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    • 4. 发明授权
    • Methods of forming a pattern of a semiconductor device
    • 形成半导体器件的图案的方法
    • US09520289B2
    • 2016-12-13
    • US14519813
    • 2014-10-21
    • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
    • Jin ParkCha-Won KohHyun-Woo Kim
    • G03F7/38H01L21/027G03F7/26H01L21/033H01L21/3105H01L21/02
    • H01L21/0273G03F7/26G03F7/38H01L21/02164H01L21/02277H01L21/0337H01L21/31058
    • In a method of forming a pattern of a semiconductor device, a hard mask layer is formed on a substrate. A photoresist film is coated on the hard mask layer. The photoresist film is exposed and developed to form a first photoresist pattern. A smoothing process is performed on the first photoresist pattern to form a second photoresist pattern having a roughness property lower from that of the first photoresist pattern. In the smoothing process, a surface of the first photoresist pattern is treated with an organic solvent. An ALD layer is formed on a surface of the second photoresist pattern. The ALD layer is anisotropically etched to form an ALD layer pattern on a sidewall of the second photoresist pattern. The hard mask layer is etched using the second photoresist pattern and the ALD layer pattern as an etching mask to form a hard mask pattern.
    • 在形成半导体器件的图案的方法中,在衬底上形成硬掩模层。 将光致抗蚀剂膜涂覆在硬掩模层上。 光致抗蚀剂膜被曝光和显影以形成第一光致抗蚀剂图案。 在第一光致抗蚀剂图案上进行平滑化处理以形成具有比第一光致抗蚀剂图案低的粗糙度特性的第二光致抗蚀剂图案。 在平滑处理中,用有机溶剂处理第一光致抗蚀剂图案的表面。 在第二光致抗蚀剂图案的表面上形成ALD层。 ALD层被各向异性蚀刻以在第二光致抗蚀剂图案的侧壁上形成ALD层图案。 使用第二光致抗蚀剂图案和ALD层图案作为蚀刻掩模蚀刻硬掩模层以形成硬掩模图案。