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1. 发明申请

US20090185412A1 PHASE-CHANGE MATERIAL, MEMORY UNIT AND METHOD FOR ELECTRICALLY STORING/READING DATA 有权
标题翻译：相变材料，存储单元和电存储/读取数据的方法
公开(公告)号：US20090185412A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：US12182644
申请日：2008-07-30
申请人： Lung-Han Peng , Sung-Li Wang , Meng-Kuei Hsieh , Chien-Yu Chen
发明人： Lung-Han Peng , Sung-Li Wang , Meng-Kuei Hsieh , Chien-Yu Chen
IPC分类号： G11C11/00 , H01L45/00 , C01B21/20 , C01G15/00 , C01G17/00
CPC分类号： C23C14/0676 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/145 , H01L45/1625 , Y10S438/90
摘要： A phase-change material and a memory unit using the phase-change material are provided. The phase-change material is in a single crystalline state and includes a compound of a metal oxide or nitroxide, wherein the metal is at least one selected from a group consisting of indium, gallium and germanium. The memory unit includes a substrate; at least a first contact electrode formed on the substrate; a dielectric layer disposed on the substrate and formed with an opening for a layer of the phase-change material to be formed therein; and at least a second contact electrode disposed on the dielectric layer. As the phase-change material is in a single crystalline state and of a great discrepancy between high and low resistance states, the memory unit using the phase-changed material can achieve a phase-change characteristic rapidly by pulse voltage and avert any incomplete reset while with a low critical power.
摘要翻译：提供了相变材料和使用该相变材料的存储单元。相变材料为单晶状态，包括金属氧化物或氮氧化物的化合物，其中金属为选自铟，镓和锗的至少一种。存储单元包括基板; 至少形成在所述基板上的第一接触电极; 介电层，其设置在所述基板上，并且形成有用于要形成在其中的所述相变材料层的开口; 以及设置在电介质层上的至少第二接触电极。由于相变材料处于单晶状态，在高电阻状态和低电阻状态之间存在很大的差异，所以使用相变材料的存储器单元可以通过脉冲电压快速获得相变特性，并避免任何不完全复位具有低临界功率。

2. 发明授权

US07884345B2 Phase-change material, memory unit and method for electrically storing/reading data 有权
标题翻译：相变材料，存储单元和用于电存储/读取数据的方法
公开(公告)号：US07884345B2
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：US12182644
申请日：2008-07-30
申请人： Lung-Han Peng , Sung-Li Wang , Meng-Kuei Hsieh , Chien-Yu Chen
发明人： Lung-Han Peng , Sung-Li Wang , Meng-Kuei Hsieh , Chien-Yu Chen
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： C23C14/0676 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/145 , H01L45/1625 , Y10S438/90
摘要： A phase-change material and a memory unit using the phase-change material are provided. The phase-change material is in a single crystalline state and includes a compound of a metal oxide or nitroxide, wherein the metal is at least one selected from a group consisting of indium, gallium and germanium. The memory unit includes a substrate; at least a first contact electrode formed on the substrate; a dielectric layer disposed on the substrate and formed with an opening for a layer of the phase-change material to be formed therein; and at least a second contact electrode disposed on the dielectric layer. As the phase-change material is in a single crystalline state and of a great discrepancy between high and low resistance states, the memory unit using the phase-changed material can achieve a phase-change characteristic rapidly by pulse voltage and avert any incomplete reset while with a low critical power.
摘要翻译：提供了相变材料和使用该相变材料的存储单元。相变材料为单晶状态，包括金属氧化物或氮氧化物的化合物，其中金属为选自铟，镓和锗的至少一种。存储单元包括基板; 至少形成在所述基板上的第一接触电极; 介电层，其设置在所述基板上，并且形成有用于要形成在其中的所述相变材料层的开口; 以及设置在电介质层上的至少第二接触电极。由于相变材料处于单晶状态，在高电阻状态和低电阻状态之间存在很大的差异，所以使用相变材料的存储器单元可以通过脉冲电压快速获得相变特性，并避免任何不完全复位具有低临界功率。

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