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1. 发明授权

US5159752A Scanning electron microscope based parametric testing method and apparatus 失效
标题翻译：基于扫描电子显微镜的参数测试方法和装置
公开(公告)号：US5159752A
公开(公告)日：1992-11-03
申请号：US595920
申请日：1990-11-30
申请人： Shivaling S. Mahant-Shetti , Thomas J. Aton , Rebecca J. Gale
发明人： Shivaling S. Mahant-Shetti , Thomas J. Aton , Rebecca J. Gale
IPC分类号： G01R31/305
CPC分类号： G01R31/305 , Y10T29/49155
摘要： A scanning electron microscope (28) is connected to a test structure (48) formed on a semiconductor wafer. The test structure (48) comprises a plurality of first parallel structures (54) and a plurality of second parallel structure (56) transverse to and interlocking with the first structures (54). An island (60) is formed within a grid (58) formed by the structures (54-56) and is separated therefrom. An electron beam (38) from the scanning electron microscope (28) is aimed at the structure (48) and secondary electrons emitted therefrom are visually displayed on a monitor (44). The visual display (47) provides information on whether the island (60) is electrically separated from the mesh (58) or shorted thereto by comparing the intensity of the various islands (60).
摘要翻译：扫描电子显微镜（28）连接到形成在半导体晶片上的测试结构（48）。测试结构（48）包括多个第一平行结构（54）和与第一结构（54）横向并与其互锁的多个第二平行结构（56）。岛（60）形成在由结构（54-56）形成的格栅（58）内并与之隔开。来自扫描电子显微镜（28）的电子束（38）针对结构（48），并且从其发射的二次电子可视地显示在监视器（44）上。视觉显示（47）提供关于岛（60）是否与网（58）电分离或与其短路的信息，通过比较各岛（60）的强度来提供信息。

2. 发明授权

US5100501A Process for selectively depositing a metal in vias and contacts by using a sacrificial layer 失效
标题翻译：用于通过使用牺牲层选择性地将金属沉积在通孔和触点中的方法
公开(公告)号：US5100501A
公开(公告)日：1992-03-31
申请号：US375092
申请日：1989-06-30
申请人： Roc Blumenthal , Rebecca J. Gale
发明人： Roc Blumenthal , Rebecca J. Gale
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/7688
摘要： A process for selectively depositing a contacting material (20) in trenches (18) for a via or contact which selectively eliminates potential metal contaminants (22) by removing a sacrificial layer (16) after the material (20) is selectively deposited. Initially, the trenches (18) are formed by selectively exposing the substrate (10) to an etchant (19). After metal material (20) is deposited into the formed trenches (18), a chemical etchant (24) is used to remove the sacrificial layer (16) and any formed contaminants (22).
摘要翻译：一种用于选择性地沉积用于通孔或接触件的沟槽（18）中的接触材料（20）的方法，其通过在材料（20）被选择性沉积之后去除牺牲层（16）来选择性地消除潜在的金属污染物（22）。最初，沟槽（18）通过将衬底（10）选择性地暴露于蚀刻剂（19）而形成。在将金属材料（20）沉积到形成的沟槽（18）中之后，使用化学腐蚀剂（24）去除牺牲层（16）和任何形成的污染物（22）。

3. 发明授权

US06214736B1 Silicon processing method 有权
标题翻译：硅加工方法
公开(公告)号：US06214736B1
公开(公告)日：2001-04-10
申请号：US09419606
申请日：1999-10-15
申请人： Antonio L. P. Rotondaro , Reima Tapani Laaksonen , Robert Kraft , Charlotte M. Appel , Rebecca J. Gale , Katherine E. Violette
发明人： Antonio L. P. Rotondaro , Reima Tapani Laaksonen , Robert Kraft , Charlotte M. Appel , Rebecca J. Gale , Katherine E. Violette
IPC分类号： H01L2100
CPC分类号： H01L21/3065
摘要： A plasma process is described which produces an undamaged and uncontaminated silicon surface by consuming silicon by continuous oxidation through a surface oxide layer and a simultaneous etch of the exposed silicon oxide surface. The surface silicon dioxide layer thickness is controlled as an equilibrium between oxide growth from oxygen atoms reaching the silicon surface and etching of the oxide surface. The silicon dioxide protects the silicon surface from plasma damage and from contamination.
摘要翻译：描述了等离子体工艺，其通过通过表面氧化物层的连续氧化和暴露的氧化硅表面的同时蚀刻消耗硅来产生未损坏和未污染的硅表面。表面二氧化硅层的厚度被控制为从氧原子到达硅表面的氧化物生长与氧化物表面的蚀刻之间的平衡。二氧化硅保护硅表面免受等离子体损伤和污染。

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