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    • 1. 发明授权
    • Method for performing an alignment measurement of two patterns in different layers on a semiconductor wafer
    • 用于在半导体晶片上执行不同层中的两个图案的对准测量的方法
    • US06908775B2
    • 2005-06-21
    • US10713690
    • 2003-11-14
    • Rolf HeineSebastian SchmidtThorsten Schedel
    • Rolf HeineSebastian SchmidtThorsten Schedel
    • G03F7/20G03F9/00G06T7/00H01L21/027H01L21/66G01R31/26
    • G03F7/70633G03F9/7046G03F9/7076G06T7/0002G06T7/0004G06T7/33G06T2207/30148
    • In an alignment or overlay measurement of patterns on a semiconductor wafer an error that occurs during the measurement in one of a predefined number of alignment structures in an exposure field of a corresponding predefined set of exposure fields can be handled by selecting an alignment structure in a substitute exposure field. The latter exposure field need not be part of the predefined set of exposure fields, that is, an inter-field change may be effected. The number of alignment measurements on a wafer remains constant and the quality is increased. Alternatively, when using another alignment structure in the same exposure field—by effecting an intra-field change—the method becomes particularly advantageous when different minimum structure sizes are considered for the substitute targets. Due to the different selectivity in, say, a previous CMP process, such targets might not erode and do not cause an error in a measurement, thus providing an increased alignment or overlay quality.
    • 在半导体晶片上的图案的对准或覆盖测量中,可以通过选择一个对准结构中的一个对准结构来处理在相应的预定曝光区域的曝光区域中的预定数量的对准结构之一中的测量期间发生的误差 替代曝光领域。 后一曝光场不需要是预定义的一组曝光场的一部分,也就是说可以实现场间变化。 晶片上的对准测量数量保持不变,并且质量得到提高。 或者,当在相同的曝光场中使用另一对准结构时,通过进行场内变化,当替代目标考虑不同的最小结构尺寸时,该方法变得特别有利。 由于在先前的CMP过程中具有不同的选择性,所以这样的目标可能不会被侵蚀,并且不会在测量中引起误差,从而提供更高的对准或覆盖质量。