专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

US09058437B2 Semiconductor memory device with high-speed data transmission capability, system having the same, and method for operating the same 有权
公开(公告)号：US09058437B2
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：US13548117
申请日：2012-07-12
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon , Ki-Chang Kwean
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon , Ki-Chang Kwean
IPC分类号： G06F13/42 , G11C29/10 , G11C29/08 , G11C29/12
CPC分类号： G06F13/4243 , G11C29/08 , G11C29/10 , G11C29/12015
摘要： Semiconductor memory device with high-speed data transmission capability, system having the same includes a plurality of address input circuits and a plurality of data output circuits and a training driver configured to distribute address information input through the plurality of address input circuits together with a data loading signal for a read training, and generate data training patterns to be output through the plurality of data output circuits.

2. 发明授权

US08248873B2 Semiconductor memory device with high-speed data transmission capability, system having the same, and method for operating the same 有权
标题翻译：具有高速数据传输能力的半导体存储器件，具有相同功能的系统及其操作方法
公开(公告)号：US08248873B2
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：US12215511
申请日：2008-06-26
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon , Ki-Chang Kwean
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon , Ki-Chang Kwean
IPC分类号： G11C29/00 , G11C7/00
CPC分类号： G06F13/4243 , G11C29/08 , G11C29/10 , G11C29/12015
摘要： Semiconductor memory device with high-speed data transmission capability, system having the same includes a plurality of address input circuits and a plurality of data output circuits and a training driver configured to distribute address information input through the plurality of address input circuits together with a data loading signal for a read training, and generate data training patterns to be output through the plurality of data output circuits.
摘要翻译：具有高速数据传输能力的半导体存储器件，具有相同的半导体存储器件包括多个地址输入电路和多个数据输出电路，以及训练驱动器，被配置为将通过多个地址输入电路输入的地址信息与数据加载用于读取训练的信号，并且生成要通过多个数据输出电路输出的数据训练模式。

3. 发明申请

US20120284470A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH HIGH-SPEED DATA TRANSMISSION CAPABILITY, SYSTEM HAVING THE SAME, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME 有权
标题翻译：具有高速数据传输能力的半导体存储器件，具有该数据传输能力的系统及其操作方法
公开(公告)号：US20120284470A1
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：US13548117
申请日：2012-07-12
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon , Ki-Chang Kwean
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon , Ki-Chang Kwean
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G06F13/4243 , G11C29/08 , G11C29/10 , G11C29/12015
摘要： Semiconductor memory device with high-speed data transmission capability, system having the same includes a plurality of address input circuits and a plurality of data output circuits and a training driver configured to distribute address information input through the plurality of address input circuits together with a data loading signal for a read training, and generate data training patterns to be output through the plurality of data output circuits.
摘要翻译：具有高速数据传输能力的半导体存储器件，具有相同的半导体存储器件包括多个地址输入电路和多个数据输出电路，以及训练驱动器，被配置为将通过多个地址输入电路输入的地址信息与数据加载用于读取训练的信号，并且生成要通过多个数据输出电路输出的数据训练模式。

4. 发明申请

US20090119419A1 Semiconductor memory device with high-speed data transmission capability, system having the same, and method for operating the same 有权
标题翻译：具有高速数据传输能力的半导体存储器件，具有相同功能的系统及其操作方法
公开(公告)号：US20090119419A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：US12215511
申请日：2008-06-26
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Silk Yoon , Ki-Chang Kwean
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Silk Yoon , Ki-Chang Kwean
IPC分类号： G06F13/14
CPC分类号： G06F13/4243 , G11C29/08 , G11C29/10 , G11C29/12015
摘要： Semiconductor memory device with high-speed data transmission capability, system having the same includes a plurality of address input circuits and a plurality of data output circuits and a training driver configured to distribute address information input through the plurality of address input circuits together with a data loading signal for a read training, and generate data training patterns to be output through the plurality of data output circuits.
摘要翻译：具有高速数据传输能力的半导体存储器件，具有相同的半导体存储器件包括多个地址输入电路和多个数据输出电路，以及训练驱动器，被配置为将通过多个地址输入电路输入的地址信息与数据加载用于读取训练的信号，并且生成要通过多个数据输出电路输出的数据训练模式。

5. 发明授权

US08737145B2 Semiconductor memory device for transferring data at high speed 有权
标题翻译：用于高速传输数据的半导体存储器件
公开(公告)号：US08737145B2
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：US13406428
申请日：2012-02-27
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G11C5/063 , G11C7/1066 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/4076 , G11C11/4096 , G11C29/02 , G11C29/022 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/2254
摘要： A semiconductor memory device includes: a data multiplexing unit configured to output one of a data training pattern and data transferred through a first global input/output line in response to a training control signal; and a latch unit configured to latch an output of the data multiplexing unit to apply and maintain the latched output to a second global input/output line.
摘要翻译：半导体存储器件包括：数据复用单元，被配置为响应于训练控制信号输出数据训练模式和通过第一全局输入/输出线传送的数据中的一个; 以及锁存单元，被配置为锁存数据复用单元的输出以将锁存的输出施加并保持到第二全局输入/输出线。

6. 发明授权

US08144527B2 Semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：US08144527B2
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：US12005999
申请日：2007-12-28
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C5/063 , G11C7/1066 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/4076 , G11C11/4096 , G11C29/02 , G11C29/022 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/2254
摘要： A semiconductor memory device includes: a data multiplexing unit configured to output one of a data training pattern and data transferred through a first global input/output line in response to a training control signal; and a latch unit configured to latch an output of the data multiplexing unit to apply and maintain the latched output to a second global input/output line.
摘要翻译：半导体存储器件包括：数据复用单元，被配置为响应于训练控制信号输出数据训练模式和通过第一全局输入/输出线传送的数据中的一个; 以及锁存单元，被配置为锁存数据复用单元的输出以将锁存的输出施加并保持到第二全局输入/输出线。

7. 发明申请

US20090059693A1 Semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：US20090059693A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：US12005999
申请日：2007-12-28
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sik Yoon
IPC分类号： G11C7/22
CPC分类号： G11C5/063 , G11C7/1066 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/4076 , G11C11/4096 , G11C29/02 , G11C29/022 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/2254
摘要： A semiconductor memory device includes: a data multiplexing unit configured to output one of a data training pattern and data transferred through a first global input/output line in response to a training control signal; and a latch unit configured to latch an output of the data multiplexing unit to apply and maintain the latched output to a second global input/output line.
摘要翻译：半导体存储器件包括：数据复用单元，被配置为响应于训练控制信号输出数据训练模式和通过第一全局输入/输出线传送的数据中的一个; 以及锁存单元，被配置为锁存数据复用单元的输出以将锁存的输出施加并保持到第二全局输入/输出线。

8. 发明授权

US08677053B2 Nonvolatile memory device and method for operating the same 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其操作方法
公开(公告)号：US08677053B2
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：US12488616
申请日：2009-06-22
申请人： Ji-Hyae Bae , Kyoung-Wook Park
发明人： Ji-Hyae Bae , Kyoung-Wook Park
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G11C16/32
摘要： A nonvolatile memory device includes a selecting unit configured to select one of a read data or a program signal indicating a program period, an output unit configured to output an output signal of the selecting unit to the outside of a chip, and an output pin connected to the output unit.
摘要翻译：非易失性存储器件包括：选择单元，被配置为选择读取数据或表示程序周期的程序信号中的一个;输出单元，被配置为将选择单元的输出信号输出到芯片的外部;以及输出引脚连接到输出单元。

9. 发明授权

US08238186B2 Semiconductor memory device and method for operating the same 有权
标题翻译：半导体存储器件及其操作方法
公开(公告)号：US08238186B2
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：US12613347
申请日：2009-11-05
申请人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sie Yoon
发明人： Ji-Hyae Bae , Sang-Sie Yoon
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C7/1045 , G11C2207/107
摘要： A semiconductor memory device is capable of performing a stable high-speed operation while inputting/outputting data. The semiconductor memory device includes an inversion output circuit configured to output a clocking pattern in a clocking mode, and an inversion pin to which the inversion output circuit is connected.
摘要翻译：半导体存储器件能够在输入/输出数据时执行稳定的高速操作。半导体存储器件包括反相输出电路，被配置为以时钟模式输出时钟模式，反相输出电路被连接到反相输出电路。

10. 发明申请

US20100277994A1 Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof 失效
标题翻译：半导体存储器件及其操作方法
公开(公告)号：US20100277994A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：US12488011
申请日：2009-06-19
申请人： Ji-Hyae Bae
发明人： Ji-Hyae Bae
IPC分类号： G11C7/00 , G11C8/18
CPC分类号： G11C7/1078 , G11C7/109 , G11C7/22
摘要： A semiconductor memory device and an operating method thereof prevent the mal-operation of the semiconductor memory device induced by misrecognizing addresses or data as commands. The semiconductor memory device includes a plurality of input pads, a data information path, a command path, a transfer block configured to transmit signals coupled through the input pads to the data information path and the command path, a command decoding block configured to decode signals transmitted through the command path to verify an inputting of a command, and a transmission control block configured to generate a control signal for controlling the signal transmission from the transfer block to the command path according to the verified result of the command decoding block.
摘要翻译：半导体存储器件及其操作方法防止由误认识地址或数据引起的半导体存储器件的误操作作为命令。半导体存储器件包括多个输入焊盘，数据信息路径，命令路径，被配置为将通过输入焊盘耦合的信号传输到数据信息路径和命令路径的传输块，配置为对信号进行解码的命令解码块通过命令路径发送以验证命令的输入;以及传输控制块，被配置为根据命令解码块的验证结果产生用于控制从传送块到命令路径的信号传输的控制信号。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式