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1. 发明授权

US07154339B2 RF power amplifier 失效
标题翻译：射频功率放大器
公开(公告)号：US07154339B2
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：US10514900
申请日：2003-05-19
申请人： Niels Kramer , Ronald Koster , Rob Mathijs Heeres , John Joseph Hug
发明人： Niels Kramer , Ronald Koster , Rob Mathijs Heeres , John Joseph Hug
IPC分类号： H03F3/68
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/211
摘要： An RF power amplifier according to the invention comprises a plurality of parallel output transistors (HBT,1,1 to HBT,1,N) connected to a power supply. A plurality of base resistors (Rb,1,1 to Rb,1,N) for the output transistors (HBT,1,1 to HBT,1,N) and a plurality of input capacitors (Cb,1 to Cb,N), each coupled in parallel to receive an RF signal input and connected via at least one additional passive component to the inputs of each corresponding output transistor (HBT,1,1 to HBT,1,N), are provided An output for an RF output signal is obtained from the parallel connection of the output transistors (HBT,1,1 to HBT,1,N). The transistors (HBT,1,1 to HBT,1,N) are heterojunction bipolar transistors.
摘要翻译：根据本发明的RF功率放大器包括连接到电源的多个并联输出晶体管（HBT，1,1至HBT，1，N）。用于输出晶体管（HBT，1,1至HBT，1，N）和多个输入电容器（Cb，1至Cb，N）的多个基本电阻器（Rb，1,1至Rb，1，N），每个并联耦合以接收经由至少一个附加无源分量输入并连接到每个对应的输出晶体管（HBT，1,1至HBT，1，N）的输入的RF信号。RF输出的输出信号从输出晶体管（HBT，1,1至HBT，1，N）的并联连接获得。晶体管（HBT，1,1至HBT，1，N）是异质结双极晶体管。

2. 发明授权

US07274206B2 Output power detection circuit 有权
标题翻译：输出功率检测电路
公开(公告)号：US07274206B2
公开(公告)日：2007-09-25
申请号：US10560638
申请日：2004-06-15
申请人： Dmitry Pavlovich Prikhodko , Adrianus Van Bezooijen , Christophe Chanlo , John Joseph Hug , Ronald Koster
发明人： Dmitry Pavlovich Prikhodko , Adrianus Van Bezooijen , Christophe Chanlo , John Joseph Hug , Ronald Koster
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： H03F3/21 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F3/3432 , H03F2200/453 , H03F2200/462
摘要： A detection circuit for detecting the output power of a power amplifier comprises a first current minor transistor (Ti 1) having a base, which is connectable to a power transistor (T10), and a collector, a RF detection means (RF-det) for detecting the RF current flowing through the current mirror transistor (T11). Said RF detection means (RFdet) is connected to the collector of said first current mirror transistor (T11). Said detection circuit further comprises a biasing means (bias-RF-det) for biasing said RF detection means (RF-det), wherein said biasing means is connected to said collector of said first current mirror (T11) and said RF detection means (RF-det).
摘要翻译：用于检测功率放大器的输出功率的检测电路包括具有可连接到功率晶体管（T10）的基极的第一电流次级晶体管（Ti 1）和集电极，RF检测装置（RF-det ），用于检测流过电流镜晶体管（T11）的RF电流。所述RF检测装置（RFdet）连接到所述第一电流镜晶体管（T11）的集电极。所述检测电路还包括用于偏置所述RF检测装置（RF-det）的偏置装置（偏置RF-det），其中所述偏置装置连接到所述第一电流镜（T11）的所述集电极，并且所述RF检测装置（RF-det）。

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