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1. 发明授权

US06818555B2 Method for metal etchback with self aligned etching mask 有权
标题翻译：使用自对准蚀刻掩模的金属回蚀方法
公开(公告)号：US06818555B2
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：US10266177
申请日：2002-10-07
申请人： How-Cheng Tsai , Hung-Hsin Liu , Chung-Daw Young , Ming-Kuo Yu
发明人： How-Cheng Tsai , Hung-Hsin Liu , Chung-Daw Young , Ming-Kuo Yu
IPC分类号： H01L2144
CPC分类号： H01L21/7684
摘要： A method for a metal etchback process to form a metal filled semiconductor feature having improved planarity and electrical resistance including a semiconductor wafer having an etched opening lined with a refractory metal containing layer and a blanket deposited metal layer filling the etched opening; spin coating a spin on layer selected from the group consisting of an organic resinous layer and a spin-on glass layer over the metal layer; dry etching in a first etchback process to remove a first portion of the SOL layer to reveal a portion of the metal layer leaving a second portion of the SOL layer overlying the etched opening; dry etching in a second etchback process to remove the metal layer to reveal a portion of the refractory metal containing layer; and, removing the second portion of the SOL layer to form a substantially planar metal filled etched opening.
摘要翻译：一种用于形成金属回蚀工艺的方法，其形成具有改善的平面度和电阻的金属填充半导体特征，该半导体特征包括半导体晶片，该半导体晶片具有衬有难熔金属含有层的蚀刻开口和填充蚀刻开口的覆盖沉积金属层; 旋转涂覆选自由金属层上的有机树脂层和旋涂玻璃层组成的组中的旋涂层; 在第一回蚀工艺中进行干蚀刻以去除SOL层的第一部分以露出金属层的一部分，留下覆盖在蚀刻开口上的SOL层的第二部分; 在第二回蚀工艺中进行干蚀刻以去除金属层以露出含难熔金属层的一部分; 并且去除SOL层的第二部分以形成基本平坦的金属填充蚀刻开口。

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