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热词
    • 3. 发明授权
    • Flash memory wear leveling system and method
    • 闪存磨损均衡系统和方法
    • US6016275A
    • 2000-01-18
    • US185709
    • 1998-11-04
    • Sang-Wook Han
    • Sang-Wook Han
    • G11C16/02G11C5/00G11C16/06G11C16/14G11C16/34G11C13/00
    • G11C16/349G11C16/14G11C5/005
    • A wear leveling system and method of a flash memory cell uses the amount of time required to perform an erasing operation on a sector of the flash memory to determine whether the memory cells in the sector have degraded to an unacceptable level. The actual time required to erase a sector of a flash memory array is compared to a reference erasing time required to erase a unit sector under the state of the worst allowable degradation. If the actual erasing time of a sector exceeds the reference erasing time, logical addresses corresponding to the sector are re-mapped to the physical addresses of a different sector. On the other hand, when the actual erasing time is shorter than or equal to the reference erasing time, a controller continues to use the unit sector.
    • 闪存单元的损耗均衡系统和方法使用对闪速存储器的扇区执行擦除操作所需的时间量,以确定扇区中的存储器单元是否已经降级到不可接受的水平。 擦除闪速存储器阵列的扇区所需的实际时间与在最坏的允许降级状态下擦除单元扇区所需的参考擦除时间进行比较。 如果扇区的实际擦除时间超过参考擦除时间,则对应于该扇区的逻辑地址被重新映射到不同扇区的物理地址。 另一方面,当实际擦除时间小于或等于参考擦除时间时,控制器继续使用单位扇区。
    • 4. 发明授权
    • Depth sensing apparatus and method
    • 深度感测装置及方法
    • US09207065B2
    • 2015-12-08
    • US13137059
    • 2011-07-18
    • Seong-Jin KimSang-Wook Han
    • Seong-Jin KimSang-Wook Han
    • G01B11/14G01B11/02G01B21/04G01S17/89G01S7/486
    • G01B11/026G01B21/045G01S7/4863G01S17/89
    • A depth sensing apparatus is provided. The depth sensing apparatus may reset, to a reference voltage value, a voltage of each of a first floating diffusion node and a second floating diffusion node of a sensor pixel for a first time period. For a second time period, the depth sensing apparatus may control the first floating diffusion node to store a voltage of a photodiode in a first phase interval, and may control the second floating diffusion node to store the voltage of the photodiode in a second phase interval. The depth sensing apparatus may calculate a difference between the voltage of the first floating diffusion node and the voltage of the second floating diffusion node for a third time period.
    • 提供深度感测装置。 深度感测装置可以将第一时间段内的传感器像素的第一浮动扩散节点和第二浮动扩散节点中的每一个的电压重置为参考电压值。 对于第二时间段,深度感测装置可以控制第一浮动扩散节点以在第一相间隔中存储光电二极管的电压,并且可以控制第二浮动扩散节点将光电二极管的电压存储在第二相位间隔 。 深度感测装置可以计算第三浮动扩散节点的电压与第二浮动扩散节点的电压之间的差值。
    • 8. 发明申请
    • Depth sensing apparatus and method
    • 深度感测装置及方法
    • US20120059625A1
    • 2012-03-08
    • US13137059
    • 2011-07-18
    • Seong-Jin KimSang-Wook Han
    • Seong-Jin KimSang-Wook Han
    • G01B11/14
    • G01B11/026G01B21/045G01S7/4863G01S17/89
    • A depth sensing apparatus is provided. The depth sensing apparatus may reset, to a reference voltage value, a voltage of each of a first floating diffusion node and a second floating diffusion node of a sensor pixel for a first time period. For a second time period, the depth sensing apparatus may control the first floating diffusion node to store a voltage of a photodiode in a first phase interval, and may control the second floating diffusion node to store the voltage of the photodiode in a second phase interval. The depth sensing apparatus may calculate a difference between the voltage of the first floating diffusion node and the voltage of the second floating diffusion node for a third time period.
    • 提供深度感测装置。 深度感测装置可以将第一时间段内的传感器像素的第一浮动扩散节点和第二浮动扩散节点中的每一个的电压重置为参考电压值。 对于第二时间段,深度感测装置可以控制第一浮动扩散节点以在第一相间隔中存储光电二极管的电压,并且可以控制第二浮动扩散节点将光电二极管的电压存储在第二相位间隔 。 深度感测装置可以计算第三浮动扩散节点的电压与第二浮动扩散节点的电压之间的差值。