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    • 2. 发明申请
    • IMPRINT LITHOGRAPHY METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING MASTER TEMPLATE USING THE METHOD AND MASTER TEMPLATE MANUFACTURED BY THE METHOD
    • IMPRINT LITHOGRAPHY方法,使用该方法制造的方法和主模板制造主模板的方法
    • US20160306275A1
    • 2016-10-20
    • US14991828
    • 2016-01-08
    • Samsung Display Co., Ltd.
    • Seung-Won PARKDae-Hwan JANGMin-Uk KIMJung-Gun NAMDae-Young LEEGug-Rae JO
    • G03F7/00
    • G03F7/0002B81C2201/015
    • An exemplary embodiment discloses an imprint lithography method including: forming a first imprint pattern on a base substrate in a first area; forming a first resist pattern on the base substrate in a second area, the second area partially overlapping the first area; etching a third area using the first imprint pattern and the first resist pattern as an etch barrier, wherein the third area is a portion of the first area that is not overlapped with the second area; removing the first imprint pattern and the first resist pattern; forming a second imprint pattern on the base substrate in a fourth area which overlaps the second area and partially overlaps the third area; forming a second resist pattern on the base substrate in the third area; and etching the second area using the second imprint pattern and the second resist pattern as an etch barrier.
    • 一个示例性实施例公开了一种压印光刻方法,包括:在第一区域中的基底基板上形成第一印记图案; 在第二区域中在基底基板上形成第一抗蚀剂图案,第二区域部分地与第一区域重叠; 使用所述第一印记图案和所述第一抗蚀剂图案蚀刻第三区域作为蚀刻阻挡层,其中所述第三区域是所述第一区域的与所述第二区域不重叠的部分; 去除所述第一印记图案和所述第一抗蚀剂图案; 在与所述第二区域重叠并与所述第三区域部分重叠的第四区域中的所述基底基板上形成第二印记图案; 在所述第三区域中的所述基底基板上形成第二抗蚀剂图案; 以及使用所述第二印记图案和所述第二抗蚀剂图案作为蚀刻屏障来蚀刻所述第二区域。