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    • 3. 发明授权
      US08466056B2 Method of forming metal interconnect structures in ultra low-k dielectrics 有权
    • Method of forming metal interconnect structures in ultra low-k dielectrics
    • 在超低k电介质中形成金属互连结构的方法
    • US08466056B2
    • 2013-06-18
    • US12949158
    • 2010-11-18
    • Birendra Agarwala , Du Nguyen , Hazara Rathore
    • Birendra Agarwala , Du Nguyen , Hazara Rathore
    • H01L21/4763
    • H01L21/76885 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76829 , H01L21/76841
    • A metal interconnect structure in ultra low-k dielectrics is described having a capped interconnect layer; an interconnect feature with a contact via and a contact line formed in a dielectric layer, where the via is partially embedded into the interconnect layer; and a thin film formed on the dielectric layer and separating the dielectric layer from the contact line. A method of fabricating the interconnect structure is also described and includes forming a first dielectric on a capped interconnect element; forming a thin film over the first dielectric; forming a second dielectric on the thin film; forming a via opening on the second dielectric, the thin film and extending into the first dielectric; forming a line trench on a portion of the second dielectric; and filling the via opening and the line trench with a conductive material for forming a contact via and a contact line, where the contact via is partially embedded in the interconnect element.
    • 在超低k电介质中的金属互连结构被描述为具有封端的互连层; 具有接触通孔和形成在电介质层中的接触线的互连特征，其中通孔部分地嵌入到互连层中; 以及形成在电介质层上并将电介质层与接触线分离的薄膜。 还描述了制造互连结构的方法，并且包括在封盖的互连元件上形成第一电介质; 在第一电介质上形成薄膜; 在薄膜上形成第二电介质; 在所述第二电介质上形成通孔，所述薄膜延伸到所述第一电介质中; 在所述第二电介质的一部分上形成线沟槽; 以及用用于形成接触通孔和接触线的导电材料填充所述通孔开口和所述线沟槽，其中所述接触通孔部分地嵌入所述互连元件中。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20100176513A1 STRUCTURE AND METHOD OF FORMING METAL INTERCONNECT STRUCTURES IN ULTRA LOW-K DIELECTRICS 审中-公开
    • STRUCTURE AND METHOD OF FORMING METAL INTERCONNECT STRUCTURES IN ULTRA LOW-K DIELECTRICS
    • 金属互连结构在超低K电介质中的结构与方法
    • US20100176513A1
    • 2010-07-15
    • US12351272
    • 2009-01-09
    • Birendra Agarwala , Du Nguyen , Hazara Rathore
    • Birendra Agarwala , Du Nguyen , Hazara Rathore
    • H01L29/00 , H01L29/06 , H01L23/522 , H01L21/76
    • H01L21/76885 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76829 , H01L21/76841
    • A metal interconnect structure in ultra low-k dielectrics is described having a capped interconnect layer; an interconnect feature with a contact via and a contact line formed in a dielectric layer, where the via is partially embedded into the interconnect layer; and a thin film formed on the dielectric layer and separating the dielectric layer from the contact line. A method of fabricating the interconnect structure is also described and includes forming a first dielectric on a capped interconnect element; forming a thin film over the first dielectric; forming a second dielectric on the thin film; forming a via opening on the second dielectric, the thin film and extending into the first dielectric; forming a line trench on a portion of the second dielectric; and filling the via opening and the line trench with a conductive material for forming a contact via and a contact line, where the contact via is partially embedded in the interconnect element.
    • 在超低k电介质中的金属互连结构被描述为具有封端的互连层; 具有接触通孔和形成在电介质层中的接触线的互连特征，其中通孔部分地嵌入到互连层中; 以及形成在电介质层上并将电介质层与接触线分离的薄膜。 还描述了制造互连结构的方法，并且包括在封盖的互连元件上形成第一电介质; 在第一电介质上形成薄膜; 在薄膜上形成第二电介质; 在所述第二电介质上形成通孔，所述薄膜延伸到所述第一电介质中; 在所述第二电介质的一部分上形成线沟槽; 以及用用于形成接触通孔和接触线的导电材料填充所述通孔开口和所述线沟槽，其中所述接触通孔部分地嵌入所述互连元件中。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 6. 发明申请
      US20110117737A1 Method of Forming Metal Interconnect Structures in Ultra Low-K Dielectrics 有权
    • Method of Forming Metal Interconnect Structures in Ultra Low-K Dielectrics
    • 在超低K电介质中形成金属互连结构的方法
    • US20110117737A1
    • 2011-05-19
    • US12949158
    • 2010-11-18
    • Birendra Agarwala , Du Nguyen , Hazara Rathore
    • Birendra Agarwala , Du Nguyen , Hazara Rathore
    • H01L21/768
    • H01L21/76885 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76829 , H01L21/76841
    • A metal interconnect structure in ultra low-k dielectrics is described having a capped interconnect layer; an interconnect feature with a contact via and a contact line formed in a dielectric layer, where the via is partially embedded into the interconnect layer; and a thin film formed on the dielectric layer and separating the dielectric layer from the contact line. A method of fabricating the interconnect structure is also described and includes forming a first dielectric on a capped interconnect element; forming a thin film over the first dielectric; forming a second dielectric on the thin film; forming a via opening on the second dielectric, the thin film and extending into the first dielectric; forming a line trench on a portion of the second dielectric; and filling the via opening and the line trench with a conductive material for forming a contact via and a contact line, where the contact via is partially embedded in the interconnect element.
    • 在超低k电介质中的金属互连结构被描述为具有封端的互连层; 具有接触通孔和形成在电介质层中的接触线的互连特征，其中通孔部分地嵌入到互连层中; 以及形成在电介质层上并将电介质层与接触线分离的薄膜。 还描述了制造互连结构的方法，并且包括在封盖的互连元件上形成第一电介质; 在第一电介质上形成薄膜; 在薄膜上形成第二电介质; 在所述第二电介质上形成通孔，所述薄膜延伸到所述第一电介质中; 在所述第二电介质的一部分上形成线沟槽; 以及用用于形成接触通孔和接触线的导电材料填充所述通孔开口和所述线沟槽，其中所述接触通孔部分地嵌入所述互连元件中。
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