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1. 发明授权

US06631645B1 Semiconductor pressure sensor utilizing capacitance change 失效
标题翻译：半导体压力传感器利用电容变化
公开(公告)号：US06631645B1
公开(公告)日：2003-10-14
申请号：US09653165
申请日：2000-09-01
申请人： Shinya Satou , Keiji Hanzawa , Satoshi Shimada , Naohiro Monma , Atsushi Miyazaki
发明人： Shinya Satou , Keiji Hanzawa , Satoshi Shimada , Naohiro Monma , Atsushi Miyazaki
IPC分类号： G01L912
CPC分类号： G01L9/0073 , G01L9/125
摘要： An S/N ratio of an output of a semiconductor pressure sensor is improved, the sensor being of an electrostatic capacitance type pressure sensor for generating an output based upon a ratio between capacitances of a pressure sensitive capacitance element and a reference capacitance element. This semiconductor pressure sensor has: a pressure sensitive capacitance element having an electrostatic capacitance Cs changing with a pressure to be detected; a reference capacitance element having an electrostatic capacitance Cr not changing with the pressure; and a unit for detecting the pressure by outputting a signal corresponding to a ratio between the capacitances Cs and Cr, wherein an initial value Cr0 of the capacitance Cr and an initial value Cs0 of the capacitance Cs are defined by 1.2
摘要翻译：提高半导体压力传感器的输出的S / N比，该传感器是用于根据压敏电容元件的电容与参考电容元件之间的比率产生输出的静电电容式压力传感器。该半导体压力传感器具有：静电电容Cs随着要检测的压力而变化的压敏电容元件; 具有不随压力变化的静电电容Cr的参考电容元件; 以及用于通过输出对应于电容Cs和Cr之间的比率的信号来检测压力的单元，其中电容Cr的初始值Cr 0 和初始值Cs 电容Cs的 0 由1.2 0 / Cs 0 <1.8。通过改变两个元件的电极面积等来调节CR 0 / Cs 0 的比例。以这种方式，可以获得较大的压力表输出DeltaV，降低放大器的放大系数，并提供传感器的高精度。

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