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1. 发明申请

US20130192672A1 PHOTOELECTRIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：光电器件
公开(公告)号：US20130192672A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：US13593797
申请日：2012-08-24
申请人： Sang-Hyuk AHN , Do-Young PARK , Nam-Choul YANG
发明人： Sang-Hyuk AHN , Do-Young PARK , Nam-Choul YANG
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01G9/2081 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要： A photoelectric device including a first substrate including at least one light absorption layer and a first grid electrode thereon, the first grid electrode withdrawing light-generated carriers of the at least one light absorption layer; a second substrate facing the first substrate, the second substrate including a second grid electrode thereon; and a protection layer covering the first and second grid electrodes, wherein the protection layer includes a first sealing member on the first grid electrode and the second grid electrode, and a second sealing member on the first sealing member, the second sealing member including a vanadium-containing glass frit and the first sealing member including a material different from that of the second sealing member.
摘要翻译：一种光电器件，包括在其上包括至少一个光吸收层和第一栅极的第一衬底，所述第一栅电极抽出所述至少一个光吸收层的光生载流子; 面对所述第一基板的第二基板，所述第二基板在其上包括第二栅极; 以及覆盖所述第一和第二栅极的保护层，其中所述保护层包括在所述第一栅极和所述第二栅极上的第一密封构件和所述第一密封构件上的第二密封构件，所述第二密封构件包括钒并且所述第一密封构件包括与所述第二密封构件的材料不同的材料。

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