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    • 3. 发明授权
    • Method of Z-lift electrostatic nanolithography
    • Z升降静电纳米光刻方法
    • US07538332B1
    • 2009-05-26
    • US11217843
    • 2005-09-01
    • Shane JuhlSergei F. LyuksyutovRichard A. Vaia
    • Shane JuhlSergei F. LyuksyutovRichard A. Vaia
    • H01J37/26
    • G03F7/2049G01Q80/00
    • The method of the present invention utilizes atomic force microscopy techniques (AFM) for the reversible formation of nanoscale polymeric features by localized heating and mechanical deformation, generated through electrostatically mediated interactions across the polymer film between a conductive backplane and the cantilever AFM tip. This technique utilizes a selective lifting/placement of the cantilevered tip in the z direction (perpendicular to the planar surface of the polymer) to produce nanostructures of precise dimensions in contact AFM mode from regions of polymer locally heated by current flow between the cantilever AFM tip and the conductive substrate.
    • 本发明的方法利用原子力显微镜技术(AFM)通过局部加热和机械变形可逆形成纳米尺度的聚合物特征,通过在导电背板和悬臂AFM尖端之间的聚合物膜上的静电介导的相互作用产生。 这种技术利用在z方向(垂直于聚合物的平面)上的悬臂尖端的选择性提升/放置,以在接触AFM模式中产生具有精确尺寸的纳米结构,所述纳米结构由局部加热的聚合物区域通过悬臂AFM尖端之间的电流流动 和导电基板。