of the feature by a second deposition process that deposits the material at a greater rate on the bottom surface of the feature than on the upper surface of the substrate; and heating the deposited material to draw the deposited material towards the bottom surface of the feature to at least partially fill the feature with the deposited material.
摘要翻译：本文提供形成互连结构的方法。在一些实施例中，用于在衬底上形成互连的方法可以包括在衬底的上表面顶部沉积材料，并且通过第一沉积工艺沉积位于衬底中的特征的一个或多个表面上，所述第一沉积工艺以更快的速度沉积材料在上表面上比在特征的底表面上的速率; 通过第二沉积工艺将所述材料沉积在所述基底的上表面顶部和所述特征的一个或多个表面上方，所述第二沉积工艺在所述特征的底表面上以比在所述基底的上表面上更大的速率沉积材料; 以及加热沉积的材料以将沉积的材料拉向特征的底表面，以至少部分地用沉积的材料填充该特征。

3. 发明申请

US20110311735A1 MAGNETRON DESIGN FOR RF/DC PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 有权
标题翻译：用于RF / DC物理蒸气沉积的MAGNETRON设计
公开(公告)号：US20110311735A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：US13163817
申请日：2011-06-20
申请人： RONGJUN WANG , SALLY LOU , MUHAMMAD RASHEED , JIANXIN LEI , XIANMIN TANG , SRINIVAS GANDIKOTA , RYAN HANSON , TZA-JING GUNG , KEITH A. MILLER , THANH X. NGUYEN
发明人： RONGJUN WANG , SALLY LOU , MUHAMMAD RASHEED , JIANXIN LEI , XIANMIN TANG , SRINIVAS GANDIKOTA , RYAN HANSON , TZA-JING GUNG , KEITH A. MILLER , THANH X. NGUYEN
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/345 , H01J37/3461
摘要： Methods and apparatus to improve target life and deposition uniformity in PVD chambers are provided herein. In some embodiments, a magnetron assembly includes a shunt plate having a central axis, the shunt plate rotatable about the central axis, a first open loop magnetic pole arc coupled to the shunt plate at a first radius from the central axis, and a second open loop magnetic pole arc coupled the shunt plate at a first distance from the first open loop magnetic pole arc, wherein at least one of the first radius varies along the first open loop magnetic pole arc or the first distance varies along the second open loop magnetic pole arc. In some embodiments, a first polarity of the first open loop magnetic pole arc opposes a second polarity of the second open loop magnetic pole arc.
摘要翻译：本文提供了改善PVD室中的目标寿命和沉积均匀性的方法和装置。在一些实施例中，磁控管组件包括具有中心轴线的分流板，分流板可围绕中心轴线旋转，第一开环磁极电弧在与中心轴线成第一半径处耦合到分流板，第二开路环形磁极以与第一开环磁极弧成第一距离的方式将分流板电弧耦合，其中第一半径中的至少一个沿第一开环磁极弧变化，或者第一距离沿第二开环磁极变化弧。在一些实施例中，第一开环磁极的第一极性与第二开环磁极的第二极性相反。

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