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1. 发明授权

US08455298B2 Method for forming self-aligned phase-change semiconductor diode memory 有权
标题翻译：用于形成自对准相变半导体二极管存储器的方法
公开(公告)号：US08455298B2
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：US12543086
申请日：2009-08-18
申请人： Mac D. Apodaca , Ailian Zhao , Jenn C. Chow , Thomas Brown , Lisa Ceder
发明人： Mac D. Apodaca , Ailian Zhao , Jenn C. Chow , Thomas Brown , Lisa Ceder
IPC分类号： H01L21/06
CPC分类号： H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1683
摘要： A method for fabricating a memory device includes depositing a phase-change and/or a resistive change material. The memory device is formed photolithographically using sixteen or fewer masks.
摘要翻译：一种用于制造存储器件的方法，包括沉积相变和/或电阻变化材料。使用十六个或更少的掩模光刻地形成存储器件。

2. 发明申请

US20100047995A1 METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED PHASE-CHANGE SEMICONDUCTOR DIODE MEMORY 有权
标题翻译：用于形成自对准的相变半导体二极管存储器的方法
公开(公告)号：US20100047995A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：US12543086
申请日：2009-08-18
申请人： Mac D. Apodaca , Ailian Zhao , Jenn C. Chow , Thomas Brown , Lisa Ceder
发明人： Mac D. Apodaca , Ailian Zhao , Jenn C. Chow , Thomas Brown , Lisa Ceder
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1683
摘要： A method for fabricating a memory device includes depositing a phase-change and/or a resistive change material. The memory device is formed photolithographically using sixteen or fewer masks.
摘要翻译：一种用于制造存储器件的方法，包括沉积相变和/或电阻变化材料。使用十六个或更少的掩模光刻地形成存储器件。

3. 发明申请

US20100096610A1 PHASE-CHANGE MATERIAL MEMORY CELL 审中-公开
标题翻译：相变材料存储单元
公开(公告)号：US20100096610A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：US12581555
申请日：2009-10-19
申请人： Hsingya A. Wang , Daniel R. Shepard , Mac D. Apodaca , Ailian Zhao
发明人： Hsingya A. Wang , Daniel R. Shepard , Mac D. Apodaca , Ailian Zhao
IPC分类号： H01L47/00 , H01L21/06
CPC分类号： H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： A memory cell includes a current-steering device, a phase-change material disposed thereover, and a heating element and/or a cooling element.
摘要翻译：存储单元包括电流转向装置，设置在其上的相变材料和加热元件和/或冷却元件。

4. 发明授权

US06555396B1 Method and apparatus for enhancing endpoint detection of a via etch 有权
标题翻译：用于增强通孔蚀刻的端点检测的方法和装置
公开(公告)号：US06555396B1
公开(公告)日：2003-04-29
申请号：US10097159
申请日：2002-03-13
申请人： Ailian Zhao , John A. Iacoponi , Thomas E. Spikes, Jr.
发明人： Ailian Zhao , John A. Iacoponi , Thomas E. Spikes, Jr.
IPC分类号： H01L2100
CPC分类号： H01L21/31116
摘要： A method is provided to enhance endpoint detection during via etching in the processing of a semiconductor wafer. The method includes forming a first process layer and a second process layer above the first process layer. A first masking layer is formed above at least a portion of the second process layer, leaving an outer edge portion of at least the second process layer exposed. Thereafter, an etching process is used to remove the outer edge portion of the first and second layers. Once the etching is complete, the first masking layer is removed, and a second masking layer is formed above the second process layer. The second masking layer is patterned to expose portions of the first process layer, and then an etching process substantially removes the exposed portions of the first process layer to form the vias.
摘要翻译：提供了一种在半导体晶片的处理中增强通孔蚀刻期间的端点检测的方法。该方法包括在第一处理层上形成第一处理层和第二处理层。第一掩模层形成在第二工艺层的至少一部分之上，留下至少第二工艺层的外边缘部分露出。此后，使用蚀刻工艺去除第一和第二层的外边缘部分。蚀刻完成后，去除第一掩模层，并在第二工艺层上方形成第二掩模层。图案化第二掩模层以暴露第一工艺层的部分，然后蚀刻工艺基本上去除第一工艺层的暴露部分以形成通路。

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