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    • 1. 发明申请
    • Laser Mask and Crystallization Method Using the Same
    • 激光掩模和使用其的结晶方法
    • US20110104908A1
    • 2011-05-05
    • US13004583
    • 2011-01-11
    • JaeSung YOU
    • JaeSung YOU
    • H01L21/26
    • H01L21/0268B23K26/066H01L21/2026
    • A crystallization method using a mask includes providing a substrate having a semiconductor layer; positioning a mask over the substrate, the mask having first, second and third blocks, each block having a periodic pattern including a plurality of transmitting regions and a blocking region, the periodic pattern of the first block having a first position, the periodic pattern of the second block having a second position, the periodic pattern of the third block having a third position, the first, second and third positions being different from each other; and crystallizing the semiconductor layer by irradiating a laser beam through the mask.
    • 使用掩模的结晶方法包括提供具有半导体层的基板; 将掩模定位在衬底上,掩模具有第一,第二和第三块,每个块具有包括多个发射区域和阻挡区域的周期性图案,第一块的周期性图案具有第一位置,周期性图案 所述第二块具有第二位置,所述第三块的周期性图案具有第三位置,所述第一,第二和第三位置彼此不同; 并通过照射激光束通过掩模使半导体层结晶。