专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

US08728722B2 Stitching methods using multiple microlithographic expose tools 有权
标题翻译：使用多个微光刻曝光工具的缝合方法
公开(公告)号：US08728722B2
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：US13196163
申请日：2011-08-02
申请人： Robert P. Fabinski , Eric J. Meisenzahl , James E. Doran , Joseph R. Summa
发明人： Robert P. Fabinski , Eric J. Meisenzahl , James E. Doran , Joseph R. Summa
IPC分类号： G03C5/06
CPC分类号： G03F7/70475 , G03F7/70466 , G03F7/70633
摘要： A method for producing a device in one or more layers of patternable material disposed over a substrate uses multiple exposure tools having different resolution limits and maximum expose field sizes. An abutting field pattern is exposed and stitched in one layer of patternable material using one exposure tool and a first mask. A periphery pattern is then exposed in the same layer or in a different layer of patternable material using a second exposure tool and a second mask. The maximum expose field of the first exposure tool is smaller than a size of the device while the maximum expose field of the second exposure tool is at least as large as, or larger, the size of the device so that the combination of the stitched abutting field pattern and the periphery pattern forms a complete pattern in the patternable material.
摘要翻译：一种用于制造设置在衬底上的一层或多层可图案材料中的器件的方法使用具有不同分辨率极限和最大曝光场尺寸的多个曝光工具。使用一个曝光工具和第一掩模将邻接的场图案曝光并缝合在一层可图案材料中。然后使用第二曝光工具和第二掩模将外围图案暴露在同一层或不同的可图案材料层中。第一曝光工具的最大曝光场小于装置的尺寸，而第二曝光工具的最大曝光场至少等于或大于装置的尺寸，使得缝合邻接的组合场图案和周边图案在可图案材料中形成完整图案。

2. 发明申请

US20120082937A1 STITCHING METHODS USING MULTIPLE MICROLITHOGRAPHIC EXPOSE TOOLS 有权
标题翻译：使用多个微观显影工具的缝合方法
公开(公告)号：US20120082937A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：US13196163
申请日：2011-08-02
申请人： Robert P. Fabinski , Eric J. Meisenzahl , James E. Doran
发明人： Robert P. Fabinski , Eric J. Meisenzahl , James E. Doran
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： G03F7/70475 , G03F7/70466 , G03F7/70633
摘要： A method for producing a device in one or more layers of patternable material disposed over a substrate uses multiple exposure tools having different resolution limits and maximum expose field sizes. An abutting field pattern is exposed and stitched in one layer of patternable material using one exposure tool and a first mask. A periphery pattern is then exposed in the same layer or in a different layer of patternable material using a second exposure tool and a second mask. The maximum expose field of the first exposure tool is smaller than a size of the device while the maximum expose field of the second exposure tool is at least as large as, or larger, the size of the device so that the combination of the stitched abutting field pattern and the periphery pattern forms a complete pattern in the patternable material.
摘要翻译：一种用于制造设置在衬底上的一层或多层可图案材料中的器件的方法使用具有不同分辨率极限和最大曝光场尺寸的多个曝光工具。使用一个曝光工具和第一掩模将邻接的场图案曝光并缝合在一层可图案材料中。然后使用第二曝光工具和第二掩模将外围图案暴露在同一层或不同的可图案材料层中。第一曝光工具的最大曝光场小于装置的尺寸，而第二曝光工具的最大曝光场至少等于或大于装置的尺寸，使得缝合邻接的组合场图案和周边图案在可图案材料中形成完整图案。

3. 发明申请

US20120322271A1 IDENTIFICATION OF DIES ON A SEMICONDUCTOR WAFER 有权
标题翻译：在半导体波长上识别DIES
公开(公告)号：US20120322271A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：US13160901
申请日：2011-06-15
申请人： Shen Wang , Robert P. Fabinski , James E. Doran , Laurel J. Pace , Eric J. Meisenzahl
发明人： Shen Wang , Robert P. Fabinski , James E. Doran , Laurel J. Pace , Eric J. Meisenzahl
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L23/544 , H01L2223/54433 , H01L2223/5448 , H01L2924/0002 , Y10T83/0524 , Y10T83/7809 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor wafer includes multiple dies and a die identification region adjacent to or on each die. The die identification region can include a wafer indicator and a pattern of die locations representing die locations on the wafer. A die identification marker is provided in each pattern of die locations in the die identification region specifying a location of a respective die on the wafer.
摘要翻译：半导体晶片包括多个管芯和与每个管芯相邻或在其上的管芯识别区域。管芯识别区域可以包括晶片指示器和表示晶片上晶片位置的管芯位置的图案。在芯片识别区域中的芯片位置的每个图案中提供芯片识别标记，其指定晶片上相应裸片的位置。

4. 发明授权

US08728713B2 Stitching methods using multiple microlithographic expose tools 有权
标题翻译：使用多个微光刻曝光工具的缝合方法
公开(公告)号：US08728713B2
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：US13196197
申请日：2011-08-02
申请人： Robert P. Fabinski , Eric J. Meisenzahl , James E. Doran
发明人： Robert P. Fabinski , Eric J. Meisenzahl , James E. Doran
IPC分类号： G03F7/22
CPC分类号： G03F7/70475 , G03F7/70466 , G03F7/70633
摘要： A method for producing a measurement structure for measuring alignment of patterns formed in one or more layers of patternable material uses multiple exposure tools having different resolution limits and maximum expose field sizes. The measurement structure includes multiple complementary and coincident parts. An abutting field pattern is exposed and stitched in a layer of patternable material using a first exposure tool and a first mask. The abutting field pattern includes a first portion of the multiple complementary parts. A periphery pattern is exposed in the same layer or in a different layer of patternable material using a second exposure tool and a second mask. The periphery pattern includes a second portion of the multiple complementary parts. A maximum expose field of the first exposure tool is smaller than the maximum expose field of the second exposure tool.
摘要翻译：一种用于测量形成在一层或多层可图案材料中的图案的对准的测量结构的方法使用具有不同分辨率极限和最大曝光场尺寸的多个曝光工具。测量结构包括多个互补和重合部分。使用第一曝光工具和第一掩模将邻接的场图案曝光并缝合在可图案材料层中。邻接场图包括多个互补部分的第一部分。周边图案使用第二曝光工具和第二掩模在同一层或不同的可图案材料层中曝光。周边图案包括多个互补部分的第二部分。第一曝光工具的最大曝光场小于第二曝光工具的最大曝光场。

5. 发明授权

US08415813B2 Identification of dies on a semiconductor wafer 有权
公开(公告)号：US08415813B2
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：US13160885
申请日：2011-06-15
申请人： Shen Wang , Robert P. Fabinski , James E. Doran , Laurel J. Pace , Eric J. Meisenzahl
发明人： Shen Wang , Robert P. Fabinski , James E. Doran , Laurel J. Pace , Eric J. Meisenzahl
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor wafer includes multiple dies and a die identification region adjacent to or on each die. The die identification region can include a wafer indicator and a pattern of die locations representing die locations on the wafer. A die identification marker is provided in each pattern of die locations in the die identification region specifying a location of a respective die on the wafer.

6. 发明授权

US08415175B2 Identification of dies on a semiconductor wafer 有权
标题翻译：识别半导体晶片上的裸片
公开(公告)号：US08415175B2
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：US13160901
申请日：2011-06-15
申请人： Shen Wang , Robert P. Fabinski , James E. Doran , Laurel J. Pace , Eric J. Meisenzahl
发明人： Shen Wang , Robert P. Fabinski , James E. Doran , Laurel J. Pace , Eric J. Meisenzahl
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： H01L23/544 , H01L2223/54433 , H01L2223/5448 , H01L2924/0002 , Y10T83/0524 , Y10T83/7809 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor wafer includes multiple dies and a die identification region adjacent to or on each die. The die identification region can include a wafer indicator and a pattern of die locations representing die locations on the wafer. A die identification marker is provided in each pattern of die locations in the die identification region specifying a location of a respective die on the wafer.
摘要翻译：半导体晶片包括多个管芯和与每个管芯相邻或在其上的管芯识别区域。管芯识别区域可以包括晶片指示器和表示晶片上晶片位置的管芯位置的图案。在芯片识别区域中的芯片位置的每个图案中提供芯片识别标记，其指定晶片上相应裸片的位置。

7. 发明授权

US07948534B2 Charge-coupled device image sensor with vertical binning of same-color pixels 有权
标题翻译：具有相同颜色像素的垂直叠加的电荷耦合器件图像传感器
公开(公告)号：US07948534B2
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：US12255716
申请日：2008-10-22
申请人： Eric J. Meisenzahl
发明人： Eric J. Meisenzahl
IPC分类号： H04N3/14 , H04N5/535 , H01L29/66
CPC分类号： H04N9/045 , H04N5/3458 , H04N5/347 , H04N5/37213 , H04N5/3722
摘要： A CCD image sensor comprises photosensitive elements arranged in rows and columns, vertical CCDs each having vertical shift elements associated with respective ones of the photosensitive elements of a corresponding one of the columns, and a horizontal CCD comprising horizontal shift elements. The image sensor further comprises a transition region arranged between the vertical CCDs and the horizontal CCD. The transition region is configured to separate each of a plurality of signal channels provided by respective ones of the vertical CCDs into first and second parallel signal channels and to controllably direct selected ones of the parallel signal channels to the horizontal shift elements of the horizontal CCD in accordance with a designated readout sequence.
摘要翻译： CCD图像传感器包括以行和列排列的感光元件，垂直CCD具有与相应一列的相应感光元件相关联的垂直移动元件和包括水平移动元件的水平CCD。图像传感器还包括布置在垂直CCD和水平CCD之间的过渡区域。过渡区域被配置为将由相应的垂直CCD提供的多个信号通道中的每一个分离成第一和第二并行信号通道，并且将可选择地将并行信号通道中的一个并入到水平CCD的水平移动元件按照指定的读出顺序。

8. 发明申请

US20100302427A1 CCD IMAGE SENSORS HAVING MULTIPLE LATERAL OVERFLOW DRAIN REGIONS FOR A HORIZONTAL SHIFT REGISTER 有权
标题翻译：具有水平移位寄存器的多个横向溢流漏区的CCD图像传感器
公开(公告)号：US20100302427A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：US12475825
申请日：2009-06-01
申请人： Shen Wang , Eric J. Meisenzahl , David N. Nichols
发明人： Shen Wang , Eric J. Meisenzahl , David N. Nichols
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14887
摘要： A charge-coupled device (CCD) image sensor includes a layer of a semiconductor material having a first conductivity type. A horizontal CCD channel region of a second conductivity type is disposed in the layer of the semiconductor material. The horizontal CCD channel region includes multiple phases that are used to shift photo-generated charge through the horizontal CCD channel region. Distinct overflow drain regions are disposed in the layer of semiconducting material, with an overflow drain region electrically connected to only one particular phase of the horizontal CCD channel region. A buffer region of the second conductivity type can be used to electrically connect each overflow drain to the one particular phase of the horizontal CCD channel. Multiple barrier regions are disposed in the layer of semiconductor material, with each barrier region disposed between each overflow drain and the one particular phase electrically connected to the drain.
摘要翻译：电荷耦合器件（CCD）图像传感器包括具有第一导电类型的半导体材料层。第二导电类型的水平CCD沟道区设置在半导体材料的层中。水平CCD通道区域包括用于将光电荷移动通过水平CCD通道区域的多个相位。不同的溢出漏极区域设置在半导体材料层中，溢出漏极区域仅电连接到水平CCD沟道区域的一个特定相位。可以使用第二导电类型的缓冲区域将每个溢出漏极电连接到水平CCD通道的一个特定相位。多个屏障区域设置在半导体材料层中，每个屏障区域设置在每个溢流漏极和电连接到漏极的一个特定相之间。

9. 发明授权

US07672518B2 Use of frequency transform in the analysis of image sensors 有权
标题翻译：在图像传感器分析中使用频率变换
公开(公告)号：US07672518B2
公开(公告)日：2010-03-02
申请号：US11092300
申请日：2005-03-29
申请人： Greg L. Archer , Eric J. Meisenzahl
发明人： Greg L. Archer , Eric J. Meisenzahl
IPC分类号： G06K9/46
CPC分类号： G06K9/40 , G06K9/522
摘要： A method for detecting and removing noise from an image, the method includes the steps of applying a frequency transform to the image for obtaining a magnitude image; comparing a threshold value to values of the magnitude image for obtaining thresholded values; setting one or more thresholded values to a predetermined value; and reconstructing the image from the magnitude image having the predetermined values for removing noise from the image.
摘要翻译：一种用于从图像中检测和去除噪声的方法，所述方法包括以下步骤：将频率变换应用于图像以获得幅度图像; 将阈值与用于获得阈值的值的幅度图像的值进行比较; 将一个或多个阈值设置为预定值; 以及从具有用于从图像中去除噪声的预定值的幅度图像重建图像。

10. 发明授权

US08605187B2 CCD image sensors having multiple lateral overflow drain regions for a horizontal shift register 有权
标题翻译：具有用于水平移位寄存器的多个横向溢出漏极区域的CCD图像传感器
公开(公告)号：US08605187B2
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：US12475825
申请日：2009-06-01
申请人： Shen Wang , Eric J. Meisenzahl , David N. Nichols
发明人： Shen Wang , Eric J. Meisenzahl , David N. Nichols
IPC分类号： H01L27/15 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14887
摘要： A charge-coupled device (CCD) image sensor includes a layer of a semiconductor material having a first conductivity type. A horizontal CCD channel region of a second conductivity type is disposed in the layer of the semiconductor material. The horizontal CCD channel region includes multiple phases that are used to shift photo-generated charge through the horizontal CCD channel region. Distinct overflow drain regions are disposed in the layer of semiconducting material, with an overflow drain region electrically connected to only one particular phase of the horizontal CCD channel region. A buffer region of the second conductivity type can be used to electrically connect each overflow drain to the one particular phase of the horizontal CCD channel. Multiple barrier regions are disposed in the layer of semiconductor material, with each barrier region disposed between each overflow drain and the one particular phase electrically connected to the drain.
摘要翻译：电荷耦合器件（CCD）图像传感器包括具有第一导电类型的半导体材料层。第二导电类型的水平CCD沟道区设置在半导体材料的层中。水平CCD通道区域包括用于将光电荷移动通过水平CCD通道区域的多个相位。不同的溢出漏极区域设置在半导体材料层中，溢出漏极区域仅电连接到水平CCD沟道区域的一个特定相位。可以使用第二导电类型的缓冲区域将每个溢出漏极电连接到水平CCD通道的一个特定相位。多个屏障区域设置在半导体材料层中，每个屏障区域设置在每个溢流漏极和电连接到漏极的一个特定相之间。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式